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IRF7606TR - Infineon Technologies

Hersteller Artikelnummer
IRF7606TR
Hersteller
Infineon Technologies
Allelco Artikelnummer
32D-IRF7606TR
ECAD -Modell
Teile Beschreibung
MOSFET P-CH 30V 3.6A MICRO8
Verpackung
8-TSSOP, 8-MSOP (0.118", 3.00mm Width)
Datenblatt
IRF7606.pdf
Unsere Zertifizierung
vorrätig: 89890

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Spezifikation

IRF7606TR Tech -Spezifikationen
Infineon Technologies - IRF7606TR Technische Spezifikationen, Attribute, Parameter und Teile mit ähnlichen Spezifikationen wie Infineon Technologies - IRF7606TR

Produkteigenschaften Eigenschaften  
Hersteller Infineon Technologies  
VGS (th) (Max) @ Id 1V @ 250µA  
Vgs (Max) ±20V  
Technologie MOSFET (Metal Oxide)  
Supplier Device-Gehäuse Micro8™  
Serie HEXFET®  
Rds On (Max) @ Id, Vgs 90mOhm @ 2.4A, 10V  
Verlustleistung (max) 1.8W (Ta)  
Verpackung / Gehäuse 8-TSSOP, 8-MSOP (0.118", 3.00mm Width)  
Paket Tape & Reel (TR)  
Produkteigenschaften Eigenschaften  
Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ)  
Befestigungsart Surface Mount  
Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds 520 pF @ 25 V  
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 30 nC @ 10 V  
Typ FET P-Channel  
FET-Merkmal -  
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) 4.5V, 10V  
Drain-Source-Spannung (Vdss) 30 V  
Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C 3.6A (Ta)  

Umwelt- und Exportklassifikationen

ATTRIBUT BESCHREIBUNG
RoHS Status RoHS nicht konform
Feuchtigkeitsempfindlichkeit (MSL) 1 (Unlimited)
Status erreichen REACH Unaffected
ECCN EAR99
HTSUS

Bauteile mit ähnlicher Spezifikation

Die rechten drei Teile haben ähnliche Spezifikation wie Infineon Technologies IRF7606TR.

Produkteigenschaften IRF7606TR IRF7606TRPBF IRF7604TR IRF7607
Artikelnummer IRF7606TR IRF7606TRPBF IRF7604TR IRF7607
Hersteller Infineon Technologies Infineon Technologies Infineon Technologies Infineon Technologies
Supplier Device-Gehäuse Micro8™ Micro8™ Micro8™ Micro8™
Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C 3.6A (Ta) 3.6A (Ta) 3.6A (Ta) 6.5A (Ta)
Drain-Source-Spannung (Vdss) 30 V 30 V 20 V 20 V
Typ FET P-Channel P-Channel P-Channel N-Channel
Verlustleistung (max) 1.8W (Ta) 1.8W (Ta) - 1.8W (Ta)
Befestigungsart Surface Mount Surface Mount Surface Mount Surface Mount
Verpackung / Gehäuse 8-TSSOP, 8-MSOP (0.118", 3.00mm Width) 8-TSSOP, 8-MSOP (0.118", 3.00mm Width) 8-TSSOP, 8-MSOP (0.118", 3.00mm Width) 8-TSSOP, 8-MSOP (0.118", 3.00mm Width)
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) 4.5V, 10V 4.5V, 10V - 2.5V, 4.5V
Paket Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) Cut Tape (CT) Tube
FET-Merkmal - - - -
Rds On (Max) @ Id, Vgs 90mOhm @ 2.4A, 10V 90mOhm @ 2.4A, 10V 90mOhm @ 2.4A, 4.5V 30mOhm @ 6.5A, 4.5V
VGS (th) (Max) @ Id 1V @ 250µA 1V @ 250µA 700mV @ 250µA (Min) 1.2V @ 250µA
Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ) - -55°C ~ 150°C (TJ)
Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds 520 pF @ 25 V 520 pF @ 25 V 590 pF @ 15 V 1310 pF @ 15 V
Vgs (Max) ±20V ±20V - ±12V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 30 nC @ 10 V 30 nC @ 10 V 20 nC @ 4.5 V 22 nC @ 5 V
Technologie MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide)
Serie HEXFET® HEXFET® - HEXFET®

IRF7606TR Datenblatt PDF

Laden Sie IRF7606TR PDF -Datenblätter und Infineon Technologies -Dokumentation für IRF7606TR - Infineon Technologies herunter.

Andere verwandte Dokumente
IR Part Numbering System.pdf
Datenblätter
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Region Land Logistische Zeit (Tag)
Amerika Vereinigte Staaten 5
Brasilien 7
Europa Deutschland 5
Großbritannien 4
Italien 5
Ozeanien Australien 6
Neuseeland 5
Asien Indien 4
Japan 4
Naher Osten Israel 6
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0.00kg-1.00kg USD$30.00 - USD$60.00
1.00kg-2.00kg USD$40.00 - USD$80.00
2.00kg-3.00kg USD$50.00 - USD$100.00
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