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ZuhauseProdukteDiskrete Halbleiter-ProdukteTransistoren-FETs, MOSFETs-EinzelAUIRF7738L2TR
International Rectifier
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AUIRF7738L2TR - International Rectifier

Hersteller Artikelnummer
AUIRF7738L2TR
Hersteller
Infineon Technologies
Allelco Artikelnummer
32D-AUIRF7738L2TR
ECAD -Modell
Teile Beschreibung
MOSFET N-CH 40V 35A/130A DIRECT
detaillierte Beschreibung
Verpackung
DirectFET™ Isometric L6
Datenblatt
AUIRF7738L2TR.pdf
vorrätig: 5310

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Spezifikation

AUIRF7738L2TR Tech -Spezifikationen
International Rectifier - AUIRF7738L2TR Technische Spezifikationen, Attribute, Parameter und Teile mit ähnlichen Spezifikationen wie International Rectifier - AUIRF7738L2TR

Produkteigenschaften Eigenschaften  
Hersteller Infineon Technologies  
VGS (th) (Max) @ Id 4V @ 250µA  
Vgs (Max) ±20V  
Technologie MOSFET (Metal Oxide)  
Supplier Device-Gehäuse DIRECTFET L6  
Serie HEXFET®  
Rds On (Max) @ Id, Vgs 1.6mOhm @ 109A, 10V  
Verlustleistung (max) 3.3W (Ta), 94W (Tc)  
Verpackung / Gehäuse DirectFET™ Isometric L6  
Paket Bulk  
Produkteigenschaften Eigenschaften  
Betriebstemperatur -55°C ~ 175°C (TJ)  
Befestigungsart Surface Mount  
Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds 7471 pF @ 25 V  
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 194 nC @ 10 V  
Typ FET N-Channel  
FET-Merkmal -  
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) 10V  
Drain-Source-Spannung (Vdss) 40 V  
Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C 35A (Ta), 130A (Tc)  

Bauteile mit ähnlicher Spezifikation

Die rechten drei Teile haben ähnliche Spezifikation wie International Rectifier AUIRF7738L2TR.

Produkteigenschaften AUIRF7738L2TR AUIRF8739L2TR AUIRF7665S2TR AUIRF7484QTR
Artikelnummer AUIRF7738L2TR AUIRF8739L2TR AUIRF7665S2TR AUIRF7484QTR
Hersteller International Rectifier Infineon Technologies International Rectifier International Rectifier
Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C 35A (Ta), 130A (Tc) 57A (Ta), 545A (Tc) 4.1A (Ta), 14.4A (Tc) 14A (Ta)
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 194 nC @ 10 V 562 nC @ 10 V 13 nC @ 10 V 100 nC @ 7 V
Technologie MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide)
VGS (th) (Max) @ Id 4V @ 250µA 3.9V @ 250µA 5V @ 25µA 2V @ 250µA
Drain-Source-Spannung (Vdss) 40 V 40 V 100 V 40 V
Supplier Device-Gehäuse DIRECTFET L6 DirectFET™ Isometric L8 DIRECTFET SB 8-SO
Rds On (Max) @ Id, Vgs 1.6mOhm @ 109A, 10V 0.6mOhm @ 195A, 10V 62mOhm @ 8.9A, 10V 10mOhm @ 14A, 7V
Paket Bulk Tape & Reel (TR) Bulk Bulk
Betriebstemperatur -55°C ~ 175°C (TJ) -55°C ~ 175°C (TJ) -55°C ~ 175°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ)
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) 10V 10V 10V 7V
Verlustleistung (max) 3.3W (Ta), 94W (Tc) 3.8W (Ta), 340W (Tc) 2.4W (Ta), 30W (Tc) 2.5W (Ta)
Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds 7471 pF @ 25 V 17890 pF @ 25 V 515 pF @ 25 V 3520 pF @ 25 V
Vgs (Max) ±20V 40V ±20V ±8V
Typ FET N-Channel N-Channel N-Channel N-Channel
FET-Merkmal - - - -
Verpackung / Gehäuse DirectFET™ Isometric L6 DirectFET™ Isometric L8 DirectFET™ Isometric SB 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Befestigungsart Surface Mount Surface Mount Surface Mount Surface Mount
Serie HEXFET® HEXFET® HEXFET® HEXFET®

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Versandart

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Logistische Zeitreferenz für Gemeinsame Länder
Region Land Logistische Zeit (Tag)
Amerika Vereinigte Staaten 5
Brasilien 7
Europa Deutschland 5
Großbritannien 4
Italien 5
Ozeanien Australien 6
Neuseeland 5
Asien Indien 4
Japan 4
Naher Osten Israel 6
DHL & FedEx -Versandkosten Referenz
Versandkosten (KG) Referenz DHL (USD $)
0.00kg-1.00kg USD$30.00 - USD$60.00
1.00kg-2.00kg USD$40.00 - USD$80.00
2.00kg-3.00kg USD$50.00 - USD$100.00
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