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ZuhauseProdukteDiskrete Halbleiter-ProdukteTransistoren-FETs, MOSFETs-EinzelIPT60R035CFD7XTMA1
Infineon Technologies
Das Bild steht nur zum Referenz. Für detaillierte Produktinfos bitte die Produktdaten einsehen

IPT60R035CFD7XTMA1 - Infineon Technologies

Hersteller Artikelnummer
IPT60R035CFD7XTMA1
Hersteller
Infineon Technologies
Allelco Artikelnummer
32D-IPT60R035CFD7XTMA1
ECAD -Modell
Teile Beschreibung
MOSFET N-CH 600V 67A 8HSOF
detaillierte Beschreibung
Verpackung
8-PowerSFN
Datenblatt
IPT60R035CFD7XTMA1.pdf
RoHS Status
vorrätig: 3585

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Anzahl

Spezifikation

IPT60R035CFD7XTMA1 Tech -Spezifikationen
Infineon Technologies - IPT60R035CFD7XTMA1 Technische Spezifikationen, Attribute, Parameter und Teile mit ähnlichen Spezifikationen wie Infineon Technologies - IPT60R035CFD7XTMA1

Produkteigenschaften Eigenschaften  
Hersteller Infineon Technologies  
VGS (th) (Max) @ Id 4.5V @ 1.25mA  
Vgs (Max) ±20V  
Technologie MOSFET (Metal Oxide)  
Supplier Device-Gehäuse PG-HSOF-8-1  
Serie CoolMOS™ CFD7  
Rds On (Max) @ Id, Vgs 35mOhm @ 24.9A, 10V  
Verlustleistung (max) 351W (Tc)  
Verpackung / Gehäuse 8-PowerSFN  
Paket Tape & Reel (TR)  
Produkteigenschaften Eigenschaften  
Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ)  
Befestigungsart Surface Mount  
Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds 4354 pF @ 400 V  
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 109 nC @ 10 V  
Typ FET N-Channel  
FET-Merkmal -  
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) 10V  
Drain-Source-Spannung (Vdss) 600 V  
Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C 67A (Tc)  
Grundproduktnummer IPT60R035  

Bauteile mit ähnlicher Spezifikation

Die rechten drei Teile haben ähnliche Spezifikation wie Infineon Technologies IPT60R035CFD7XTMA1.

Produkteigenschaften IPT60R035CFD7XTMA1 IPT60R028G7XTMA1 IPT60R125G7XTMA1 IPT60R055CFD7XTMA1
Artikelnummer IPT60R035CFD7XTMA1 IPT60R028G7XTMA1 IPT60R125G7XTMA1 IPT60R055CFD7XTMA1
Hersteller Infineon Technologies Infineon Technologies Infineon Technologies Infineon Technologies
Typ FET N-Channel N-Channel N-Channel N-Channel
Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds 4354 pF @ 400 V 4820 pF @ 400 V 1080 pF @ 400 V 2721 pF @ 400 V
FET-Merkmal - - - -
Serie CoolMOS™ CFD7 CoolMOS™ G7 CoolMOS™ G7 CoolMOS™ CFD7
Paket Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR)
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) 10V 10V 10V 10V
Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C 67A (Tc) 75A (Tc) 20A (Tc) 44A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs 35mOhm @ 24.9A, 10V 28mOhm @ 28.8A, 10V 125mOhm @ 6.4A, 10V 55mOhm @ 15.1A, 10V
Befestigungsart Surface Mount Surface Mount Surface Mount Surface Mount
Technologie MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide)
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 109 nC @ 10 V 123 nC @ 10 V 27 nC @ 10 V 67 nC @ 10 V
Verlustleistung (max) 351W (Tc) 391W (Tc) 120W (Tc) 236W (Tc)
Vgs (Max) ±20V ±20V ±20V ±20V
Grundproduktnummer IPT60R035 IPT60R028 IPT60R125 IPT60R055
Drain-Source-Spannung (Vdss) 600 V 600 V 600 V 600 V
VGS (th) (Max) @ Id 4.5V @ 1.25mA 4V @ 1.44mA 4V @ 320µA 4.5V @ 760µA
Verpackung / Gehäuse 8-PowerSFN 8-PowerSFN 8-PowerSFN 8-PowerSFN
Supplier Device-Gehäuse PG-HSOF-8-1 PG-HSOF-8-2 PG-HSOF-8-2 PG-HSOF-8-1
Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ)

IPT60R035CFD7XTMA1 Datenblatt PDF

Laden Sie IPT60R035CFD7XTMA1 PDF -Datenblätter und Infineon Technologies -Dokumentation für IPT60R035CFD7XTMA1 - Infineon Technologies herunter.

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Region Land Logistische Zeit (Tag)
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0.00kg-1.00kg USD$30.00 - USD$60.00
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