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ZuhauseProdukteDiskrete Halbleiter-ProdukteTransistoren-FETs, MOSFETs-EinzelIPT60R050G7XTMA1
Infineon Technologies
Das Bild steht nur zum Referenz. Für detaillierte Produktinfos bitte die Produktdaten einsehen

IPT60R050G7XTMA1 - Infineon Technologies

Hersteller Artikelnummer
IPT60R050G7XTMA1
Hersteller
Infineon Technologies
Allelco Artikelnummer
32D-IPT60R050G7XTMA1
ECAD -Modell
Teile Beschreibung
MOSFET N-CH 600V 44A 8HSOF
detaillierte Beschreibung
Verpackung
8-PowerSFN
Datenblatt
IPT60R050G7XTMA1.pdf
RoHS Status
vorrätig: 3833

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Anzahl

Spezifikation

IPT60R050G7XTMA1 Tech -Spezifikationen
Infineon Technologies - IPT60R050G7XTMA1 Technische Spezifikationen, Attribute, Parameter und Teile mit ähnlichen Spezifikationen wie Infineon Technologies - IPT60R050G7XTMA1

Produkteigenschaften Eigenschaften  
Hersteller Infineon Technologies  
VGS (th) (Max) @ Id 4V @ 800µA  
Vgs (Max) ±20V  
Technologie MOSFET (Metal Oxide)  
Supplier Device-Gehäuse PG-HSOF-8-2  
Serie CoolMOS™ G7  
Rds On (Max) @ Id, Vgs 50mOhm @ 15.9A, 10V  
Verlustleistung (max) 245W (Tc)  
Verpackung / Gehäuse 8-PowerSFN  
Paket Tape & Reel (TR)  
Produkteigenschaften Eigenschaften  
Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ)  
Befestigungsart Surface Mount  
Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds 2670 pF @ 400 V  
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 68 nC @ 10 V  
Typ FET N-Channel  
FET-Merkmal -  
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) 10V  
Drain-Source-Spannung (Vdss) 600 V  
Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C 44A (Tc)  
Grundproduktnummer IPT60R050  

Bauteile mit ähnlicher Spezifikation

Die rechten drei Teile haben ähnliche Spezifikation wie Infineon Technologies IPT60R050G7XTMA1.

Produkteigenschaften IPT60R050G7XTMA1 IPT60R125G7XTMA1 IPT60R035CFD7XTMA1 IPT60R055CFD7XTMA1
Artikelnummer IPT60R050G7XTMA1 IPT60R125G7XTMA1 IPT60R035CFD7XTMA1 IPT60R055CFD7XTMA1
Hersteller Infineon Technologies Infineon Technologies Infineon Technologies Infineon Technologies
Befestigungsart Surface Mount Surface Mount Surface Mount Surface Mount
Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds 2670 pF @ 400 V 1080 pF @ 400 V 4354 pF @ 400 V 2721 pF @ 400 V
Serie CoolMOS™ G7 CoolMOS™ G7 CoolMOS™ CFD7 CoolMOS™ CFD7
VGS (th) (Max) @ Id 4V @ 800µA 4V @ 320µA 4.5V @ 1.25mA 4.5V @ 760µA
Supplier Device-Gehäuse PG-HSOF-8-2 PG-HSOF-8-2 PG-HSOF-8-1 PG-HSOF-8-1
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) 10V 10V 10V 10V
Verpackung / Gehäuse 8-PowerSFN 8-PowerSFN 8-PowerSFN 8-PowerSFN
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 68 nC @ 10 V 27 nC @ 10 V 109 nC @ 10 V 67 nC @ 10 V
Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C 44A (Tc) 20A (Tc) 67A (Tc) 44A (Tc)
FET-Merkmal - - - -
Verlustleistung (max) 245W (Tc) 120W (Tc) 351W (Tc) 236W (Tc)
Technologie MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide)
Paket Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR)
Drain-Source-Spannung (Vdss) 600 V 600 V 600 V 600 V
Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ)
Vgs (Max) ±20V ±20V ±20V ±20V
Grundproduktnummer IPT60R050 IPT60R125 IPT60R035 IPT60R055
Typ FET N-Channel N-Channel N-Channel N-Channel
Rds On (Max) @ Id, Vgs 50mOhm @ 15.9A, 10V 125mOhm @ 6.4A, 10V 35mOhm @ 24.9A, 10V 55mOhm @ 15.1A, 10V

IPT60R050G7XTMA1 Datenblatt PDF

Laden Sie IPT60R050G7XTMA1 PDF -Datenblätter und Infineon Technologies -Dokumentation für IPT60R050G7XTMA1 - Infineon Technologies herunter.

PCN -Verpackung
Mult Dev Pkg Box Chg 3/Jan/2018.pdf
PCN -Design/Spezifikation
CoolIMOS DS Chg 11/Dec/2020.pdf

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Logistische Zeitreferenz für Gemeinsame Länder
Region Land Logistische Zeit (Tag)
Amerika Vereinigte Staaten 5
Brasilien 7
Europa Deutschland 5
Großbritannien 4
Italien 5
Ozeanien Australien 6
Neuseeland 5
Asien Indien 4
Japan 4
Naher Osten Israel 6
DHL & FedEx -Versandkosten Referenz
Versandkosten (KG) Referenz DHL (USD $)
0.00kg-1.00kg USD$30.00 - USD$60.00
1.00kg-2.00kg USD$40.00 - USD$80.00
2.00kg-3.00kg USD$50.00 - USD$100.00
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