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IR2110SPBF - Infineon Technologies

Hersteller Artikelnummer
IR2110SPBF
Hersteller
Infineon Technologies
Allelco Artikelnummer
32D-IR2110SPBF
ECAD -Modell
Teile Beschreibung
IC GATE DRVR HALF-BRIDGE 16SOIC
detaillierte Beschreibung
Verpackung
16-SOIC (0.295', 7.50mm Width)
Datenblatt
Cylindrical Battery Holders.pdf
RoHS Status
vorrätig: 21094

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Anzahl

Spezifikation

IR2110SPBF Tech -Spezifikationen
Infineon Technologies - IR2110SPBF Technische Spezifikationen, Attribute, Parameter und Teile mit ähnlichen Spezifikationen wie Infineon Technologies - IR2110SPBF

Produkteigenschaften Eigenschaften  
Hersteller Infineon Technologies  
Spannungsversorgung 3.3V ~ 20V  
Supplier Device-Gehäuse 16-SOIC  
Serie -  
Aufstieg / Fallzeit (Typ) 25ns, 17ns  
Verpackung / Gehäuse 16-SOIC (0.295', 7.50mm Width)  
Paket Tube  
Betriebstemperatur -40°C ~ 150°C (TJ)  
Anzahl der Treiber 2  
Produkteigenschaften Eigenschaften  
Befestigungsart Surface Mount  
Logikspannung - VIL, VIH 6V, 9.5V  
Eingabetyp Non-Inverting  
High-Side-Spannung - Max (Bootstrap) 500 V  
Gate-Typ IGBT, N-Channel MOSFET  
Angetriebene Konfiguration Half-Bridge  
Strom - Spitzenleistung (Quelle, Sink) 2A, 2A  
Ladestrom Independent  
Grundproduktnummer IR2110  

Bauteile mit ähnlicher Spezifikation

Die rechten drei Teile haben ähnliche Spezifikation wie Infineon Technologies IR2110SPBF.

Produkteigenschaften IR2110SPBF IR2110 IR2110STRPBF IR2111STRPBF
Artikelnummer IR2110SPBF IR2110 IR2110STRPBF IR2111STRPBF
Hersteller Infineon Technologies Infineon Technologies Infineon Technologies Infineon Technologies
Grundproduktnummer IR2110 IR2110 IR2110 IR2111
Verpackung / Gehäuse 16-SOIC (0.295', 7.50mm Width) 14-DIP (0.300', 7.62mm) 16-SOIC (0.295', 7.50mm Width) 8-SOIC (0.154', 3.90mm Width)
Spannungsversorgung 3.3V ~ 20V 3.3V ~ 20V 3.3V ~ 20V 10V ~ 20V
Aufstieg / Fallzeit (Typ) 25ns, 17ns 25ns, 17ns 25ns, 17ns 80ns, 40ns
Eingabetyp Non-Inverting Non-Inverting Non-Inverting Non-Inverting
Strom - Spitzenleistung (Quelle, Sink) 2A, 2A 2A, 2A 2A, 2A 250mA, 500mA
Befestigungsart Surface Mount Through Hole Surface Mount Surface Mount
Angetriebene Konfiguration Half-Bridge Half-Bridge Half-Bridge Half-Bridge
Betriebstemperatur -40°C ~ 150°C (TJ) -40°C ~ 150°C (TJ) -40°C ~ 150°C (TJ) -40°C ~ 150°C (TJ)
Logikspannung - VIL, VIH 6V, 9.5V 6V, 9.5V 6V, 9.5V 8.3V, 12.6V
High-Side-Spannung - Max (Bootstrap) 500 V 500 V 500 V 600 V
Serie - - - -
Ladestrom Independent Independent Independent Synchronous
Supplier Device-Gehäuse 16-SOIC 14-DIP 16-SOIC 8-SOIC
Paket Tube Tube Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR)
Anzahl der Treiber 2 2 2 2
Gate-Typ IGBT, N-Channel MOSFET IGBT, N-Channel MOSFET IGBT, N-Channel MOSFET IGBT, N-Channel MOSFET

IR2110SPBF Datenblatt PDF

Laden Sie IR2110SPBF PDF -Datenblätter und Infineon Technologies -Dokumentation für IR2110SPBF - Infineon Technologies herunter.

Andere verwandte Dokumente
Part Number Guide.pdf
Datenblätter
Cylindrical Battery Holders.pdf

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Logistische Zeitreferenz für Gemeinsame Länder
Region Land Logistische Zeit (Tag)
Amerika Vereinigte Staaten 5
Brasilien 7
Europa Deutschland 5
Großbritannien 4
Italien 5
Ozeanien Australien 6
Neuseeland 5
Asien Indien 4
Japan 4
Naher Osten Israel 6
DHL & FedEx -Versandkosten Referenz
Versandkosten (KG) Referenz DHL (USD $)
0.00kg-1.00kg USD$30.00 - USD$60.00
1.00kg-2.00kg USD$40.00 - USD$80.00
2.00kg-3.00kg USD$50.00 - USD$100.00
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