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ZuhauseProdukteDiskrete Halbleiter-ProdukteTransistoren-FETs, MOSFETs-EinzelIRF6797MTRPBF
International Rectifier
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IRF6797MTRPBF - International Rectifier

Hersteller Artikelnummer
IRF6797MTRPBF
Hersteller
Infineon Technologies
Allelco Artikelnummer
32D-IRF6797MTRPBF
ECAD -Modell
Teile Beschreibung
MOSFET N-CH 25V 36A/210A DIRECT
detaillierte Beschreibung
Verpackung
DirectFET™ Isometric MX
Datenblatt
IRF6797MTRPBF.pdf
vorrätig: 39318

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Spezifikation

IRF6797MTRPBF Tech -Spezifikationen
International Rectifier - IRF6797MTRPBF Technische Spezifikationen, Attribute, Parameter und Teile mit ähnlichen Spezifikationen wie International Rectifier - IRF6797MTRPBF

Produkteigenschaften Eigenschaften  
Hersteller Infineon Technologies  
VGS (th) (Max) @ Id 2.35V @ 150µA  
Vgs (Max) ±20V  
Technologie MOSFET (Metal Oxide)  
Supplier Device-Gehäuse DIRECTFET™ MX  
Serie HEXFET®  
Rds On (Max) @ Id, Vgs 1.4mOhm @ 38A, 10V  
Verlustleistung (max) 2.8W (Ta), 89W (Tc)  
Verpackung / Gehäuse DirectFET™ Isometric MX  
Paket Bulk  
Produkteigenschaften Eigenschaften  
Betriebstemperatur -40°C ~ 150°C (TJ)  
Befestigungsart Surface Mount  
Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds 5790 pF @ 13 V  
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 68 nC @ 4.5 V  
Typ FET N-Channel  
FET-Merkmal -  
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) 4.5V, 10V  
Drain-Source-Spannung (Vdss) 25 V  
Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C 36A (Ta), 210A (Tc)  

Bauteile mit ähnlicher Spezifikation

Die rechten drei Teile haben ähnliche Spezifikation wie International Rectifier IRF6797MTRPBF.

Produkteigenschaften IRF6797MTRPBF IRF6727MTR1PBF IRF6811STRPBF IRF6810STRPBF
Artikelnummer IRF6797MTRPBF IRF6727MTR1PBF IRF6811STRPBF IRF6810STRPBF
Hersteller International Rectifier Infineon Technologies International Rectifier International Rectifier
Befestigungsart Surface Mount Surface Mount Surface Mount Surface Mount
Verpackung / Gehäuse DirectFET™ Isometric MX DirectFET™ Isometric MX DirectFET™ Isometric SQ DirectFET™ Isometric S1
Paket Bulk Tape & Reel (TR) Bulk Bulk
Typ FET N-Channel N-Channel N-Channel N-Channel
Supplier Device-Gehäuse DIRECTFET™ MX DIRECTFET™ MX DirectFET™ Isometric SQ DIRECTFET S1
Vgs (Max) ±20V ±20V ±16V ±16V
Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds 5790 pF @ 13 V 6190 pF @ 15 V 1590 pF @ 13 V 1038 pF @ 13 V
Serie HEXFET® HEXFET® DirectFET® HEXFET®
Verlustleistung (max) 2.8W (Ta), 89W (Tc) 2.8W (Ta), 89W (Tc) 2.1W (Ta), 32W (Tc) 2.1W (Ta), 20W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs 1.4mOhm @ 38A, 10V 1.7mOhm @ 32A, 10V 3.7mOhm @ 19A, 10V 5.2mOhm @ 16A, 10V
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) 4.5V, 10V 4.5V, 10V - 4.5V, 10V
Betriebstemperatur -40°C ~ 150°C (TJ) -40°C ~ 150°C (TJ) -40°C ~ 150°C (TJ) -40°C ~ 150°C (TJ)
Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C 36A (Ta), 210A (Tc) 32A (Ta), 180A (Tc) 19A (Ta), 74A (Tc) 16A (Ta), 50A (Tc)
VGS (th) (Max) @ Id 2.35V @ 150µA 2.35V @ 100µA 2.1V @ 35µA 2.1V @ 25µA
Drain-Source-Spannung (Vdss) 25 V 30 V 25 V 25 V
FET-Merkmal - - - -
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 68 nC @ 4.5 V 74 nC @ 4.5 V 17 nC @ 4.5 V 11 nC @ 4.5 V
Technologie MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide)

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Versandart

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Logistische Zeitreferenz für Gemeinsame Länder
Region Land Logistische Zeit (Tag)
Amerika Vereinigte Staaten 5
Brasilien 7
Europa Deutschland 5
Großbritannien 4
Italien 5
Ozeanien Australien 6
Neuseeland 5
Asien Indien 4
Japan 4
Naher Osten Israel 6
DHL & FedEx -Versandkosten Referenz
Versandkosten (KG) Referenz DHL (USD $)
0.00kg-1.00kg USD$30.00 - USD$60.00
1.00kg-2.00kg USD$40.00 - USD$80.00
2.00kg-3.00kg USD$50.00 - USD$100.00
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