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ZuhauseProdukteIntegrierte schaltkreise (ICS)PMIC-Gate-TreiberIR2110STRPBF
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IR2110STRPBF - Infineon Technologies

Hersteller Artikelnummer
IR2110STRPBF
Hersteller
Infineon Technologies
Allelco Artikelnummer
32D-IR2110STRPBF
ECAD -Modell
Teile Beschreibung
IC GATE DRVR HALF-BRIDGE 16SOIC
Verpackung
16-SOIC (0.295', 7.50mm Width)
Datenblatt
Cylindrical Battery Holders.pdf
RoHS Status
Unsere Zertifizierung
vorrätig: 18279

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Anzahl
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Spezifikation

IR2110STRPBF Tech -Spezifikationen
Infineon Technologies - IR2110STRPBF Technische Spezifikationen, Attribute, Parameter und Teile mit ähnlichen Spezifikationen wie Infineon Technologies - IR2110STRPBF

Produkteigenschaften Eigenschaften  
Hersteller Infineon Technologies  
Spannungsversorgung 3.3V ~ 20V  
Supplier Device-Gehäuse 16-SOIC  
Serie -  
Aufstieg / Fallzeit (Typ) 25ns, 17ns  
Verpackung / Gehäuse 16-SOIC (0.295', 7.50mm Width)  
Paket Tape & Reel (TR)  
Betriebstemperatur -40°C ~ 150°C (TJ)  
Anzahl der Treiber 2  
Produkteigenschaften Eigenschaften  
Befestigungsart Surface Mount  
Logikspannung - VIL, VIH 6V, 9.5V  
Eingabetyp Non-Inverting  
High-Side-Spannung - Max (Bootstrap) 500 V  
Gate-Typ IGBT, N-Channel MOSFET  
Angetriebene Konfiguration Half-Bridge  
Strom - Spitzenleistung (Quelle, Sink) 2A, 2A  
Ladestrom Independent  
Grundproduktnummer IR2110  

Umwelt- und Exportklassifikationen

ATTRIBUT BESCHREIBUNG
RoHS Status
Feuchtigkeitsempfindlichkeit (MSL) 3 (168 Hours)
Status erreichen REACH Unaffected
ECCN EAR99
HTSUS 8542.39.0001

Bauteile mit ähnlicher Spezifikation

Die rechten drei Teile haben ähnliche Spezifikation wie Infineon Technologies IR2110STRPBF.

Produkteigenschaften IR2110STRPBF IR2112 IR2111S IR2111SPBF
Artikelnummer IR2110STRPBF IR2112 IR2111S IR2111SPBF
Hersteller Infineon Technologies Infineon Technologies Infineon Technologies Infineon Technologies
Strom - Spitzenleistung (Quelle, Sink) 2A, 2A 250mA, 500mA 250mA, 500mA 250mA, 500mA
Serie - - - -
Eingabetyp Non-Inverting Non-Inverting Non-Inverting Non-Inverting
Angetriebene Konfiguration Half-Bridge High-Side or Low-Side Half-Bridge Half-Bridge
Supplier Device-Gehäuse 16-SOIC 14-DIP 8-SOIC 8-SOIC
Logikspannung - VIL, VIH 6V, 9.5V 6V, 9.5V 8.3V, 12.6V 8.3V, 12.6V
Spannungsversorgung 3.3V ~ 20V 10V ~ 20V 10V ~ 20V 10V ~ 20V
Betriebstemperatur -40°C ~ 150°C (TJ) -40°C ~ 150°C (TJ) -40°C ~ 150°C (TJ) -40°C ~ 150°C (TJ)
Ladestrom Independent Independent Synchronous Synchronous
Befestigungsart Surface Mount Through Hole Surface Mount Surface Mount
Aufstieg / Fallzeit (Typ) 25ns, 17ns 80ns, 40ns 80ns, 40ns 80ns, 40ns
Paket Tape & Reel (TR) Tube Tube Tube
Grundproduktnummer IR2110 IR2112 IR2111 IR2111
Anzahl der Treiber 2 2 2 2
Verpackung / Gehäuse 16-SOIC (0.295', 7.50mm Width) 14-DIP (0.300', 7.62mm) 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) 8-SOIC (0.154', 3.90mm Width)
High-Side-Spannung - Max (Bootstrap) 500 V 600 V 600 V 600 V
Gate-Typ IGBT, N-Channel MOSFET IGBT, N-Channel MOSFET IGBT, N-Channel MOSFET IGBT, N-Channel MOSFET

IR2110STRPBF Datenblatt PDF

Laden Sie IR2110STRPBF PDF -Datenblätter und Infineon Technologies -Dokumentation für IR2110STRPBF - Infineon Technologies herunter.

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Part Number Guide.pdf
Datenblätter
Cylindrical Battery Holders.pdf

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Logistische Zeitreferenz für Gemeinsame Länder
Region Land Logistische Zeit (Tag)
Amerika Vereinigte Staaten 5
Brasilien 7
Europa Deutschland 5
Großbritannien 4
Italien 5
Ozeanien Australien 6
Neuseeland 5
Asien Indien 4
Japan 4
Naher Osten Israel 6
DHL & FedEx -Versandkosten Referenz
Versandkosten (KG) Referenz DHL (USD $)
0.00kg-1.00kg USD$30.00 - USD$60.00
1.00kg-2.00kg USD$40.00 - USD$80.00
2.00kg-3.00kg USD$50.00 - USD$100.00
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