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ZuhauseProdukteDiskrete Halbleiter-ProdukteTransistoren-FETs, MOSFETs-EinzelIPT60R028G7XTMA1
Infineon Technologies
Das Bild steht nur zum Referenz. Für detaillierte Produktinfos bitte die Produktdaten einsehen

IPT60R028G7XTMA1 - Infineon Technologies

Hersteller Artikelnummer
IPT60R028G7XTMA1
Hersteller
Infineon Technologies
Allelco Artikelnummer
32D-IPT60R028G7XTMA1
ECAD -Modell
Teile Beschreibung
MOSFET N-CH 600V 75A 8HSOF
detaillierte Beschreibung
Verpackung
8-PowerSFN
Datenblatt
IPT60R028G7.pdf
IPT60R028G7.pdf
RoHS Status
vorrätig: 2345

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Spezifikation

IPT60R028G7XTMA1 Tech -Spezifikationen
Infineon Technologies - IPT60R028G7XTMA1 Technische Spezifikationen, Attribute, Parameter und Teile mit ähnlichen Spezifikationen wie Infineon Technologies - IPT60R028G7XTMA1

Produkteigenschaften Eigenschaften  
Hersteller Infineon Technologies  
VGS (th) (Max) @ Id 4V @ 1.44mA  
Vgs (Max) ±20V  
Technologie MOSFET (Metal Oxide)  
Supplier Device-Gehäuse PG-HSOF-8-2  
Serie CoolMOS™ G7  
Rds On (Max) @ Id, Vgs 28mOhm @ 28.8A, 10V  
Verlustleistung (max) 391W (Tc)  
Verpackung / Gehäuse 8-PowerSFN  
Paket Tape & Reel (TR)  
Produkteigenschaften Eigenschaften  
Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ)  
Befestigungsart Surface Mount  
Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds 4820 pF @ 400 V  
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 123 nC @ 10 V  
Typ FET N-Channel  
FET-Merkmal -  
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) 10V  
Drain-Source-Spannung (Vdss) 600 V  
Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C 75A (Tc)  
Grundproduktnummer IPT60R028  

Bauteile mit ähnlicher Spezifikation

Die rechten drei Teile haben ähnliche Spezifikation wie Infineon Technologies IPT60R028G7XTMA1.

Produkteigenschaften IPT60R028G7XTMA1 IPT60R055CFD7XTMA1 IPT60R125G7XTMA1 IPT60R035CFD7XTMA1
Artikelnummer IPT60R028G7XTMA1 IPT60R055CFD7XTMA1 IPT60R125G7XTMA1 IPT60R035CFD7XTMA1
Hersteller Infineon Technologies Infineon Technologies Infineon Technologies Infineon Technologies
Typ FET N-Channel N-Channel N-Channel N-Channel
Serie CoolMOS™ G7 CoolMOS™ CFD7 CoolMOS™ G7 CoolMOS™ CFD7
Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C 75A (Tc) 44A (Tc) 20A (Tc) 67A (Tc)
Drain-Source-Spannung (Vdss) 600 V 600 V 600 V 600 V
VGS (th) (Max) @ Id 4V @ 1.44mA 4.5V @ 760µA 4V @ 320µA 4.5V @ 1.25mA
Paket Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR)
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 123 nC @ 10 V 67 nC @ 10 V 27 nC @ 10 V 109 nC @ 10 V
Supplier Device-Gehäuse PG-HSOF-8-2 PG-HSOF-8-1 PG-HSOF-8-2 PG-HSOF-8-1
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) 10V 10V 10V 10V
Verpackung / Gehäuse 8-PowerSFN 8-PowerSFN 8-PowerSFN 8-PowerSFN
FET-Merkmal - - - -
Verlustleistung (max) 391W (Tc) 236W (Tc) 120W (Tc) 351W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs 28mOhm @ 28.8A, 10V 55mOhm @ 15.1A, 10V 125mOhm @ 6.4A, 10V 35mOhm @ 24.9A, 10V
Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ)
Befestigungsart Surface Mount Surface Mount Surface Mount Surface Mount
Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds 4820 pF @ 400 V 2721 pF @ 400 V 1080 pF @ 400 V 4354 pF @ 400 V
Grundproduktnummer IPT60R028 IPT60R055 IPT60R125 IPT60R035
Technologie MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide)
Vgs (Max) ±20V ±20V ±20V ±20V

IPT60R028G7XTMA1 Datenblatt PDF

Laden Sie IPT60R028G7XTMA1 PDF -Datenblätter und Infineon Technologies -Dokumentation für IPT60R028G7XTMA1 - Infineon Technologies herunter.

PCN -Verpackung
Mult Dev Pkg Box Chg 3/Jan/2018.pdf
Datenblätter
IPT60R028G7.pdf
PCN -Design/Spezifikation
CoolIMOS DS Chg 11/Dec/2020.pdf
HTML -Datenblatt
IPT60R028G7.pdf

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Region Land Logistische Zeit (Tag)
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Europa Deutschland 5
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Neuseeland 5
Asien Indien 4
Japan 4
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0.00kg-1.00kg USD$30.00 - USD$60.00
1.00kg-2.00kg USD$40.00 - USD$80.00
2.00kg-3.00kg USD$50.00 - USD$100.00
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