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ZuhauseProdukteDiskrete Halbleiter-ProdukteTransistoren-FETs, MOSFETs-EinzelAUIRF7484QTR
International Rectifier
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AUIRF7484QTR - International Rectifier

Hersteller Artikelnummer
AUIRF7484QTR
Hersteller
Infineon Technologies
Allelco Artikelnummer
32D-AUIRF7484QTR
ECAD -Modell
Teile Beschreibung
AUTOMOTIVE N CHANNEL
detaillierte Beschreibung
Verpackung
8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Datenblatt
AUIRF7484QTR.pdf
vorrätig: 5300

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Anzahl

Spezifikation

AUIRF7484QTR Tech -Spezifikationen
International Rectifier - AUIRF7484QTR Technische Spezifikationen, Attribute, Parameter und Teile mit ähnlichen Spezifikationen wie International Rectifier - AUIRF7484QTR

Produkteigenschaften Eigenschaften  
Hersteller Infineon Technologies  
VGS (th) (Max) @ Id 2V @ 250µA  
Vgs (Max) ±8V  
Technologie MOSFET (Metal Oxide)  
Supplier Device-Gehäuse 8-SO  
Serie HEXFET®  
Rds On (Max) @ Id, Vgs 10mOhm @ 14A, 7V  
Verlustleistung (max) 2.5W (Ta)  
Verpackung / Gehäuse 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)  
Paket Bulk  
Produkteigenschaften Eigenschaften  
Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ)  
Befestigungsart Surface Mount  
Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds 3520 pF @ 25 V  
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 100 nC @ 7 V  
Typ FET N-Channel  
FET-Merkmal -  
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) 7V  
Drain-Source-Spannung (Vdss) 40 V  
Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C 14A (Ta)  

Bauteile mit ähnlicher Spezifikation

Die rechten drei Teile haben ähnliche Spezifikation wie International Rectifier AUIRF7484QTR.

Produkteigenschaften AUIRF7484QTR AUIRF7478QTR AUIRF7738L2TR AUIRF7732S2TR
Artikelnummer AUIRF7484QTR AUIRF7478QTR AUIRF7738L2TR AUIRF7732S2TR
Hersteller International Rectifier Infineon Technologies International Rectifier Infineon Technologies
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 100 nC @ 7 V 31 nC @ 4.5 V 194 nC @ 10 V 45 nC @ 10 V
Rds On (Max) @ Id, Vgs 10mOhm @ 14A, 7V 26mOhm @ 4.2A, 10V 1.6mOhm @ 109A, 10V 6.95mOhm @ 33A, 10V
Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds 3520 pF @ 25 V 1740 pF @ 25 V 7471 pF @ 25 V 1700 pF @ 25 V
Verlustleistung (max) 2.5W (Ta) 2.5W (Ta) 3.3W (Ta), 94W (Tc) 2.5W (Ta), 41W (Tc)
Verpackung / Gehäuse 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) DirectFET™ Isometric L6 DirectFET™ Isometric SC
Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 175°C (TJ) -55°C ~ 175°C (TJ)
Vgs (Max) ±8V ±20V ±20V ±20V
Paket Bulk Tape & Reel (TR) Bulk Tape & Reel (TR)
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) 7V 4.5V, 10V 10V 10V
Drain-Source-Spannung (Vdss) 40 V 60 V 40 V 40 V
FET-Merkmal - - - -
Supplier Device-Gehäuse 8-SO 8-SO DIRECTFET L6 DIRECTFET™ SC
Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C 14A (Ta) 7A (Ta) 35A (Ta), 130A (Tc) 14A (Ta)
Typ FET N-Channel N-Channel N-Channel N-Channel
Befestigungsart Surface Mount Surface Mount Surface Mount Surface Mount
VGS (th) (Max) @ Id 2V @ 250µA 3V @ 250µA 4V @ 250µA 4V @ 50µA
Technologie MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide)
Serie HEXFET® HEXFET® HEXFET® HEXFET®

Lieferung

Lieferzeit

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  2. Verwenden Sie unser Konto für die Sendung.In der folgenden Tabelle finden Sie die ungefähren Gebühren.
(Unterschiedlicher Zeitrahmen / Länder / Paketgröße hat einen unterschiedlichen Preis.)

Versandart

  1. Globale gemeinsame Versand von DHL / UPS / FEDEX / TNT / EMS / SF, die wir unterstützen.
  2. Andere Versandmethoden, bitte setzen Sie sich mit Ihrem Kundenmanager in Verbindung.

Logistische Zeitreferenz für Gemeinsame Länder
Region Land Logistische Zeit (Tag)
Amerika Vereinigte Staaten 5
Brasilien 7
Europa Deutschland 5
Großbritannien 4
Italien 5
Ozeanien Australien 6
Neuseeland 5
Asien Indien 4
Japan 4
Naher Osten Israel 6
DHL & FedEx -Versandkosten Referenz
Versandkosten (KG) Referenz DHL (USD $)
0.00kg-1.00kg USD$30.00 - USD$60.00
1.00kg-2.00kg USD$40.00 - USD$80.00
2.00kg-3.00kg USD$50.00 - USD$100.00
Notiz:
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Als Zahlungsmittel stehen folgende Mitteln zur Wahl: T/T, Banküberweisung, Westunion-Überweisung, Kreditkarte, PayPal.

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