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ZuhauseProdukteDiskrete Halbleiter-ProdukteTransistoren-FETs, MOSFETs-EinzelIRF6665TRPBF
International Rectifier
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IRF6665TRPBF - International Rectifier

Hersteller Artikelnummer
IRF6665TRPBF
Hersteller
Infineon Technologies
Allelco Artikelnummer
32D-IRF6665TRPBF
ECAD -Modell
Teile Beschreibung
IRF6665 - 12V-300V N-CHANNEL POW
detaillierte Beschreibung
Verpackung
DirectFET™ Isometric SH
Datenblatt
IRF6665TRPBF.pdf
vorrätig: 79740

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Anzahl

Spezifikation

IRF6665TRPBF Tech -Spezifikationen
International Rectifier - IRF6665TRPBF Technische Spezifikationen, Attribute, Parameter und Teile mit ähnlichen Spezifikationen wie International Rectifier - IRF6665TRPBF

Produkteigenschaften Eigenschaften  
Hersteller Infineon Technologies  
VGS (th) (Max) @ Id 5V @ 250µA  
Vgs (Max) ±20V  
Technologie MOSFET (Metal Oxide)  
Supplier Device-Gehäuse DIRECTFET™ SH  
Serie HEXFET®  
Rds On (Max) @ Id, Vgs 62mOhm @ 5A, 10V  
Verlustleistung (max) 2.2W (Ta), 42W (Tc)  
Verpackung / Gehäuse DirectFET™ Isometric SH  
Paket Bulk  
Produkteigenschaften Eigenschaften  
Betriebstemperatur -40°C ~ 150°C (TJ)  
Befestigungsart Surface Mount  
Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds 530 pF @ 25 V  
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 13 nC @ 10 V  
Typ FET N-Channel  
FET-Merkmal -  
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) 10V  
Drain-Source-Spannung (Vdss) 100 V  
Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C 4.2A (Ta), 19A (Tc)  

Bauteile mit ähnlicher Spezifikation

Die rechten drei Teile haben ähnliche Spezifikation wie International Rectifier IRF6665TRPBF.

Produkteigenschaften IRF6665TRPBF IRF6668TR1PBF IRF6665 IRF6678TR1
Artikelnummer IRF6665TRPBF IRF6668TR1PBF IRF6665 IRF6678TR1
Hersteller International Rectifier Infineon Technologies Infineon Technologies Infineon Technologies
Befestigungsart Surface Mount Surface Mount Surface Mount Surface Mount
Supplier Device-Gehäuse DIRECTFET™ SH DIRECTFET™ MZ DIRECTFET™ SH DIRECTFET™ MX
Typ FET N-Channel N-Channel N-Channel N-Channel
Technologie MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide)
FET-Merkmal - - - -
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) 10V 10V 10V 4.5V, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 13 nC @ 10 V 31 nC @ 10 V 13 nC @ 10 V 65 nC @ 4.5 V
VGS (th) (Max) @ Id 5V @ 250µA 4.9V @ 100µA 5V @ 250µA 2.25V @ 250µA
Serie HEXFET® HEXFET® - HEXFET®
Verlustleistung (max) 2.2W (Ta), 42W (Tc) 2.8W (Ta), 89W (Tc) 2.2W (Ta), 42W (Tc) 2.8W (Ta), 89W (Tc)
Betriebstemperatur -40°C ~ 150°C (TJ) -40°C ~ 150°C (TJ) -40°C ~ 150°C (TJ) -40°C ~ 150°C (TJ)
Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C 4.2A (Ta), 19A (Tc) 55A (Tc) 4.2A (Ta), 19A (Tc) 30A (Ta), 150A (Tc)
Verpackung / Gehäuse DirectFET™ Isometric SH DirectFET™ Isometric MZ DirectFET™ Isometric SH DirectFET™ Isometric MX
Drain-Source-Spannung (Vdss) 100 V 80 V 100 V 30 V
Paket Bulk Tape & Reel (TR) Tube Tape & Reel (TR)
Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds 530 pF @ 25 V 1320 pF @ 25 V 530 pF @ 25 V 5640 pF @ 15 V
Vgs (Max) ±20V ±20V ±20V ±20V
Rds On (Max) @ Id, Vgs 62mOhm @ 5A, 10V 15mOhm @ 12A, 10V 62mOhm @ 5A, 10V 2.2mOhm @ 30A, 10V

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(Unterschiedlicher Zeitrahmen / Länder / Paketgröße hat einen unterschiedlichen Preis.)

Versandart

  1. Globale gemeinsame Versand von DHL / UPS / FEDEX / TNT / EMS / SF, die wir unterstützen.
  2. Andere Versandmethoden, bitte setzen Sie sich mit Ihrem Kundenmanager in Verbindung.

Logistische Zeitreferenz für Gemeinsame Länder
Region Land Logistische Zeit (Tag)
Amerika Vereinigte Staaten 5
Brasilien 7
Europa Deutschland 5
Großbritannien 4
Italien 5
Ozeanien Australien 6
Neuseeland 5
Asien Indien 4
Japan 4
Naher Osten Israel 6
DHL & FedEx -Versandkosten Referenz
Versandkosten (KG) Referenz DHL (USD $)
0.00kg-1.00kg USD$30.00 - USD$60.00
1.00kg-2.00kg USD$40.00 - USD$80.00
2.00kg-3.00kg USD$50.00 - USD$100.00
Notiz:
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Als Zahlungsmittel stehen folgende Mitteln zur Wahl: T/T, Banküberweisung, Westunion-Überweisung, Kreditkarte, PayPal.

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