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ZuhauseProdukteDiskrete Halbleiter-ProdukteTransistoren-FETs, MOSFETs-EinzelIRF6648TRPBF
Infineon Technologies
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IRF6648TRPBF - Infineon Technologies

Hersteller Artikelnummer
IRF6648TRPBF
Hersteller
Infineon Technologies
Allelco Artikelnummer
32D-IRF6648TRPBF
ECAD -Modell
Teile Beschreibung
MOSFET N-CH 60V 86A DIRECTFET MN
detaillierte Beschreibung
Verpackung
DirectFET™ Isometric MN
Datenblatt
IRF6648TRPBF.pdf
RoHS Status
vorrätig: 32641

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Anzahl

Spezifikation

IRF6648TRPBF Tech -Spezifikationen
Infineon Technologies - IRF6648TRPBF Technische Spezifikationen, Attribute, Parameter und Teile mit ähnlichen Spezifikationen wie Infineon Technologies - IRF6648TRPBF

Produkteigenschaften Eigenschaften  
Hersteller Infineon Technologies  
VGS (th) (Max) @ Id 4.9V @ 150µA  
Vgs (Max) ±20V  
Technologie MOSFET (Metal Oxide)  
Supplier Device-Gehäuse DIRECTFET™ MN  
Serie HEXFET®  
Rds On (Max) @ Id, Vgs 7mOhm @ 17A, 10V  
Verlustleistung (max) 2.8W (Ta), 89W (Tc)  
Verpackung / Gehäuse DirectFET™ Isometric MN  
Paket Tape & Reel (TR)  
Produkteigenschaften Eigenschaften  
Betriebstemperatur -40°C ~ 150°C (TJ)  
Befestigungsart Surface Mount  
Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds 2120 pF @ 25 V  
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 50 nC @ 10 V  
Typ FET N-Channel  
FET-Merkmal -  
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) 10V  
Drain-Source-Spannung (Vdss) 60 V  
Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C 86A (Tc)  
Grundproduktnummer IRF6648  

Bauteile mit ähnlicher Spezifikation

Die rechten drei Teile haben ähnliche Spezifikation wie Infineon Technologies IRF6648TRPBF.

Produkteigenschaften IRF6648TRPBF IRF6648TR1 IRF6655TR1PBF IRF6646TR1PBF
Artikelnummer IRF6648TRPBF IRF6648TR1 IRF6655TR1PBF IRF6646TR1PBF
Hersteller Infineon Technologies Infineon Technologies Infineon Technologies Infineon Technologies
Typ FET N-Channel N-Channel N-Channel N-Channel
Supplier Device-Gehäuse DIRECTFET™ MN DIRECTFET™ MN DIRECTFET™ SH DIRECTFET™ MN
Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds 2120 pF @ 25 V 2120 pF @ 25 V 530 pF @ 25 V 2060 pF @ 25 V
Paket Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR)
Verpackung / Gehäuse DirectFET™ Isometric MN DirectFET™ Isometric MN DirectFET™ Isometric SH DirectFET™ Isometric MN
Technologie MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide)
Grundproduktnummer IRF6648 - - -
Befestigungsart Surface Mount Surface Mount Surface Mount Surface Mount
Verlustleistung (max) 2.8W (Ta), 89W (Tc) 2.8W (Ta), 89W (Tc) 2.2W (Ta), 42W (Tc) 2.8W (Ta), 89W (Tc)
Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C 86A (Tc) 86A (Tc) 4.2A (Ta), 19A (Tc) 12A (Ta), 68A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs 7mOhm @ 17A, 10V 7mOhm @ 17A, 10V 62mOhm @ 5A, 10V 9.5mOhm @ 12A, 10V
Drain-Source-Spannung (Vdss) 60 V 60 V 100 V 80 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 50 nC @ 10 V 50 nC @ 10 V 11.7 nC @ 10 V 50 nC @ 10 V
Vgs (Max) ±20V ±20V ±20V ±20V
VGS (th) (Max) @ Id 4.9V @ 150µA 4.9V @ 150µA 4.8V @ 25µA 4.9V @ 150µA
FET-Merkmal - - - -
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) 10V 10V 10V 10V
Serie HEXFET® HEXFET® HEXFET® HEXFET®
Betriebstemperatur -40°C ~ 150°C (TJ) -40°C ~ 150°C (TJ) -40°C ~ 150°C (TJ) -40°C ~ 150°C (TJ)

IRF6648TRPBF Datenblatt PDF

Laden Sie IRF6648TRPBF PDF -Datenblätter und Infineon Technologies -Dokumentation für IRF6648TRPBF - Infineon Technologies herunter.

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