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ZuhauseProdukteDiskrete Halbleiter-ProdukteTransistoren-FETs, MOSFETs-EinzelIPT60R045CFD7XTMA1
Infineon Technologies
Das Bild steht nur zum Referenz. Für detaillierte Produktinfos bitte die Produktdaten einsehen

IPT60R045CFD7XTMA1 - Infineon Technologies

Hersteller Artikelnummer
IPT60R045CFD7XTMA1
Hersteller
Infineon Technologies
Allelco Artikelnummer
32D-IPT60R045CFD7XTMA1
ECAD -Modell
Teile Beschreibung
MOSFET N-CH 600V 52A 8HSOF
detaillierte Beschreibung
Verpackung
8-PowerSFN
Datenblatt
IPT60R045CFD7XTMA1.pdf
RoHS Status
vorrätig: 4675

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Anzahl

Spezifikation

IPT60R045CFD7XTMA1 Tech -Spezifikationen
Infineon Technologies - IPT60R045CFD7XTMA1 Technische Spezifikationen, Attribute, Parameter und Teile mit ähnlichen Spezifikationen wie Infineon Technologies - IPT60R045CFD7XTMA1

Produkteigenschaften Eigenschaften  
Hersteller Infineon Technologies  
VGS (th) (Max) @ Id 4.5V @ 900µA  
Vgs (Max) ±20V  
Technologie MOSFET (Metal Oxide)  
Supplier Device-Gehäuse PG-HSOF-8-1  
Serie CoolMOS™ CFD7  
Rds On (Max) @ Id, Vgs 45mOhm @ 18A, 10V  
Verlustleistung (max) 270W (Tc)  
Verpackung / Gehäuse 8-PowerSFN  
Paket Tape & Reel (TR)  
Produkteigenschaften Eigenschaften  
Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ)  
Befestigungsart Surface Mount  
Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds 3194 pF @ 400 V  
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 79 nC @ 10 V  
Typ FET N-Channel  
FET-Merkmal -  
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) 10V  
Drain-Source-Spannung (Vdss) 600 V  
Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C 52A (Tc)  
Grundproduktnummer IPT60R045  

Bauteile mit ähnlicher Spezifikation

Die rechten drei Teile haben ähnliche Spezifikation wie Infineon Technologies IPT60R045CFD7XTMA1.

Produkteigenschaften IPT60R045CFD7XTMA1 IPT60R125G7XTMA1 IPT60R150G7XTMA1 IPT60R055CFD7XTMA1
Artikelnummer IPT60R045CFD7XTMA1 IPT60R125G7XTMA1 IPT60R150G7XTMA1 IPT60R055CFD7XTMA1
Hersteller Infineon Technologies Infineon Technologies Infineon Technologies Infineon Technologies
Typ FET N-Channel N-Channel N-Channel N-Channel
Technologie MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide)
Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C 52A (Tc) 20A (Tc) 17A (Tc) 44A (Tc)
Paket Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR)
VGS (th) (Max) @ Id 4.5V @ 900µA 4V @ 320µA 4V @ 260µA 4.5V @ 760µA
Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ)
Rds On (Max) @ Id, Vgs 45mOhm @ 18A, 10V 125mOhm @ 6.4A, 10V 150mOhm @ 5.3A, 10V 55mOhm @ 15.1A, 10V
Verpackung / Gehäuse 8-PowerSFN 8-PowerSFN 8-PowerSFN 8-PowerSFN
Vgs (Max) ±20V ±20V ±20V ±20V
Verlustleistung (max) 270W (Tc) 120W (Tc) 106W (Tc) 236W (Tc)
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 79 nC @ 10 V 27 nC @ 10 V 23 nC @ 10 V 67 nC @ 10 V
FET-Merkmal - - - -
Befestigungsart Surface Mount Surface Mount Surface Mount Surface Mount
Drain-Source-Spannung (Vdss) 600 V 600 V 600 V 600 V
Supplier Device-Gehäuse PG-HSOF-8-1 PG-HSOF-8-2 PG-HSOF-8-2 PG-HSOF-8-1
Serie CoolMOS™ CFD7 CoolMOS™ G7 CoolMOS™ G7 CoolMOS™ CFD7
Grundproduktnummer IPT60R045 IPT60R125 IPT60R150 IPT60R055
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) 10V 10V 10V 10V
Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds 3194 pF @ 400 V 1080 pF @ 400 V 902 pF @ 400 V 2721 pF @ 400 V

IPT60R045CFD7XTMA1 Datenblatt PDF

Laden Sie IPT60R045CFD7XTMA1 PDF -Datenblätter und Infineon Technologies -Dokumentation für IPT60R045CFD7XTMA1 - Infineon Technologies herunter.

PCN -Design/Spezifikation
CoolIMOS DS Chg 11/Dec/2020.pdf

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Logistische Zeitreferenz für Gemeinsame Länder
Region Land Logistische Zeit (Tag)
Amerika Vereinigte Staaten 5
Brasilien 7
Europa Deutschland 5
Großbritannien 4
Italien 5
Ozeanien Australien 6
Neuseeland 5
Asien Indien 4
Japan 4
Naher Osten Israel 6
DHL & FedEx -Versandkosten Referenz
Versandkosten (KG) Referenz DHL (USD $)
0.00kg-1.00kg USD$30.00 - USD$60.00
1.00kg-2.00kg USD$40.00 - USD$80.00
2.00kg-3.00kg USD$50.00 - USD$100.00
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