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ZuhauseProdukteDiskrete Halbleiter-ProdukteTransistoren-FETs, MOSFETs-EinzelIRF6668TR1PBF
Infineon Technologies
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IRF6668TR1PBF - Infineon Technologies

Hersteller Artikelnummer
IRF6668TR1PBF
Hersteller
Infineon Technologies
Allelco Artikelnummer
32D-IRF6668TR1PBF
ECAD -Modell
Teile Beschreibung
MOSFET N-CH 80V 55A DIRECTFET MZ
detaillierte Beschreibung
Verpackung
DirectFET™ Isometric MZ
Datenblatt
IRF6668TR1PBF.pdf
vorrätig: 4470

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Spezifikation

IRF6668TR1PBF Tech -Spezifikationen
Infineon Technologies - IRF6668TR1PBF Technische Spezifikationen, Attribute, Parameter und Teile mit ähnlichen Spezifikationen wie Infineon Technologies - IRF6668TR1PBF

Produkteigenschaften Eigenschaften  
Hersteller Infineon Technologies  
VGS (th) (Max) @ Id 4.9V @ 100µA  
Vgs (Max) ±20V  
Technologie MOSFET (Metal Oxide)  
Supplier Device-Gehäuse DIRECTFET™ MZ  
Serie HEXFET®  
Rds On (Max) @ Id, Vgs 15mOhm @ 12A, 10V  
Verlustleistung (max) 2.8W (Ta), 89W (Tc)  
Verpackung / Gehäuse DirectFET™ Isometric MZ  
Paket Tape & Reel (TR)  
Produkteigenschaften Eigenschaften  
Betriebstemperatur -40°C ~ 150°C (TJ)  
Befestigungsart Surface Mount  
Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds 1320 pF @ 25 V  
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 31 nC @ 10 V  
Typ FET N-Channel  
FET-Merkmal -  
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) 10V  
Drain-Source-Spannung (Vdss) 80 V  
Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C 55A (Tc)  

Bauteile mit ähnlicher Spezifikation

Die rechten drei Teile haben ähnliche Spezifikation wie Infineon Technologies IRF6668TR1PBF.

Produkteigenschaften IRF6668TR1PBF IRF6665 IRF6655TR1PBF IRF6678TR1
Artikelnummer IRF6668TR1PBF IRF6665 IRF6655TR1PBF IRF6678TR1
Hersteller Infineon Technologies Infineon Technologies Infineon Technologies Infineon Technologies
Technologie MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide)
Typ FET N-Channel N-Channel N-Channel N-Channel
Drain-Source-Spannung (Vdss) 80 V 100 V 100 V 30 V
Rds On (Max) @ Id, Vgs 15mOhm @ 12A, 10V 62mOhm @ 5A, 10V 62mOhm @ 5A, 10V 2.2mOhm @ 30A, 10V
Paket Tape & Reel (TR) Tube Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR)
Serie HEXFET® - HEXFET® HEXFET®
VGS (th) (Max) @ Id 4.9V @ 100µA 5V @ 250µA 4.8V @ 25µA 2.25V @ 250µA
Verlustleistung (max) 2.8W (Ta), 89W (Tc) 2.2W (Ta), 42W (Tc) 2.2W (Ta), 42W (Tc) 2.8W (Ta), 89W (Tc)
Vgs (Max) ±20V ±20V ±20V ±20V
Betriebstemperatur -40°C ~ 150°C (TJ) -40°C ~ 150°C (TJ) -40°C ~ 150°C (TJ) -40°C ~ 150°C (TJ)
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) 10V 10V 10V 4.5V, 10V
Verpackung / Gehäuse DirectFET™ Isometric MZ DirectFET™ Isometric SH DirectFET™ Isometric SH DirectFET™ Isometric MX
Supplier Device-Gehäuse DIRECTFET™ MZ DIRECTFET™ SH DIRECTFET™ SH DIRECTFET™ MX
Befestigungsart Surface Mount Surface Mount Surface Mount Surface Mount
Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds 1320 pF @ 25 V 530 pF @ 25 V 530 pF @ 25 V 5640 pF @ 15 V
FET-Merkmal - - - -
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 31 nC @ 10 V 13 nC @ 10 V 11.7 nC @ 10 V 65 nC @ 4.5 V
Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C 55A (Tc) 4.2A (Ta), 19A (Tc) 4.2A (Ta), 19A (Tc) 30A (Ta), 150A (Tc)

IRF6668TR1PBF Datenblatt PDF

Laden Sie IRF6668TR1PBF PDF -Datenblätter und Infineon Technologies -Dokumentation für IRF6668TR1PBF - Infineon Technologies herunter.

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