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ZuhauseProdukteDiskrete Halbleiter-ProdukteTransistoren-FETs, MOSFETs-EinzelIRF6715MTRPBF
International Rectifier
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IRF6715MTRPBF - International Rectifier

Hersteller Artikelnummer
IRF6715MTRPBF
Hersteller
Infineon Technologies
Allelco Artikelnummer
32D-IRF6715MTRPBF
ECAD -Modell
Teile Beschreibung
IRF6715 - 12V-300V N-CHANNEL POW
detaillierte Beschreibung
Verpackung
DirectFET™ Isometric MX
Datenblatt
IRF6715MTRPBF.pdf
vorrätig: 4620

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Anzahl

Spezifikation

IRF6715MTRPBF Tech -Spezifikationen
International Rectifier - IRF6715MTRPBF Technische Spezifikationen, Attribute, Parameter und Teile mit ähnlichen Spezifikationen wie International Rectifier - IRF6715MTRPBF

Produkteigenschaften Eigenschaften  
Hersteller Infineon Technologies  
VGS (th) (Max) @ Id 2.4V @ 100µA  
Vgs (Max) ±20V  
Technologie MOSFET (Metal Oxide)  
Supplier Device-Gehäuse DIRECTFET™ MX  
Serie HEXFET®  
Rds On (Max) @ Id, Vgs 1.6mOhm @ 34A, 10V  
Verlustleistung (max) 2.8W (Ta), 78W (Tc)  
Verpackung / Gehäuse DirectFET™ Isometric MX  
Paket Bulk  
Produkteigenschaften Eigenschaften  
Betriebstemperatur -40°C ~ 150°C (TJ)  
Befestigungsart Surface Mount  
Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds 5340 pF @ 13 V  
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 59 nC @ 4.5 V  
Typ FET N-Channel  
FET-Merkmal -  
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) 4.5V, 10V  
Drain-Source-Spannung (Vdss) 25 V  
Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C 34A (Ta), 180A (Tc)  

Bauteile mit ähnlicher Spezifikation

Die rechten drei Teile haben ähnliche Spezifikation wie International Rectifier IRF6715MTRPBF.

Produkteigenschaften IRF6715MTRPBF IRF6716MTRPBF IRF6714MTR1PBF IRF6712STRPBF
Artikelnummer IRF6715MTRPBF IRF6716MTRPBF IRF6714MTR1PBF IRF6712STRPBF
Hersteller International Rectifier Infineon Technologies Infineon Technologies Infineon Technologies
Technologie MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide)
Verpackung / Gehäuse DirectFET™ Isometric MX DirectFET™ Isometric MX DirectFET™ Isometric MX DirectFET™ Isometric SQ
Serie HEXFET® HEXFET® HEXFET® HEXFET®
Drain-Source-Spannung (Vdss) 25 V 25 V 25 V 25 V
Betriebstemperatur -40°C ~ 150°C (TJ) -40°C ~ 150°C (TJ) -40°C ~ 150°C (TJ) -40°C ~ 150°C (TJ)
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 59 nC @ 4.5 V 59 nC @ 4.5 V 44 nC @ 4.5 V 18 nC @ 4.5 V
Befestigungsart Surface Mount Surface Mount Surface Mount Surface Mount
FET-Merkmal - - - -
Typ FET N-Channel N-Channel N-Channel N-Channel
Vgs (Max) ±20V ±20V ±20V ±20V
Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds 5340 pF @ 13 V 5150 pF @ 13 V 3890 pF @ 13 V 1570 pF @ 13 V
VGS (th) (Max) @ Id 2.4V @ 100µA 2.4V @ 100µA 2.4V @ 100µA 2.4V @ 50µA
Verlustleistung (max) 2.8W (Ta), 78W (Tc) 3.6W (Ta), 78W (Tc) 2.8W (Ta), 89W (Tc) 2.2W (Ta), 36W (Tc)
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) 4.5V, 10V 4.5V, 10V 4.5V, 10V 4.5V, 10V
Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C 34A (Ta), 180A (Tc) 39A (Ta), 180A (Tc) 29A (Ta), 166A (Tc) 17A (Ta), 68A (Tc)
Paket Bulk Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) Bulk
Supplier Device-Gehäuse DIRECTFET™ MX DIRECTFET™ MX DIRECTFET™ MX DIRECTFET™ SQ
Rds On (Max) @ Id, Vgs 1.6mOhm @ 34A, 10V 1.6mOhm @ 40A, 10V 2.1mOhm @ 29A, 10V 4.9mOhm @ 17A, 10V

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Versandart

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Logistische Zeitreferenz für Gemeinsame Länder
Region Land Logistische Zeit (Tag)
Amerika Vereinigte Staaten 5
Brasilien 7
Europa Deutschland 5
Großbritannien 4
Italien 5
Ozeanien Australien 6
Neuseeland 5
Asien Indien 4
Japan 4
Naher Osten Israel 6
DHL & FedEx -Versandkosten Referenz
Versandkosten (KG) Referenz DHL (USD $)
0.00kg-1.00kg USD$30.00 - USD$60.00
1.00kg-2.00kg USD$40.00 - USD$80.00
2.00kg-3.00kg USD$50.00 - USD$100.00
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