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IR2113PBF Image
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IR2113PBF - Infineon Technologies

Hersteller Artikelnummer
IR2113PBF
Hersteller
Infineon Technologies
Allelco Artikelnummer
32D-IR2113PBF
ECAD -Modell
Teile Beschreibung
IC GATE DRVR HALF-BRIDGE 14DIP
detaillierte Beschreibung
Verpackung
14-DIP (0.300', 7.62mm)
Datenblatt
Cylindrical Battery Holders.pdf
RoHS Status
vorrätig: 17093

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Anzahl

Spezifikation

IR2113PBF Tech -Spezifikationen
Infineon Technologies - IR2113PBF Technische Spezifikationen, Attribute, Parameter und Teile mit ähnlichen Spezifikationen wie Infineon Technologies - IR2113PBF

Produkteigenschaften Eigenschaften  
Hersteller Infineon Technologies  
Spannungsversorgung 3.3V ~ 20V  
Supplier Device-Gehäuse 14-DIP  
Serie -  
Aufstieg / Fallzeit (Typ) 25ns, 17ns  
Verpackung / Gehäuse 14-DIP (0.300', 7.62mm)  
Paket Tube  
Betriebstemperatur -40°C ~ 150°C (TJ)  
Anzahl der Treiber 2  
Produkteigenschaften Eigenschaften  
Befestigungsart Through Hole  
Logikspannung - VIL, VIH 6V, 9.5V  
Eingabetyp Non-Inverting  
High-Side-Spannung - Max (Bootstrap) 600 V  
Gate-Typ IGBT, N-Channel MOSFET  
Angetriebene Konfiguration Half-Bridge  
Strom - Spitzenleistung (Quelle, Sink) 2A, 2A  
Ladestrom Independent  
Grundproduktnummer IR2113  

Bauteile mit ähnlicher Spezifikation

Die rechten drei Teile haben ähnliche Spezifikation wie Infineon Technologies IR2113PBF.

Produkteigenschaften IR2113PBF IR2112PBF IR2112S IR2112SPBF
Artikelnummer IR2113PBF IR2112PBF IR2112S IR2112SPBF
Hersteller Infineon Technologies Infineon Technologies Infineon Technologies Infineon Technologies
High-Side-Spannung - Max (Bootstrap) 600 V 600 V 600 V 600 V
Supplier Device-Gehäuse 14-DIP 14-DIP 16-SOIC 16-SOIC
Paket Tube Tube Tube Tube
Logikspannung - VIL, VIH 6V, 9.5V 6V, 9.5V 6V, 9.5V 6V, 9.5V
Befestigungsart Through Hole Through Hole Surface Mount Surface Mount
Strom - Spitzenleistung (Quelle, Sink) 2A, 2A 250mA, 500mA 250mA, 500mA 250mA, 500mA
Gate-Typ IGBT, N-Channel MOSFET IGBT, N-Channel MOSFET IGBT, N-Channel MOSFET IGBT, N-Channel MOSFET
Grundproduktnummer IR2113 IR2112 IR2112 IR2112
Aufstieg / Fallzeit (Typ) 25ns, 17ns 80ns, 40ns 80ns, 40ns 80ns, 40ns
Eingabetyp Non-Inverting Non-Inverting Non-Inverting Non-Inverting
Spannungsversorgung 3.3V ~ 20V 10V ~ 20V 10V ~ 20V 10V ~ 20V
Serie - - - -
Verpackung / Gehäuse 14-DIP (0.300', 7.62mm) 14-DIP (0.300', 7.62mm) 16-SOIC (0.295", 7.50mm Width) 16-SOIC (0.295", 7.50mm Width)
Anzahl der Treiber 2 2 2 2
Ladestrom Independent Independent Independent Independent
Angetriebene Konfiguration Half-Bridge High-Side or Low-Side High-Side or Low-Side High-Side or Low-Side
Betriebstemperatur -40°C ~ 150°C (TJ) -40°C ~ 150°C (TJ) -40°C ~ 150°C (TJ) -40°C ~ 150°C (TJ)

IR2113PBF Datenblatt PDF

Laden Sie IR2113PBF PDF -Datenblätter und Infineon Technologies -Dokumentation für IR2113PBF - Infineon Technologies herunter.

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Cylindrical Battery Holders.pdf

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Region Land Logistische Zeit (Tag)
Amerika Vereinigte Staaten 5
Brasilien 7
Europa Deutschland 5
Großbritannien 4
Italien 5
Ozeanien Australien 6
Neuseeland 5
Asien Indien 4
Japan 4
Naher Osten Israel 6
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0.00kg-1.00kg USD$30.00 - USD$60.00
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2.00kg-3.00kg USD$50.00 - USD$100.00
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