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ZuhauseProdukteIntegrierte schaltkreise (ICS)PMIC-Gate-TreiberIR2113STR
IR2113STR Image
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IR2113STR - Infineon Technologies

Hersteller Artikelnummer
IR2113STR
Hersteller
Infineon Technologies
Allelco Artikelnummer
32D-IR2113STR
ECAD -Modell
Teile Beschreibung
IC GATE DRVR HALF-BRIDGE 16SOIC
detaillierte Beschreibung
Verpackung
16-SOIC (0.295', 7.50mm Width)
Datenblatt
Cylindrical Battery Holders.pdf
vorrätig: 14510

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Spezifikation

IR2113STR Tech -Spezifikationen
Infineon Technologies - IR2113STR Technische Spezifikationen, Attribute, Parameter und Teile mit ähnlichen Spezifikationen wie Infineon Technologies - IR2113STR

Produkteigenschaften Eigenschaften  
Hersteller Infineon Technologies  
Spannungsversorgung 3.3V ~ 20V  
Supplier Device-Gehäuse 16-SOIC  
Serie -  
Aufstieg / Fallzeit (Typ) 25ns, 17ns  
Verpackung / Gehäuse 16-SOIC (0.295', 7.50mm Width)  
Paket Tape & Reel (TR)  
Betriebstemperatur -40°C ~ 150°C (TJ)  
Anzahl der Treiber 2  
Produkteigenschaften Eigenschaften  
Befestigungsart Surface Mount  
Logikspannung - VIL, VIH 6V, 9.5V  
Eingabetyp Non-Inverting  
High-Side-Spannung - Max (Bootstrap) 600 V  
Gate-Typ IGBT, N-Channel MOSFET  
Angetriebene Konfiguration Half-Bridge  
Strom - Spitzenleistung (Quelle, Sink) 2A, 2A  
Ladestrom Independent  
Grundproduktnummer IR2113  

Bauteile mit ähnlicher Spezifikation

Die rechten drei Teile haben ähnliche Spezifikation wie Infineon Technologies IR2113STR.

Produkteigenschaften IR2113STR IR2113STRPBF IR2112STR IR2113
Artikelnummer IR2113STR IR2113STRPBF IR2112STR IR2113
Hersteller Infineon Technologies Infineon Technologies Infineon Technologies Infineon Technologies
Befestigungsart Surface Mount Surface Mount Surface Mount Through Hole
Angetriebene Konfiguration Half-Bridge Half-Bridge High-Side or Low-Side Half-Bridge
Strom - Spitzenleistung (Quelle, Sink) 2A, 2A 2A, 2A 250mA, 500mA 2A, 2A
Gate-Typ IGBT, N-Channel MOSFET IGBT, N-Channel MOSFET IGBT, N-Channel MOSFET IGBT, N-Channel MOSFET
Spannungsversorgung 3.3V ~ 20V 3.3V ~ 20V 10V ~ 20V 3.3V ~ 20V
Serie - - - -
Eingabetyp Non-Inverting Non-Inverting Non-Inverting Non-Inverting
Supplier Device-Gehäuse 16-SOIC 16-SOIC 16-SOIC 14-DIP
High-Side-Spannung - Max (Bootstrap) 600 V 600 V 600 V 600 V
Paket Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) Tube
Aufstieg / Fallzeit (Typ) 25ns, 17ns 25ns, 17ns 80ns, 40ns 25ns, 17ns
Grundproduktnummer IR2113 IR2113 IR2112 IR2113
Anzahl der Treiber 2 2 2 2
Verpackung / Gehäuse 16-SOIC (0.295', 7.50mm Width) 16-SOIC (0.295', 7.50mm Width) 16-SOIC (0.295", 7.50mm Width) 14-DIP (0.300", 7.62mm)
Logikspannung - VIL, VIH 6V, 9.5V 6V, 9.5V 6V, 9.5V 6V, 9.5V
Ladestrom Independent Independent Independent Independent
Betriebstemperatur -40°C ~ 150°C (TJ) -40°C ~ 150°C (TJ) -40°C ~ 150°C (TJ) -40°C ~ 150°C (TJ)

IR2113STR Datenblatt PDF

Laden Sie IR2113STR PDF -Datenblätter und Infineon Technologies -Dokumentation für IR2113STR - Infineon Technologies herunter.

Andere verwandte Dokumente
Part Number Guide.pdf
Datenblätter
Cylindrical Battery Holders.pdf

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Logistische Zeitreferenz für Gemeinsame Länder
Region Land Logistische Zeit (Tag)
Amerika Vereinigte Staaten 5
Brasilien 7
Europa Deutschland 5
Großbritannien 4
Italien 5
Ozeanien Australien 6
Neuseeland 5
Asien Indien 4
Japan 4
Naher Osten Israel 6
DHL & FedEx -Versandkosten Referenz
Versandkosten (KG) Referenz DHL (USD $)
0.00kg-1.00kg USD$30.00 - USD$60.00
1.00kg-2.00kg USD$40.00 - USD$80.00
2.00kg-3.00kg USD$50.00 - USD$100.00
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