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ZuhauseProdukteDiskrete Halbleiter-ProdukteTransistoren-FETs, MOSFETs-EinzelIRF6714MTR1PBF
Infineon Technologies
Das Bild steht nur zum Referenz. Für detaillierte Produktinfos bitte die Produktdaten einsehen

IRF6714MTR1PBF - Infineon Technologies

Hersteller Artikelnummer
IRF6714MTR1PBF
Hersteller
Infineon Technologies
Allelco Artikelnummer
32D-IRF6714MTR1PBF
ECAD -Modell
Teile Beschreibung
MOSFET N-CH 25V 29A DIRECTFET
detaillierte Beschreibung
Verpackung
DirectFET™ Isometric MX
Datenblatt
IRF6714MTR1PBF.pdf
vorrätig: 5420

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Spezifikation

IRF6714MTR1PBF Tech -Spezifikationen
Infineon Technologies - IRF6714MTR1PBF Technische Spezifikationen, Attribute, Parameter und Teile mit ähnlichen Spezifikationen wie Infineon Technologies - IRF6714MTR1PBF

Produkteigenschaften Eigenschaften  
Hersteller Infineon Technologies  
VGS (th) (Max) @ Id 2.4V @ 100µA  
Vgs (Max) ±20V  
Technologie MOSFET (Metal Oxide)  
Supplier Device-Gehäuse DIRECTFET™ MX  
Serie HEXFET®  
Rds On (Max) @ Id, Vgs 2.1mOhm @ 29A, 10V  
Verlustleistung (max) 2.8W (Ta), 89W (Tc)  
Verpackung / Gehäuse DirectFET™ Isometric MX  
Paket Tape & Reel (TR)  
Produkteigenschaften Eigenschaften  
Betriebstemperatur -40°C ~ 150°C (TJ)  
Befestigungsart Surface Mount  
Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds 3890 pF @ 13 V  
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 44 nC @ 4.5 V  
Typ FET N-Channel  
FET-Merkmal -  
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) 4.5V, 10V  
Drain-Source-Spannung (Vdss) 25 V  
Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C 29A (Ta), 166A (Tc)  

Bauteile mit ähnlicher Spezifikation

Die rechten drei Teile haben ähnliche Spezifikation wie Infineon Technologies IRF6714MTR1PBF.

Produkteigenschaften IRF6714MTR1PBF IRF6716MTRPBF IRF6710S2TRPBF IRF6713STRPBF
Artikelnummer IRF6714MTR1PBF IRF6716MTRPBF IRF6710S2TRPBF IRF6713STRPBF
Hersteller Infineon Technologies Infineon Technologies Infineon Technologies International Rectifier
Supplier Device-Gehäuse DIRECTFET™ MX DIRECTFET™ MX DirectFET™ Isometric S1 DirectFET™ Isometric SQ
Technologie MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide)
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 44 nC @ 4.5 V 59 nC @ 4.5 V 13 nC @ 4.5 V 32 nC @ 4.5 V
Verlustleistung (max) 2.8W (Ta), 89W (Tc) 3.6W (Ta), 78W (Tc) 1.8W (Ta), 15W (Tc) 2.2W (Ta), 42W (Tc)
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) 4.5V, 10V 4.5V, 10V 4.5V, 10V -
Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C 29A (Ta), 166A (Tc) 39A (Ta), 180A (Tc) 12A (Ta), 37A (Tc) 22A (Ta), 95A (Tc)
Verpackung / Gehäuse DirectFET™ Isometric MX DirectFET™ Isometric MX DirectFET™ Isometric S1 DirectFET™ Isometric SQ
VGS (th) (Max) @ Id 2.4V @ 100µA 2.4V @ 100µA 2.4V @ 25µA 2.4V @ 50µA
Serie HEXFET® HEXFET® HEXFET® DirectFET™
Befestigungsart Surface Mount Surface Mount Surface Mount Surface Mount
Typ FET N-Channel N-Channel N-Channel N-Channel
Vgs (Max) ±20V ±20V ±20V ±20V
FET-Merkmal - - - -
Betriebstemperatur -40°C ~ 150°C (TJ) -40°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 175°C (TJ) -40°C ~ 150°C (TJ)
Drain-Source-Spannung (Vdss) 25 V 25 V 25 V 25 V
Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds 3890 pF @ 13 V 5150 pF @ 13 V 1190 pF @ 13 V 2880 pF @ 13 V
Rds On (Max) @ Id, Vgs 2.1mOhm @ 29A, 10V 1.6mOhm @ 40A, 10V 5.9mOhm @ 12A, 10V 3mOhm @ 22A, 10V
Paket Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) Bulk

IRF6714MTR1PBF Datenblatt PDF

Laden Sie IRF6714MTR1PBF PDF -Datenblätter und Infineon Technologies -Dokumentation für IRF6714MTR1PBF - Infineon Technologies herunter.

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