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ZuhauseProdukteDiskrete Halbleiter-ProdukteTransistoren-FETs, MOSFETs-EinzelIRF6665
Infineon Technologies
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IRF6665 - Infineon Technologies

Hersteller Artikelnummer
IRF6665
Hersteller
Infineon Technologies
Allelco Artikelnummer
32D-IRF6665
ECAD -Modell
Teile Beschreibung
MOSFET N-CH 100V 4.2A DIRECTFET
detaillierte Beschreibung
Verpackung
DirectFET™ Isometric SH
Datenblatt
IRF6665.pdf
vorrätig: 4320

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Anzahl

Spezifikation

IRF6665 Tech -Spezifikationen
Infineon Technologies - IRF6665 Technische Spezifikationen, Attribute, Parameter und Teile mit ähnlichen Spezifikationen wie Infineon Technologies - IRF6665

Produkteigenschaften Eigenschaften  
Hersteller Infineon Technologies  
VGS (th) (Max) @ Id 5V @ 250µA  
Vgs (Max) ±20V  
Technologie MOSFET (Metal Oxide)  
Supplier Device-Gehäuse DIRECTFET™ SH  
Serie -  
Rds On (Max) @ Id, Vgs 62mOhm @ 5A, 10V  
Verlustleistung (max) 2.2W (Ta), 42W (Tc)  
Verpackung / Gehäuse DirectFET™ Isometric SH  
Paket Tube  
Produkteigenschaften Eigenschaften  
Betriebstemperatur -40°C ~ 150°C (TJ)  
Befestigungsart Surface Mount  
Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds 530 pF @ 25 V  
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 13 nC @ 10 V  
Typ FET N-Channel  
FET-Merkmal -  
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) 10V  
Drain-Source-Spannung (Vdss) 100 V  
Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C 4.2A (Ta), 19A (Tc)  

Bauteile mit ähnlicher Spezifikation

Die rechten drei Teile haben ähnliche Spezifikation wie Infineon Technologies IRF6665.

Produkteigenschaften IRF6665 IRF6665TR1 IRF6668TRPBF IRF6668TR1PBF
Artikelnummer IRF6665 IRF6665TR1 IRF6668TRPBF IRF6668TR1PBF
Hersteller Infineon Technologies Infineon Technologies Infineon Technologies Infineon Technologies
Verlustleistung (max) 2.2W (Ta), 42W (Tc) 2.2W (Ta), 42W (Tc) 2.8W (Ta), 89W (Tc) 2.8W (Ta), 89W (Tc)
Paket Tube Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR)
Serie - - HEXFET® HEXFET®
Verpackung / Gehäuse DirectFET™ Isometric SH DirectFET™ Isometric SH DirectFET™ Isometric MZ DirectFET™ Isometric MZ
Vgs (Max) ±20V ±20V ±20V ±20V
Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds 530 pF @ 25 V 530 pF @ 25 V 1320 pF @ 25 V 1320 pF @ 25 V
Drain-Source-Spannung (Vdss) 100 V 100 V 80 V 80 V
Befestigungsart Surface Mount Surface Mount Surface Mount Surface Mount
Typ FET N-Channel N-Channel N-Channel N-Channel
Rds On (Max) @ Id, Vgs 62mOhm @ 5A, 10V 62mOhm @ 5A, 10V 15mOhm @ 12A, 10V 15mOhm @ 12A, 10V
Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C 4.2A (Ta), 19A (Tc) 4.2A (Ta), 19A (Tc) 55A (Tc) 55A (Tc)
Technologie MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide)
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) 10V 10V 10V 10V
Betriebstemperatur -40°C ~ 150°C (TJ) -40°C ~ 150°C (TJ) -40°C ~ 150°C (TJ) -40°C ~ 150°C (TJ)
FET-Merkmal - - - -
VGS (th) (Max) @ Id 5V @ 250µA 5V @ 250µA 4.9V @ 100µA 4.9V @ 100µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 13 nC @ 10 V 13 nC @ 10 V 31 nC @ 10 V 31 nC @ 10 V
Supplier Device-Gehäuse DIRECTFET™ SH DIRECTFET™ SH DIRECTFET™ MZ DIRECTFET™ MZ

IRF6665 Datenblatt PDF

Laden Sie IRF6665 PDF -Datenblätter und Infineon Technologies -Dokumentation für IRF6665 - Infineon Technologies herunter.

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Datenblätter
IRF6665.pdf

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Region Land Logistische Zeit (Tag)
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Asien Indien 4
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0.00kg-1.00kg USD$30.00 - USD$60.00
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2.00kg-3.00kg USD$50.00 - USD$100.00
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