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ZuhauseProdukteDiskrete Halbleiter-ProdukteTransistoren-FETs, MOSFETs-EinzelAUIRF7737L2TR
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AUIRF7737L2TR - Infineon Technologies

Hersteller Artikelnummer
AUIRF7737L2TR
Hersteller
Infineon Technologies
Allelco Artikelnummer
32D-AUIRF7737L2TR
ECAD -Modell
Teile Beschreibung
MOSFET N-CH 40V 31A DIRECTFET
Verpackung
DirectFET™ Isometric L6
Datenblatt
AUIRF7737L2TR.pdf
RoHS Status
Unsere Zertifizierung
vorrätig: 13220

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Spezifikation

AUIRF7737L2TR Tech -Spezifikationen
Infineon Technologies - AUIRF7737L2TR Technische Spezifikationen, Attribute, Parameter und Teile mit ähnlichen Spezifikationen wie Infineon Technologies - AUIRF7737L2TR

Produkteigenschaften Eigenschaften  
Hersteller Infineon Technologies  
VGS (th) (Max) @ Id 4V @ 150µA  
Vgs (Max) ±20V  
Technologie MOSFET (Metal Oxide)  
Supplier Device-Gehäuse DIRECTFET L6  
Serie HEXFET®  
Rds On (Max) @ Id, Vgs 1.9mOhm @ 94A, 10V  
Verlustleistung (max) 3.3W (Ta), 83W (Tc)  
Verpackung / Gehäuse DirectFET™ Isometric L6  
Paket Tape & Reel (TR)  
Produkteigenschaften Eigenschaften  
Betriebstemperatur -55°C ~ 175°C (TJ)  
Befestigungsart Surface Mount  
Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds 5469 pF @ 25 V  
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 134 nC @ 10 V  
Typ FET N-Channel  
FET-Merkmal -  
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) 10V  
Drain-Source-Spannung (Vdss) 40 V  
Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C 31A (Ta), 156A (Tc)  
Grundproduktnummer AUIRF7737  

Umwelt- und Exportklassifikationen

ATTRIBUT BESCHREIBUNG
RoHS Status
Feuchtigkeitsempfindlichkeit (MSL) 1 (Unlimited)
Status erreichen REACH Unaffected
ECCN EAR99
HTSUS

Bauteile mit ähnlicher Spezifikation

Die rechten drei Teile haben ähnliche Spezifikation wie Infineon Technologies AUIRF7737L2TR.

Produkteigenschaften AUIRF7737L2TR AUIRF7478QTR AUIRF7749L2TR AUIRF7736M2TR
Artikelnummer AUIRF7737L2TR AUIRF7478QTR AUIRF7749L2TR AUIRF7736M2TR
Hersteller Infineon Technologies Infineon Technologies Infineon Technologies Infineon Technologies
VGS (th) (Max) @ Id 4V @ 150µA 3V @ 250µA 4V @ 250µA 4V @ 150µA
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) 10V 4.5V, 10V 10V 10V
Paket Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR)
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 134 nC @ 10 V 31 nC @ 4.5 V 275 nC @ 10 V 108 nC @ 10 V
Serie HEXFET® HEXFET® Automotive, AEC-Q101, OptiMOS™ HEXFET®
Grundproduktnummer AUIRF7737 - AUIRF7749 AUIRF7736
Befestigungsart Surface Mount Surface Mount Surface Mount Surface Mount
Technologie MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide)
Supplier Device-Gehäuse DIRECTFET L6 8-SO DirectFET™ Isometric L8 DirectFET™ Isometric M4
Vgs (Max) ±20V ±20V ±20V ±20V
Verpackung / Gehäuse DirectFET™ Isometric L6 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) DirectFET™ Isometric L8 DirectFET™ Isometric M4
Drain-Source-Spannung (Vdss) 40 V 60 V 60 V 40 V
FET-Merkmal - - - -
Verlustleistung (max) 3.3W (Ta), 83W (Tc) 2.5W (Ta) 3.8W (Ta), 341W (Tc) 2.5W (Ta), 63W (Tc)
Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds 5469 pF @ 25 V 1740 pF @ 25 V 10655 pF @ 25 V 4267 pF @ 25 V
Betriebstemperatur -55°C ~ 175°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 175°C (TJ) -55°C ~ 175°C (TJ)
Rds On (Max) @ Id, Vgs 1.9mOhm @ 94A, 10V 26mOhm @ 4.2A, 10V 1.5mOhm @ 120A, 10V 3mOhm @ 65A, 10V
Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C 31A (Ta), 156A (Tc) 7A (Ta) 36A (Ta), 345A (Tc) 22A (Ta), 108A (Tc)
Typ FET N-Channel N-Channel N-Channel N-Channel

AUIRF7737L2TR Datenblatt PDF

Laden Sie AUIRF7737L2TR PDF -Datenblätter und Infineon Technologies -Dokumentation für AUIRF7737L2TR - Infineon Technologies herunter.

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Logistische Zeitreferenz für Gemeinsame Länder
Region Land Logistische Zeit (Tag)
Amerika Vereinigte Staaten 5
Brasilien 7
Europa Deutschland 5
Großbritannien 4
Italien 5
Ozeanien Australien 6
Neuseeland 5
Asien Indien 4
Japan 4
Naher Osten Israel 6
DHL & FedEx -Versandkosten Referenz
Versandkosten (KG) Referenz DHL (USD $)
0.00kg-1.00kg USD$30.00 - USD$60.00
1.00kg-2.00kg USD$40.00 - USD$80.00
2.00kg-3.00kg USD$50.00 - USD$100.00
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