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ZuhauseProdukteDiskrete Halbleiter-ProdukteTransistoren-FETs, MOSFETs-EinzelIRF6655TR1PBF
Infineon Technologies
Das Bild steht nur zum Referenz. Für detaillierte Produktinfos bitte die Produktdaten einsehen

IRF6655TR1PBF - Infineon Technologies

Hersteller Artikelnummer
IRF6655TR1PBF
Hersteller
Infineon Technologies
Allelco Artikelnummer
32D-IRF6655TR1PBF
ECAD -Modell
Teile Beschreibung
MOSFET N-CH 100V 4.2A DIRECTFET
detaillierte Beschreibung
Verpackung
DirectFET™ Isometric SH
Datenblatt
IRF6655(TR)PbF.pdf
vorrätig: 4450

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Anzahl

Spezifikation

IRF6655TR1PBF Tech -Spezifikationen
Infineon Technologies - IRF6655TR1PBF Technische Spezifikationen, Attribute, Parameter und Teile mit ähnlichen Spezifikationen wie Infineon Technologies - IRF6655TR1PBF

Produkteigenschaften Eigenschaften  
Hersteller Infineon Technologies  
VGS (th) (Max) @ Id 4.8V @ 25µA  
Vgs (Max) ±20V  
Technologie MOSFET (Metal Oxide)  
Supplier Device-Gehäuse DIRECTFET™ SH  
Serie HEXFET®  
Rds On (Max) @ Id, Vgs 62mOhm @ 5A, 10V  
Verlustleistung (max) 2.2W (Ta), 42W (Tc)  
Verpackung / Gehäuse DirectFET™ Isometric SH  
Paket Tape & Reel (TR)  
Produkteigenschaften Eigenschaften  
Betriebstemperatur -40°C ~ 150°C (TJ)  
Befestigungsart Surface Mount  
Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds 530 pF @ 25 V  
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 11.7 nC @ 10 V  
Typ FET N-Channel  
FET-Merkmal -  
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) 10V  
Drain-Source-Spannung (Vdss) 100 V  
Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C 4.2A (Ta), 19A (Tc)  

Bauteile mit ähnlicher Spezifikation

Die rechten drei Teile haben ähnliche Spezifikation wie Infineon Technologies IRF6655TR1PBF.

Produkteigenschaften IRF6655TR1PBF IRF6655TRPBF IRF6648TR1 IRF6665TR1
Artikelnummer IRF6655TR1PBF IRF6655TRPBF IRF6648TR1 IRF6665TR1
Hersteller Infineon Technologies International Rectifier Infineon Technologies Infineon Technologies
Rds On (Max) @ Id, Vgs 62mOhm @ 5A, 10V 62mOhm @ 5A, 10V 7mOhm @ 17A, 10V 62mOhm @ 5A, 10V
Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds 530 pF @ 25 V 530 pF @ 25 V 2120 pF @ 25 V 530 pF @ 25 V
Verpackung / Gehäuse DirectFET™ Isometric SH DirectFET™ Isometric SH DirectFET™ Isometric MN DirectFET™ Isometric SH
Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C 4.2A (Ta), 19A (Tc) 4.2A (Ta), 19A (Tc) 86A (Tc) 4.2A (Ta), 19A (Tc)
Technologie MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide)
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) 10V 10V 10V 10V
Befestigungsart Surface Mount Surface Mount Surface Mount Surface Mount
Supplier Device-Gehäuse DIRECTFET™ SH DIRECTFET™ SH DIRECTFET™ MN DIRECTFET™ SH
Typ FET N-Channel N-Channel N-Channel N-Channel
Vgs (Max) ±20V ±20V ±20V ±20V
Paket Tape & Reel (TR) Bulk Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR)
Drain-Source-Spannung (Vdss) 100 V 100 V 60 V 100 V
Serie HEXFET® HEXFET® HEXFET® -
Betriebstemperatur -40°C ~ 150°C (TJ) -40°C ~ 150°C (TJ) -40°C ~ 150°C (TJ) -40°C ~ 150°C (TJ)
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 11.7 nC @ 10 V 11.7 nC @ 10 V 50 nC @ 10 V 13 nC @ 10 V
VGS (th) (Max) @ Id 4.8V @ 25µA 4.8V @ 25µA 4.9V @ 150µA 5V @ 250µA
FET-Merkmal - - - -
Verlustleistung (max) 2.2W (Ta), 42W (Tc) 2.2W (Ta), 42W (Tc) 2.8W (Ta), 89W (Tc) 2.2W (Ta), 42W (Tc)

IRF6655TR1PBF Datenblatt PDF

Laden Sie IRF6655TR1PBF PDF -Datenblätter und Infineon Technologies -Dokumentation für IRF6655TR1PBF - Infineon Technologies herunter.

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Datenblätter
IRF6655(TR)PbF.pdf

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