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ZuhauseProdukteIntegrierte schaltkreise (ICS)PMIC-Gate-TreiberIR2111
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IR2111 - Infineon Technologies

Hersteller Artikelnummer
IR2111
Hersteller
Infineon Technologies
Allelco Artikelnummer
32D-IR2111
ECAD -Modell
Teile Beschreibung
IC GATE DRVR HALF-BRIDGE 8DIP
Verpackung
8-DIP (0.300", 7.62mm)
Datenblatt
IR2111(S).pdf
Unsere Zertifizierung
vorrätig: 17190

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Spezifikation

IR2111 Tech -Spezifikationen
Infineon Technologies - IR2111 Technische Spezifikationen, Attribute, Parameter und Teile mit ähnlichen Spezifikationen wie Infineon Technologies - IR2111

Produkteigenschaften Eigenschaften  
Hersteller Infineon Technologies  
Spannungsversorgung 10V ~ 20V  
Supplier Device-Gehäuse 8-PDIP  
Serie -  
Aufstieg / Fallzeit (Typ) 80ns, 40ns  
Verpackung / Gehäuse 8-DIP (0.300", 7.62mm)  
Paket Tube  
Betriebstemperatur -40°C ~ 150°C (TJ)  
Anzahl der Treiber 2  
Produkteigenschaften Eigenschaften  
Befestigungsart Through Hole  
Logikspannung - VIL, VIH 8.3V, 12.6V  
Eingabetyp Non-Inverting  
High-Side-Spannung - Max (Bootstrap) 600 V  
Gate-Typ IGBT, N-Channel MOSFET  
Angetriebene Konfiguration Half-Bridge  
Strom - Spitzenleistung (Quelle, Sink) 250mA, 500mA  
Ladestrom Synchronous  
Grundproduktnummer IR2111  

Umwelt- und Exportklassifikationen

ATTRIBUT BESCHREIBUNG
RoHS Status RoHS nicht konform
Feuchtigkeitsempfindlichkeit (MSL) 1 (Unlimited)
Status erreichen REACH Unaffected
ECCN EAR99
HTSUS 8542.39.0001

Bauteile mit ähnlicher Spezifikation

Die rechten drei Teile haben ähnliche Spezifikation wie Infineon Technologies IR2111.

Produkteigenschaften IR2111 IR2111STR IR2110SPBF IR2110STR
Artikelnummer IR2111 IR2111STR IR2110SPBF IR2110STR
Hersteller Infineon Technologies Infineon Technologies Infineon Technologies Infineon Technologies
Betriebstemperatur -40°C ~ 150°C (TJ) -40°C ~ 150°C (TJ) -40°C ~ 150°C (TJ) -40°C ~ 150°C (TJ)
Strom - Spitzenleistung (Quelle, Sink) 250mA, 500mA 250mA, 500mA 2A, 2A 2A, 2A
Logikspannung - VIL, VIH 8.3V, 12.6V 8.3V, 12.6V 6V, 9.5V 6V, 9.5V
Eingabetyp Non-Inverting Non-Inverting Non-Inverting Non-Inverting
Ladestrom Synchronous Synchronous Independent Independent
Spannungsversorgung 10V ~ 20V 10V ~ 20V 3.3V ~ 20V 3.3V ~ 20V
Befestigungsart Through Hole Surface Mount Surface Mount Surface Mount
Angetriebene Konfiguration Half-Bridge Half-Bridge Half-Bridge Half-Bridge
Aufstieg / Fallzeit (Typ) 80ns, 40ns 80ns, 40ns 25ns, 17ns 25ns, 17ns
Paket Tube Tape & Reel (TR) Tube Tape & Reel (TR)
Supplier Device-Gehäuse 8-PDIP 8-SOIC 16-SOIC 16-SOIC
Verpackung / Gehäuse 8-DIP (0.300", 7.62mm) 8-SOIC (0.154', 3.90mm Width) 16-SOIC (0.295', 7.50mm Width) 16-SOIC (0.295", 7.50mm Width)
Serie - - - -
Anzahl der Treiber 2 2 2 2
High-Side-Spannung - Max (Bootstrap) 600 V 600 V 500 V 500 V
Gate-Typ IGBT, N-Channel MOSFET IGBT, N-Channel MOSFET IGBT, N-Channel MOSFET IGBT, N-Channel MOSFET
Grundproduktnummer IR2111 IR2111 IR2110 IR2110

IR2111 Datenblatt PDF

Laden Sie IR2111 PDF -Datenblätter und Infineon Technologies -Dokumentation für IR2111 - Infineon Technologies herunter.

Andere verwandte Dokumente
Part Number Guide.pdf
Datenblätter
IR2111(S).pdf

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Logistische Zeitreferenz für Gemeinsame Länder
Region Land Logistische Zeit (Tag)
Amerika Vereinigte Staaten 5
Brasilien 7
Europa Deutschland 5
Großbritannien 4
Italien 5
Ozeanien Australien 6
Neuseeland 5
Asien Indien 4
Japan 4
Naher Osten Israel 6
DHL & FedEx -Versandkosten Referenz
Versandkosten (KG) Referenz DHL (USD $)
0.00kg-1.00kg USD$30.00 - USD$60.00
1.00kg-2.00kg USD$40.00 - USD$80.00
2.00kg-3.00kg USD$50.00 - USD$100.00
Notiz:
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Als Zahlungsmittel stehen folgende Mitteln zur Wahl: T/T, Banküberweisung, Westunion-Überweisung, Kreditkarte, PayPal.

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  1. Telefon
    +00852 9146 4856

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