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ZuhauseProdukteIntegrierte schaltkreise (ICS)PMIC-Gate-TreiberIR2110S
IR2110S Image
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IR2110S - Infineon Technologies

Hersteller Artikelnummer
IR2110S
Hersteller
Infineon Technologies
Allelco Artikelnummer
32D-IR2110S
ECAD -Modell
Teile Beschreibung
IC GATE DRVR HALF-BRIDGE 16SOIC
detaillierte Beschreibung
Verpackung
16-SOIC (0.295", 7.50mm Width)
Datenblatt
IR2110(-1-2)(S)PbF/IR2113(-1-2)(S)PbF.pdf
vorrätig: 12460

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Spezifikation

IR2110S Tech -Spezifikationen
Infineon Technologies - IR2110S Technische Spezifikationen, Attribute, Parameter und Teile mit ähnlichen Spezifikationen wie Infineon Technologies - IR2110S

Produkteigenschaften Eigenschaften  
Hersteller Infineon Technologies  
Spannungsversorgung 3.3V ~ 20V  
Supplier Device-Gehäuse 16-SOIC  
Serie -  
Aufstieg / Fallzeit (Typ) 25ns, 17ns  
Verpackung / Gehäuse 16-SOIC (0.295", 7.50mm Width)  
Paket Tube  
Betriebstemperatur -40°C ~ 150°C (TJ)  
Anzahl der Treiber 2  
Produkteigenschaften Eigenschaften  
Befestigungsart Surface Mount  
Logikspannung - VIL, VIH 6V, 9.5V  
Eingabetyp Non-Inverting  
High-Side-Spannung - Max (Bootstrap) 500 V  
Gate-Typ IGBT, N-Channel MOSFET  
Angetriebene Konfiguration Half-Bridge  
Strom - Spitzenleistung (Quelle, Sink) 2A, 2A  
Ladestrom Independent  
Grundproduktnummer IR2110  

Bauteile mit ähnlicher Spezifikation

Die rechten drei Teile haben ähnliche Spezifikation wie Infineon Technologies IR2110S.

Produkteigenschaften IR2110S IR2111PBF IR2109STRPBF IR2111STRPBF
Artikelnummer IR2110S IR2111PBF IR2109STRPBF IR2111STRPBF
Hersteller Infineon Technologies Infineon Technologies Infineon Technologies Infineon Technologies
Paket Tube Tube Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR)
Anzahl der Treiber 2 2 2 2
Spannungsversorgung 3.3V ~ 20V 10V ~ 20V 10V ~ 20V 10V ~ 20V
Angetriebene Konfiguration Half-Bridge Half-Bridge Half-Bridge Half-Bridge
Strom - Spitzenleistung (Quelle, Sink) 2A, 2A 250mA, 500mA 200mA, 350mA 250mA, 500mA
High-Side-Spannung - Max (Bootstrap) 500 V 600 V 600 V 600 V
Betriebstemperatur -40°C ~ 150°C (TJ) -40°C ~ 150°C (TJ) -40°C ~ 150°C (TJ) -40°C ~ 150°C (TJ)
Eingabetyp Non-Inverting Non-Inverting Non-Inverting Non-Inverting
Serie - - - -
Ladestrom Independent Synchronous Synchronous Synchronous
Aufstieg / Fallzeit (Typ) 25ns, 17ns 80ns, 40ns 150ns, 50ns 80ns, 40ns
Logikspannung - VIL, VIH 6V, 9.5V 8.3V, 12.6V 0.8V, 2.9V 8.3V, 12.6V
Verpackung / Gehäuse 16-SOIC (0.295", 7.50mm Width) 8-DIP (0.300", 7.62mm) 8-SOIC (0.154', 3.90mm Width) 8-SOIC (0.154', 3.90mm Width)
Befestigungsart Surface Mount Through Hole Surface Mount Surface Mount
Grundproduktnummer IR2110 IR2111 IR2109 IR2111
Supplier Device-Gehäuse 16-SOIC 8-PDIP 8-SOIC 8-SOIC
Gate-Typ IGBT, N-Channel MOSFET IGBT, N-Channel MOSFET IGBT, N-Channel MOSFET IGBT, N-Channel MOSFET

IR2110S Datenblatt PDF

Laden Sie IR2110S PDF -Datenblätter und Infineon Technologies -Dokumentation für IR2110S - Infineon Technologies herunter.

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Logistische Zeitreferenz für Gemeinsame Länder
Region Land Logistische Zeit (Tag)
Amerika Vereinigte Staaten 5
Brasilien 7
Europa Deutschland 5
Großbritannien 4
Italien 5
Ozeanien Australien 6
Neuseeland 5
Asien Indien 4
Japan 4
Naher Osten Israel 6
DHL & FedEx -Versandkosten Referenz
Versandkosten (KG) Referenz DHL (USD $)
0.00kg-1.00kg USD$30.00 - USD$60.00
1.00kg-2.00kg USD$40.00 - USD$80.00
2.00kg-3.00kg USD$50.00 - USD$100.00
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