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ZuhauseProdukteDiskrete Halbleiter-ProdukteTransistoren-FETs, MOSFETs-EinzelNVR1P02T1G
NVR1P02T1G Image
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NVR1P02T1G - onsemi

Hersteller Artikelnummer
NVR1P02T1G
Hersteller
onsemi
Allelco Artikelnummer
32D-NVR1P02T1G
ECAD -Modell
Teile Beschreibung
MOSFET P-CH 20V 1A SOT-23-3
detaillierte Beschreibung
Verpackung
TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Datenblatt
N(T,V)R1P02.pdf
RoHS Status
vorrätig: 245940

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Anzahl

Spezifikation

NVR1P02T1G Tech -Spezifikationen
onsemi - NVR1P02T1G Technische Spezifikationen, Attribute, Parameter und Teile mit ähnlichen Spezifikationen wie onsemi - NVR1P02T1G

Produkteigenschaften Eigenschaften  
Hersteller onsemi  
VGS (th) (Max) @ Id 2.3V @ 250µA  
Vgs (Max) ±20V  
Technologie MOSFET (Metal Oxide)  
Supplier Device-Gehäuse SOT-23-3 (TO-236)  
Serie Automotive, AEC-Q101  
Rds On (Max) @ Id, Vgs 180mOhm @ 1.5A, 10V  
Verlustleistung (max) 400mW (Ta)  
Verpackung / Gehäuse TO-236-3, SC-59, SOT-23-3  
Paket Tape & Reel (TR)  
Produkteigenschaften Eigenschaften  
Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ)  
Befestigungsart Surface Mount  
Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds 165 pF @ 5 V  
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 2.5 nC @ 5 V  
Typ FET P-Channel  
FET-Merkmal -  
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) 4.5V, 10V  
Drain-Source-Spannung (Vdss) 20 V  
Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C 1A (Ta)  
Grundproduktnummer NVR1P02  

Bauteile mit ähnlicher Spezifikation

Die rechten drei Teile haben ähnliche Spezifikation wie onsemi NVR1P02T1G.

Produkteigenschaften NVR1P02T1G NVR5198NLT1G IPD380P06NMATMA1 FQA48N20
Artikelnummer NVR1P02T1G NVR5198NLT1G IPD380P06NMATMA1 FQA48N20
Hersteller onsemi onsemi Infineon Technologies onsemi
Verlustleistung (max) 400mW (Ta) 900mW (Ta) 125W (Tc) 280W (Tc)
Vgs (Max) ±20V ±20V ±20V ±30V
FET-Merkmal - - - -
Rds On (Max) @ Id, Vgs 180mOhm @ 1.5A, 10V 155mOhm @ 1A, 10V 38mOhm @ 35A, 10V 50mOhm @ 24A, 10V
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) 4.5V, 10V 4.5V, 10V 10V 10V
Paket Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) Tube
Drain-Source-Spannung (Vdss) 20 V 60 V 60 V 200 V
Supplier Device-Gehäuse SOT-23-3 (TO-236) SOT-23-3 (TO-236) PG-TO252-3 TO-3P
VGS (th) (Max) @ Id 2.3V @ 250µA 2.5V @ 250µA 4V @ 1.7mA 5V @ 250µA
Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C 1A (Ta) 1.7A (Ta) 35A (Tc) 48A (Tc)
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 2.5 nC @ 5 V 5.1 nC @ 10 V 63 nC @ 10 V 130 nC @ 10 V
Serie Automotive, AEC-Q101 Automotive, AEC-Q101 OptiMOS™ QFET®
Verpackung / Gehäuse TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 TO-3P-3, SC-65-3
Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds 165 pF @ 5 V 182 pF @ 25 V 2500 pF @ 30 V 5000 pF @ 25 V
Typ FET P-Channel N-Channel P-Channel N-Channel
Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 175°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ)
Technologie MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide)
Grundproduktnummer NVR1P02 NVR5198 IPD380 FQA4
Befestigungsart Surface Mount Surface Mount Surface Mount Through Hole

NVR1P02T1G Datenblatt PDF

Laden Sie NVR1P02T1G PDF -Datenblätter und onsemi -Dokumentation für NVR1P02T1G - onsemi herunter.

Umweltinformationen
onsemi REACH.pdf onsemi RoHS.pdf
PCN -Design/Spezifikation
SOT23 27/Sep/2016.pdf
PCN -Baugruppe/Herkunft
Compound Qualification 23/Jun/2019.pdf
Datenblätter
N(T,V)R1P02.pdf

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Logistische Zeitreferenz für Gemeinsame Länder
Region Land Logistische Zeit (Tag)
Amerika Vereinigte Staaten 5
Brasilien 7
Europa Deutschland 5
Großbritannien 4
Italien 5
Ozeanien Australien 6
Neuseeland 5
Asien Indien 4
Japan 4
Naher Osten Israel 6
DHL & FedEx -Versandkosten Referenz
Versandkosten (KG) Referenz DHL (USD $)
0.00kg-1.00kg USD$30.00 - USD$60.00
1.00kg-2.00kg USD$40.00 - USD$80.00
2.00kg-3.00kg USD$50.00 - USD$100.00
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