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ZuhauseProdukteDiskrete Halbleiter-ProdukteTransistoren-FETs, MOSFETs-EinzelIRF6798MTRPBF
Infineon Technologies
Das Bild steht nur zum Referenz. Für detaillierte Produktinfos bitte die Produktdaten einsehen

IRF6798MTRPBF - Infineon Technologies

Hersteller Artikelnummer
IRF6798MTRPBF
Hersteller
Infineon Technologies
Allelco Artikelnummer
32D-IRF6798MTRPBF
ECAD -Modell
Teile Beschreibung
MOSFET N-CH 25V 37A DIRECTFET
detaillierte Beschreibung
Verpackung
DirectFET™ Isometric MX
Datenblatt
IRF6798M(TR)PbF.pdf
vorrätig: 4290

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Spezifikation

IRF6798MTRPBF Tech -Spezifikationen
Infineon Technologies - IRF6798MTRPBF Technische Spezifikationen, Attribute, Parameter und Teile mit ähnlichen Spezifikationen wie Infineon Technologies - IRF6798MTRPBF

Produkteigenschaften Eigenschaften  
Hersteller Infineon Technologies  
VGS (th) (Max) @ Id 2.35V @ 150µA  
Vgs (Max) ±20V  
Technologie MOSFET (Metal Oxide)  
Supplier Device-Gehäuse DIRECTFET™ MX  
Serie HEXFET®  
Rds On (Max) @ Id, Vgs 1.3mOhm @ 37A, 10V  
Verlustleistung (max) 2.8W (Ta), 78W (Tc)  
Verpackung / Gehäuse DirectFET™ Isometric MX  
Paket Tape & Reel (TR)  
Produkteigenschaften Eigenschaften  
Betriebstemperatur -40°C ~ 150°C (TJ)  
Befestigungsart Surface Mount  
Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds 6560 pF @ 13 V  
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 75 nC @ 4.5 V  
Typ FET N-Channel  
FET-Merkmal Schottky Diode (Body)  
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) 4.5V, 10V  
Drain-Source-Spannung (Vdss) 25 V  
Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C 37A (Ta), 197A (Tc)  

Bauteile mit ähnlicher Spezifikation

Die rechten drei Teile haben ähnliche Spezifikation wie Infineon Technologies IRF6798MTRPBF.

Produkteigenschaften IRF6798MTRPBF IRF6775MTR1PBF IRF6795MTRPBF IRF6775MTRPBF
Artikelnummer IRF6798MTRPBF IRF6775MTR1PBF IRF6795MTRPBF IRF6775MTRPBF
Hersteller Infineon Technologies Infineon Technologies International Rectifier Infineon Technologies
Serie HEXFET® HEXFET® HEXFET® HEXFET®
Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C 37A (Ta), 197A (Tc) 4.9A (Ta), 28A (Tc) 32A (Ta), 160A (Tc) 4.9A (Ta), 28A (Tc)
Technologie MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide)
Paket Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) Bulk Tape & Reel (TR)
Verlustleistung (max) 2.8W (Ta), 78W (Tc) 2.8W (Ta), 89W (Tc) 2.8W (Ta), 75W (Tc) 2.8W (Ta), 89W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs 1.3mOhm @ 37A, 10V 56mOhm @ 5.6A, 10V 1.8mOhm @ 32A, 10V 56mOhm @ 5.6A, 10V
Typ FET N-Channel N-Channel N-Channel N-Channel
Betriebstemperatur -40°C ~ 150°C (TJ) -40°C ~ 150°C (TJ) -40°C ~ 150°C (TJ) -40°C ~ 150°C (TJ)
Befestigungsart Surface Mount Surface Mount Surface Mount Surface Mount
FET-Merkmal Schottky Diode (Body) - - -
Vgs (Max) ±20V ±20V ±20V ±20V
Supplier Device-Gehäuse DIRECTFET™ MX DIRECTFET™ MZ DIRECTFET™ MX DIRECTFET™ MZ
Drain-Source-Spannung (Vdss) 25 V 150 V 25 V 150 V
VGS (th) (Max) @ Id 2.35V @ 150µA 5V @ 100µA 2.35V @ 100µA 5V @ 100µA
Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds 6560 pF @ 13 V 1411 pF @ 25 V 4280 pF @ 13 V 1411 pF @ 25 V
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) 4.5V, 10V 10V 4.5V, 10V 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 75 nC @ 4.5 V 36 nC @ 10 V 53 nC @ 4.5 V 36 nC @ 10 V
Verpackung / Gehäuse DirectFET™ Isometric MX DirectFET™ Isometric MZ DirectFET™ Isometric MX DirectFET™ Isometric MZ

IRF6798MTRPBF Datenblatt PDF

Laden Sie IRF6798MTRPBF PDF -Datenblätter und Infineon Technologies -Dokumentation für IRF6798MTRPBF - Infineon Technologies herunter.

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Datenblätter
IRF6798M(TR)PbF.pdf

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