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ZuhauseProdukteDiskrete Halbleiter-ProdukteTransistoren-FETs, MOSFETs-EinzelIRF7607
IRF7607 Image
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IRF7607 - Infineon Technologies

Hersteller Artikelnummer
IRF7607
Hersteller
Infineon Technologies
Allelco Artikelnummer
32D-IRF7607
ECAD -Modell
Teile Beschreibung
MOSFET N-CH 20V 6.5A MICRO8
detaillierte Beschreibung
Verpackung
8-TSSOP, 8-MSOP (0.118", 3.00mm Width)
Datenblatt
IRF7607.pdf
vorrätig: 5150

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Anzahl

Spezifikation

IRF7607 Tech -Spezifikationen
Infineon Technologies - IRF7607 Technische Spezifikationen, Attribute, Parameter und Teile mit ähnlichen Spezifikationen wie Infineon Technologies - IRF7607

Produkteigenschaften Eigenschaften  
Hersteller Infineon Technologies  
VGS (th) (Max) @ Id 1.2V @ 250µA  
Vgs (Max) ±12V  
Technologie MOSFET (Metal Oxide)  
Supplier Device-Gehäuse Micro8™  
Serie HEXFET®  
Rds On (Max) @ Id, Vgs 30mOhm @ 6.5A, 4.5V  
Verlustleistung (max) 1.8W (Ta)  
Verpackung / Gehäuse 8-TSSOP, 8-MSOP (0.118", 3.00mm Width)  
Paket Tube  
Produkteigenschaften Eigenschaften  
Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ)  
Befestigungsart Surface Mount  
Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds 1310 pF @ 15 V  
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 22 nC @ 5 V  
Typ FET N-Channel  
FET-Merkmal -  
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) 2.5V, 4.5V  
Drain-Source-Spannung (Vdss) 20 V  
Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C 6.5A (Ta)  

Bauteile mit ähnlicher Spezifikation

Die rechten drei Teile haben ähnliche Spezifikation wie Infineon Technologies IRF7607.

Produkteigenschaften IRF7607 IRF7606TR IRF7607TRPBF IRF7665S2TRPBF
Artikelnummer IRF7607 IRF7606TR IRF7607TRPBF IRF7665S2TRPBF
Hersteller Infineon Technologies Infineon Technologies International Rectifier International Rectifier
Verpackung / Gehäuse 8-TSSOP, 8-MSOP (0.118", 3.00mm Width) 8-TSSOP, 8-MSOP (0.118", 3.00mm Width) 8-TSSOP, 8-MSOP (0.118", 3.00mm Width) DirectFET™ Isometric SB
Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 175°C (TJ)
FET-Merkmal - - - -
Drain-Source-Spannung (Vdss) 20 V 30 V 20 V 100 V
Verlustleistung (max) 1.8W (Ta) 1.8W (Ta) 1.8W (Ta) 2.4W (Ta), 30W (Tc)
Vgs (Max) ±12V ±20V ±12V ±20V
Befestigungsart Surface Mount Surface Mount Surface Mount Surface Mount
Serie HEXFET® HEXFET® HEXFET® -
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) 2.5V, 4.5V 4.5V, 10V 2.5V, 4.5V -
Rds On (Max) @ Id, Vgs 30mOhm @ 6.5A, 4.5V 90mOhm @ 2.4A, 10V 30mOhm @ 6.5A, 4.5V 62mOhm @ 8.9A, 10V
Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C 6.5A (Ta) 3.6A (Ta) 6.5A (Ta) 4.1A (Ta), 14.4A (Tc)
Supplier Device-Gehäuse Micro8™ Micro8™ Micro8™ DirectFET™ Isometric SB
VGS (th) (Max) @ Id 1.2V @ 250µA 1V @ 250µA 1.2V @ 250µA 5V @ 25µA
Paket Tube Tape & Reel (TR) Bulk Bulk
Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds 1310 pF @ 15 V 520 pF @ 25 V 1310 pF @ 15 V 515 pF @ 25 V
Technologie MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide)
Typ FET N-Channel P-Channel N-Channel N-Channel
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 22 nC @ 5 V 30 nC @ 10 V 22 nC @ 5 V 13 nC @ 10 V

IRF7607 Datenblatt PDF

Laden Sie IRF7607 PDF -Datenblätter und Infineon Technologies -Dokumentation für IRF7607 - Infineon Technologies herunter.

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PCN -Obsoleszenz/ EOL
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Region Land Logistische Zeit (Tag)
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Asien Indien 4
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0.00kg-1.00kg USD$30.00 - USD$60.00
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