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IRF7604TRPBF - Infineon Technologies

Hersteller Artikelnummer
IRF7604TRPBF
Hersteller
Infineon Technologies
Allelco Artikelnummer
32D-IRF7604TRPBF
ECAD -Modell
Teile Beschreibung
MOSFET P-CH 20V 3.6A MICRO8
Verpackung
8-TSSOP, 8-MSOP (0.118", 3.00mm Width)
Datenblatt
IRF7604PbF.pdf
Unsere Zertifizierung
vorrätig: 4660

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Spezifikation

IRF7604TRPBF Tech -Spezifikationen
Infineon Technologies - IRF7604TRPBF Technische Spezifikationen, Attribute, Parameter und Teile mit ähnlichen Spezifikationen wie Infineon Technologies - IRF7604TRPBF

Produkteigenschaften Eigenschaften  
Hersteller Infineon Technologies  
VGS (th) (Max) @ Id 700mV @ 250µA (Min)  
Vgs (Max) ±12V  
Technologie MOSFET (Metal Oxide)  
Supplier Device-Gehäuse Micro8™  
Serie HEXFET®  
Rds On (Max) @ Id, Vgs 90mOhm @ 2.4A, 4.5V  
Verlustleistung (max) 1.8W (Ta)  
Verpackung / Gehäuse 8-TSSOP, 8-MSOP (0.118", 3.00mm Width)  
Paket Tape & Reel (TR)  
Produkteigenschaften Eigenschaften  
Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ)  
Befestigungsart Surface Mount  
Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds 590 pF @ 15 V  
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 20 nC @ 4.5 V  
Typ FET P-Channel  
FET-Merkmal -  
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) 2.7V, 4.5V  
Drain-Source-Spannung (Vdss) 20 V  
Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C 3.6A (Ta)  

Umwelt- und Exportklassifikationen

ATTRIBUT BESCHREIBUNG
RoHS Status
Feuchtigkeitsempfindlichkeit (MSL) 2 (1 Year)
Status erreichen REACH Unaffected
ECCN EAR99
HTSUS

Bauteile mit ähnlicher Spezifikation

Die rechten drei Teile haben ähnliche Spezifikation wie Infineon Technologies IRF7604TRPBF.

Produkteigenschaften IRF7604TRPBF IRF7603TR IRF7604TR IRF7603TRPBF
Artikelnummer IRF7604TRPBF IRF7603TR IRF7604TR IRF7603TRPBF
Hersteller Infineon Technologies Infineon Technologies Infineon Technologies Infineon Technologies
Serie HEXFET® - - HEXFET®
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 20 nC @ 4.5 V 27 nC @ 10 V 20 nC @ 4.5 V 27 nC @ 10 V
Paket Tape & Reel (TR) Cut Tape (CT) Cut Tape (CT) Tape & Reel (TR)
Drain-Source-Spannung (Vdss) 20 V 30 V 20 V 30 V
Technologie MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide)
Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ) - - -55°C ~ 150°C (TJ)
Vgs (Max) ±12V - - ±20V
Verpackung / Gehäuse 8-TSSOP, 8-MSOP (0.118", 3.00mm Width) 8-TSSOP, 8-MSOP (0.118", 3.00mm Width) 8-TSSOP, 8-MSOP (0.118", 3.00mm Width) 8-TSSOP, 8-MSOP (0.118", 3.00mm Width)
Verlustleistung (max) 1.8W (Ta) - - 1.8W (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs 90mOhm @ 2.4A, 4.5V 35mOhm @ 3.7A, 10V 90mOhm @ 2.4A, 4.5V 35mOhm @ 3.7A, 10V
Typ FET P-Channel N-Channel P-Channel N-Channel
FET-Merkmal - - - -
VGS (th) (Max) @ Id 700mV @ 250µA (Min) 1V @ 250µA 700mV @ 250µA (Min) 1V @ 250µA
Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C 3.6A (Ta) 5.6A (Ta) 3.6A (Ta) 5.6A (Ta)
Supplier Device-Gehäuse Micro8™ Micro8™ Micro8™ Micro8™
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) 2.7V, 4.5V - - 4.5V, 10V
Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds 590 pF @ 15 V 520 pF @ 25 V 590 pF @ 15 V 520 pF @ 25 V
Befestigungsart Surface Mount Surface Mount Surface Mount Surface Mount

IRF7604TRPBF Datenblatt PDF

Laden Sie IRF7604TRPBF PDF -Datenblätter und Infineon Technologies -Dokumentation für IRF7604TRPBF - Infineon Technologies herunter.

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IR Part Numbering System.pdf
Datenblätter
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Logistische Zeitreferenz für Gemeinsame Länder
Region Land Logistische Zeit (Tag)
Amerika Vereinigte Staaten 5
Brasilien 7
Europa Deutschland 5
Großbritannien 4
Italien 5
Ozeanien Australien 6
Neuseeland 5
Asien Indien 4
Japan 4
Naher Osten Israel 6
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0.00kg-1.00kg USD$30.00 - USD$60.00
1.00kg-2.00kg USD$40.00 - USD$80.00
2.00kg-3.00kg USD$50.00 - USD$100.00
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