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ZuhauseProdukteDiskrete Halbleiter-ProdukteTransistoren-FETs, MOSFETs-EinzelAUIRF7732S2TR
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AUIRF7732S2TR - Infineon Technologies

Hersteller Artikelnummer
AUIRF7732S2TR
Hersteller
Infineon Technologies
Allelco Artikelnummer
32D-AUIRF7732S2TR
ECAD -Modell
Teile Beschreibung
MOSFET N-CH 40V 14A DIRECTFET SC
detaillierte Beschreibung
Verpackung
DirectFET™ Isometric SC
Datenblatt
AUIRF7732S2TR.pdf
RoHS Status
vorrätig: 29079

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Anzahl

Spezifikation

AUIRF7732S2TR Tech -Spezifikationen
Infineon Technologies - AUIRF7732S2TR Technische Spezifikationen, Attribute, Parameter und Teile mit ähnlichen Spezifikationen wie Infineon Technologies - AUIRF7732S2TR

Produkteigenschaften Eigenschaften  
Hersteller Infineon Technologies  
VGS (th) (Max) @ Id 4V @ 50µA  
Vgs (Max) ±20V  
Technologie MOSFET (Metal Oxide)  
Supplier Device-Gehäuse DIRECTFET™ SC  
Serie HEXFET®  
Rds On (Max) @ Id, Vgs 6.95mOhm @ 33A, 10V  
Verlustleistung (max) 2.5W (Ta), 41W (Tc)  
Verpackung / Gehäuse DirectFET™ Isometric SC  
Paket Tape & Reel (TR)  
Produkteigenschaften Eigenschaften  
Betriebstemperatur -55°C ~ 175°C (TJ)  
Befestigungsart Surface Mount  
Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds 1700 pF @ 25 V  
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 45 nC @ 10 V  
Typ FET N-Channel  
FET-Merkmal -  
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) 10V  
Drain-Source-Spannung (Vdss) 40 V  
Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C 14A (Ta)  
Grundproduktnummer AUIRF7732  

Bauteile mit ähnlicher Spezifikation

Die rechten drei Teile haben ähnliche Spezifikation wie Infineon Technologies AUIRF7732S2TR.

Produkteigenschaften AUIRF7732S2TR AUIRF7478QTR AUIRF7675M2TR AUIRF7769L2TR
Artikelnummer AUIRF7732S2TR AUIRF7478QTR AUIRF7675M2TR AUIRF7769L2TR
Hersteller Infineon Technologies Infineon Technologies Infineon Technologies Infineon Technologies
Verpackung / Gehäuse DirectFET™ Isometric SC 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) DirectFET™ Isometric M2 DirectFET™ Isometric L8
Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C 14A (Ta) 7A (Ta) 4.4A (Ta), 18A (Tc) 375A (Tc)
Paket Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR)
Drain-Source-Spannung (Vdss) 40 V 60 V 150 V 100 V
Befestigungsart Surface Mount Surface Mount Surface Mount Surface Mount
Betriebstemperatur -55°C ~ 175°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 175°C (TJ) -55°C ~ 175°C (TJ)
VGS (th) (Max) @ Id 4V @ 50µA 3V @ 250µA 5V @ 100µA 4V @ 250µA
Serie HEXFET® HEXFET® HEXFET® HEXFET®
Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds 1700 pF @ 25 V 1740 pF @ 25 V 1360 pF @ 25 V 11560 pF @ 25 V
Rds On (Max) @ Id, Vgs 6.95mOhm @ 33A, 10V 26mOhm @ 4.2A, 10V 56mOhm @ 11A, 10V 3.5mOhm @ 74A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 45 nC @ 10 V 31 nC @ 4.5 V 32 nC @ 10 V 300 nC @ 10 V
Grundproduktnummer AUIRF7732 - AUIRF7675 AUIRF7769
Verlustleistung (max) 2.5W (Ta), 41W (Tc) 2.5W (Ta) 2.7W (Ta), 45W (Tc) 3.3W (Ta), 125W (Tc)
Supplier Device-Gehäuse DIRECTFET™ SC 8-SO DirectFET™ Isometric M2 DirectFET™ Isometric L8
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) 10V 4.5V, 10V 10V 10V
Vgs (Max) ±20V ±20V ±20V ±20V
Typ FET N-Channel N-Channel N-Channel N-Channel
Technologie MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide)
FET-Merkmal - - - -

AUIRF7732S2TR Datenblatt PDF

Laden Sie AUIRF7732S2TR PDF -Datenblätter und Infineon Technologies -Dokumentation für AUIRF7732S2TR - Infineon Technologies herunter.

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