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ZuhauseProdukteDiskrete Halbleiter-ProdukteTransistoren-FETs, MOSFETs-EinzelIRF6713STRPBF
International Rectifier
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IRF6713STRPBF - International Rectifier

Hersteller Artikelnummer
IRF6713STRPBF
Hersteller
Infineon Technologies
Allelco Artikelnummer
32D-IRF6713STRPBF
ECAD -Modell
Teile Beschreibung
MOSFET N-CH 25V 22A/95A DIRECTFT
detaillierte Beschreibung
Verpackung
DirectFET™ Isometric SQ
Datenblatt
IRF6713STRPBF.pdf
vorrätig: 28451

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Spezifikation

IRF6713STRPBF Tech -Spezifikationen
International Rectifier - IRF6713STRPBF Technische Spezifikationen, Attribute, Parameter und Teile mit ähnlichen Spezifikationen wie International Rectifier - IRF6713STRPBF

Produkteigenschaften Eigenschaften  
Hersteller Infineon Technologies  
VGS (th) (Max) @ Id 2.4V @ 50µA  
Vgs (Max) ±20V  
Technologie MOSFET (Metal Oxide)  
Supplier Device-Gehäuse DirectFET™ Isometric SQ  
Serie DirectFET™  
Rds On (Max) @ Id, Vgs 3mOhm @ 22A, 10V  
Verlustleistung (max) 2.2W (Ta), 42W (Tc)  
Verpackung / Gehäuse DirectFET™ Isometric SQ  
Produkteigenschaften Eigenschaften  
Paket Bulk  
Betriebstemperatur -40°C ~ 150°C (TJ)  
Befestigungsart Surface Mount  
Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds 2880 pF @ 13 V  
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 32 nC @ 4.5 V  
Typ FET N-Channel  
FET-Merkmal -  
Drain-Source-Spannung (Vdss) 25 V  
Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C 22A (Ta), 95A (Tc)  

Bauteile mit ähnlicher Spezifikation

Die rechten drei Teile haben ähnliche Spezifikation wie International Rectifier IRF6713STRPBF.

Produkteigenschaften IRF6713STRPBF IRF6715MTRPBF IRF6709S2TR1PBF IRF6716MTRPBF
Artikelnummer IRF6713STRPBF IRF6715MTRPBF IRF6709S2TR1PBF IRF6716MTRPBF
Hersteller International Rectifier International Rectifier Infineon Technologies Infineon Technologies
Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds 2880 pF @ 13 V 5340 pF @ 13 V 1010 pF @ 13 V 5150 pF @ 13 V
Typ FET N-Channel N-Channel N-Channel N-Channel
Paket Bulk Bulk Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR)
Supplier Device-Gehäuse DirectFET™ Isometric SQ DIRECTFET™ MX DirectFET™ Isometric S1 DIRECTFET™ MX
Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C 22A (Ta), 95A (Tc) 34A (Ta), 180A (Tc) 12A (Ta), 39A (Tc) 39A (Ta), 180A (Tc)
Serie DirectFET™ HEXFET® HEXFET® HEXFET®
Betriebstemperatur -40°C ~ 150°C (TJ) -40°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 175°C (TJ) -40°C ~ 150°C (TJ)
Technologie MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide)
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 32 nC @ 4.5 V 59 nC @ 4.5 V 12 nC @ 4.5 V 59 nC @ 4.5 V
FET-Merkmal - - - -
Vgs (Max) ±20V ±20V ±20V ±20V
Befestigungsart Surface Mount Surface Mount Surface Mount Surface Mount
VGS (th) (Max) @ Id 2.4V @ 50µA 2.4V @ 100µA 2.35V @ 25µA 2.4V @ 100µA
Drain-Source-Spannung (Vdss) 25 V 25 V 25 V 25 V
Verpackung / Gehäuse DirectFET™ Isometric SQ DirectFET™ Isometric MX DirectFET™ Isometric S1 DirectFET™ Isometric MX
Rds On (Max) @ Id, Vgs 3mOhm @ 22A, 10V 1.6mOhm @ 34A, 10V 7.8mOhm @ 12A, 10V 1.6mOhm @ 40A, 10V
Verlustleistung (max) 2.2W (Ta), 42W (Tc) 2.8W (Ta), 78W (Tc) 1.8W (Ta), 21W (Tc) 3.6W (Ta), 78W (Tc)

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Versandkosten

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(Unterschiedlicher Zeitrahmen / Länder / Paketgröße hat einen unterschiedlichen Preis.)

Versandart

  1. Globale gemeinsame Versand von DHL / UPS / FEDEX / TNT / EMS / SF, die wir unterstützen.
  2. Andere Versandmethoden, bitte setzen Sie sich mit Ihrem Kundenmanager in Verbindung.

Logistische Zeitreferenz für Gemeinsame Länder
Region Land Logistische Zeit (Tag)
Amerika Vereinigte Staaten 5
Brasilien 7
Europa Deutschland 5
Großbritannien 4
Italien 5
Ozeanien Australien 6
Neuseeland 5
Asien Indien 4
Japan 4
Naher Osten Israel 6
DHL & FedEx -Versandkosten Referenz
Versandkosten (KG) Referenz DHL (USD $)
0.00kg-1.00kg USD$30.00 - USD$60.00
1.00kg-2.00kg USD$40.00 - USD$80.00
2.00kg-3.00kg USD$50.00 - USD$100.00
Notiz:
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Als Zahlungsmittel stehen folgende Mitteln zur Wahl: T/T, Banküberweisung, Westunion-Überweisung, Kreditkarte, PayPal.

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    +00852 9146 4856

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