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IR2110PBF - Infineon Technologies

Hersteller Artikelnummer
IR2110PBF
Hersteller
Infineon Technologies
Allelco Artikelnummer
32D-IR2110PBF
ECAD -Modell
Teile Beschreibung
IC GATE DRVR HALF-BRIDGE 14DIP
detaillierte Beschreibung
Verpackung
14-DIP (0.300', 7.62mm)
Datenblatt
Cylindrical Battery Holders.pdf
RoHS Status
vorrätig: 23434

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Anzahl

Spezifikation

IR2110PBF Tech -Spezifikationen
Infineon Technologies - IR2110PBF Technische Spezifikationen, Attribute, Parameter und Teile mit ähnlichen Spezifikationen wie Infineon Technologies - IR2110PBF

Produkteigenschaften Eigenschaften  
Hersteller Infineon Technologies  
Spannungsversorgung 3.3V ~ 20V  
Supplier Device-Gehäuse 14-DIP  
Serie -  
Aufstieg / Fallzeit (Typ) 25ns, 17ns  
Verpackung / Gehäuse 14-DIP (0.300', 7.62mm)  
Paket Tube  
Betriebstemperatur -40°C ~ 150°C (TJ)  
Anzahl der Treiber 2  
Produkteigenschaften Eigenschaften  
Befestigungsart Through Hole  
Logikspannung - VIL, VIH 6V, 9.5V  
Eingabetyp Non-Inverting  
High-Side-Spannung - Max (Bootstrap) 500 V  
Gate-Typ IGBT, N-Channel MOSFET  
Angetriebene Konfiguration Half-Bridge  
Strom - Spitzenleistung (Quelle, Sink) 2A, 2A  
Ladestrom Independent  
Grundproduktnummer IR2110  

Bauteile mit ähnlicher Spezifikation

Die rechten drei Teile haben ähnliche Spezifikation wie Infineon Technologies IR2110PBF.

Produkteigenschaften IR2110PBF IR2111 IR2111STR IR2110-2PBF
Artikelnummer IR2110PBF IR2111 IR2111STR IR2110-2PBF
Hersteller Infineon Technologies Infineon Technologies Infineon Technologies Infineon Technologies
Ladestrom Independent Synchronous Synchronous Independent
Strom - Spitzenleistung (Quelle, Sink) 2A, 2A 250mA, 500mA 250mA, 500mA 2A, 2A
Serie - - - -
High-Side-Spannung - Max (Bootstrap) 500 V 600 V 600 V 500 V
Spannungsversorgung 3.3V ~ 20V 10V ~ 20V 10V ~ 20V 3.3V ~ 20V
Paket Tube Tube Tape & Reel (TR) Tube
Grundproduktnummer IR2110 IR2111 IR2111 IR2110
Verpackung / Gehäuse 14-DIP (0.300', 7.62mm) 8-DIP (0.300", 7.62mm) 8-SOIC (0.154', 3.90mm Width) 16-DIP (0.300', 7.62mm), 14 Leads
Angetriebene Konfiguration Half-Bridge Half-Bridge Half-Bridge Half-Bridge
Aufstieg / Fallzeit (Typ) 25ns, 17ns 80ns, 40ns 80ns, 40ns 25ns, 17ns
Befestigungsart Through Hole Through Hole Surface Mount Through Hole
Betriebstemperatur -40°C ~ 150°C (TJ) -40°C ~ 150°C (TJ) -40°C ~ 150°C (TJ) -40°C ~ 150°C (TJ)
Logikspannung - VIL, VIH 6V, 9.5V 8.3V, 12.6V 8.3V, 12.6V 6V, 9.5V
Eingabetyp Non-Inverting Non-Inverting Non-Inverting Non-Inverting
Supplier Device-Gehäuse 14-DIP 8-PDIP 8-SOIC 16-PDIP
Anzahl der Treiber 2 2 2 2
Gate-Typ IGBT, N-Channel MOSFET IGBT, N-Channel MOSFET IGBT, N-Channel MOSFET IGBT, N-Channel MOSFET

IR2110PBF Datenblatt PDF

Laden Sie IR2110PBF PDF -Datenblätter und Infineon Technologies -Dokumentation für IR2110PBF - Infineon Technologies herunter.

Andere verwandte Dokumente
Part Number Guide.pdf
Datenblätter
Cylindrical Battery Holders.pdf

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Logistische Zeitreferenz für Gemeinsame Länder
Region Land Logistische Zeit (Tag)
Amerika Vereinigte Staaten 5
Brasilien 7
Europa Deutschland 5
Großbritannien 4
Italien 5
Ozeanien Australien 6
Neuseeland 5
Asien Indien 4
Japan 4
Naher Osten Israel 6
DHL & FedEx -Versandkosten Referenz
Versandkosten (KG) Referenz DHL (USD $)
0.00kg-1.00kg USD$30.00 - USD$60.00
1.00kg-2.00kg USD$40.00 - USD$80.00
2.00kg-3.00kg USD$50.00 - USD$100.00
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