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ZuhauseProdukteDiskrete Halbleiter-ProdukteTransistoren-FETs, MOSFETs-EinzelIRF6714MTRPBF
International Rectifier
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IRF6714MTRPBF - International Rectifier

Hersteller Artikelnummer
IRF6714MTRPBF
Hersteller
Infineon Technologies
Allelco Artikelnummer
32D-IRF6714MTRPBF
ECAD -Modell
Teile Beschreibung
MOSFET N-CH 25V 29A/166A DIRECT
detaillierte Beschreibung
Verpackung
DirectFET™ Isometric MX
Datenblatt
IRF6714MTRPBF.pdf
vorrätig: 28490

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Spezifikation

IRF6714MTRPBF Tech -Spezifikationen
International Rectifier - IRF6714MTRPBF Technische Spezifikationen, Attribute, Parameter und Teile mit ähnlichen Spezifikationen wie International Rectifier - IRF6714MTRPBF

Produkteigenschaften Eigenschaften  
Hersteller Infineon Technologies  
VGS (th) (Max) @ Id 2.4V @ 100µA  
Vgs (Max) ±20V  
Technologie MOSFET (Metal Oxide)  
Supplier Device-Gehäuse DIRECTFET™ MX  
Serie HEXFET®  
Rds On (Max) @ Id, Vgs 2.1mOhm @ 29A, 10V  
Verlustleistung (max) 2.8W (Ta), 89W (Tc)  
Verpackung / Gehäuse DirectFET™ Isometric MX  
Paket Bulk  
Produkteigenschaften Eigenschaften  
Betriebstemperatur -40°C ~ 150°C (TJ)  
Befestigungsart Surface Mount  
Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds 3890 pF @ 13 V  
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 44 nC @ 4.5 V  
Typ FET N-Channel  
FET-Merkmal -  
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) 4.5V, 10V  
Drain-Source-Spannung (Vdss) 25 V  
Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C 29A (Ta), 166A (Tc)  

Bauteile mit ähnlicher Spezifikation

Die rechten drei Teile haben ähnliche Spezifikation wie International Rectifier IRF6714MTRPBF.

Produkteigenschaften IRF6714MTRPBF IRF6715MTRPBF IRF6718L2TRPBF IRF6717MTRPBF
Artikelnummer IRF6714MTRPBF IRF6715MTRPBF IRF6718L2TRPBF IRF6717MTRPBF
Hersteller International Rectifier International Rectifier Infineon Technologies Infineon Technologies
Vgs (Max) ±20V ±20V ±20V ±20V
Betriebstemperatur -40°C ~ 150°C (TJ) -40°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 175°C (TJ) -40°C ~ 150°C (TJ)
Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C 29A (Ta), 166A (Tc) 34A (Ta), 180A (Tc) 61A (Ta), 270A (Tc) 38A (Ta), 200A (Tc)
FET-Merkmal - - - -
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) 4.5V, 10V 4.5V, 10V 4.5V, 10V 4.5V, 10V
Supplier Device-Gehäuse DIRECTFET™ MX DIRECTFET™ MX DIRECTFET L6 DIRECTFET™ MX
Serie HEXFET® HEXFET® HEXFET® HEXFET®
Verpackung / Gehäuse DirectFET™ Isometric MX DirectFET™ Isometric MX DirectFET™ Isometric L6 DirectFET™ Isometric MX
Drain-Source-Spannung (Vdss) 25 V 25 V 25 V 25 V
Technologie MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide)
Typ FET N-Channel N-Channel N-Channel N-Channel
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 44 nC @ 4.5 V 59 nC @ 4.5 V 96 nC @ 4.5 V 69 nC @ 4.5 V
Verlustleistung (max) 2.8W (Ta), 89W (Tc) 2.8W (Ta), 78W (Tc) 4.3W (Ta), 83W (Tc) 2.8W (Ta), 96W (Tc)
Paket Bulk Bulk Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR)
Befestigungsart Surface Mount Surface Mount Surface Mount Surface Mount
Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds 3890 pF @ 13 V 5340 pF @ 13 V 6500 pF @ 13 V 6750 pF @ 13 V
VGS (th) (Max) @ Id 2.4V @ 100µA 2.4V @ 100µA 2.35V @ 150µA 2.35V @ 150µA
Rds On (Max) @ Id, Vgs 2.1mOhm @ 29A, 10V 1.6mOhm @ 34A, 10V 0.7mOhm @ 61A, 10V 1.25mOhm @ 38A, 10V

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Lieferzeit

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Versandkosten

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Versandart

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  2. Andere Versandmethoden, bitte setzen Sie sich mit Ihrem Kundenmanager in Verbindung.

Logistische Zeitreferenz für Gemeinsame Länder
Region Land Logistische Zeit (Tag)
Amerika Vereinigte Staaten 5
Brasilien 7
Europa Deutschland 5
Großbritannien 4
Italien 5
Ozeanien Australien 6
Neuseeland 5
Asien Indien 4
Japan 4
Naher Osten Israel 6
DHL & FedEx -Versandkosten Referenz
Versandkosten (KG) Referenz DHL (USD $)
0.00kg-1.00kg USD$30.00 - USD$60.00
1.00kg-2.00kg USD$40.00 - USD$80.00
2.00kg-3.00kg USD$50.00 - USD$100.00
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