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ZuhauseProdukteDiskrete Halbleiter-ProdukteTransistoren-FETs, MOSFETs-EinzelIRF7705TRPBF
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IRF7705TRPBF - Infineon Technologies

Hersteller Artikelnummer
IRF7705TRPBF
Hersteller
Infineon Technologies
Allelco Artikelnummer
32D-IRF7705TRPBF
ECAD -Modell
Teile Beschreibung
MOSFET P-CH 30V 8A 8TSSOP
Verpackung
8-TSSOP (0.173", 4.40mm Width)
Datenblatt
IRF7705PBF.pdf
Unsere Zertifizierung
vorrätig: 5200

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Spezifikation

IRF7705TRPBF Tech -Spezifikationen
Infineon Technologies - IRF7705TRPBF Technische Spezifikationen, Attribute, Parameter und Teile mit ähnlichen Spezifikationen wie Infineon Technologies - IRF7705TRPBF

Produkteigenschaften Eigenschaften  
Hersteller Infineon Technologies  
VGS (th) (Max) @ Id 2.5V @ 250µA  
Vgs (Max) ±20V  
Technologie MOSFET (Metal Oxide)  
Supplier Device-Gehäuse 8-TSSOP  
Serie HEXFET®  
Rds On (Max) @ Id, Vgs 18mOhm @ 8A, 10V  
Verlustleistung (max) 1.5W (Ta)  
Verpackung / Gehäuse 8-TSSOP (0.173", 4.40mm Width)  
Paket Tape & Reel (TR)  
Produkteigenschaften Eigenschaften  
Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ)  
Befestigungsart Surface Mount  
Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds 2774 pF @ 25 V  
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 88 nC @ 10 V  
Typ FET P-Channel  
FET-Merkmal -  
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) 4.5V, 10V  
Drain-Source-Spannung (Vdss) 30 V  
Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C 8A (Tc)  

Umwelt- und Exportklassifikationen

ATTRIBUT BESCHREIBUNG
RoHS Status
Feuchtigkeitsempfindlichkeit (MSL) 1 (Unlimited)
Status erreichen REACH Unaffected
ECCN EAR99
HTSUS

Bauteile mit ähnlicher Spezifikation

Die rechten drei Teile haben ähnliche Spezifikation wie Infineon Technologies IRF7705TRPBF.

Produkteigenschaften IRF7705TRPBF IRF7705TR IRF7739L1TRPBF IRF7726TRPBF
Artikelnummer IRF7705TRPBF IRF7705TR IRF7739L1TRPBF IRF7726TRPBF
Hersteller Infineon Technologies Infineon Technologies Infineon Technologies Infineon Technologies
Verlustleistung (max) 1.5W (Ta) 1.5W (Tc) 3.8W (Ta), 125W (Tc) 1.79W (Ta)
Technologie MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide)
Befestigungsart Surface Mount Surface Mount Surface Mount Surface Mount
Rds On (Max) @ Id, Vgs 18mOhm @ 8A, 10V 18mOhm @ 8A, 10V 1mOhm @ 160A, 10V 26mOhm @ 7A, 10V
FET-Merkmal - - - -
Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 175°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ)
Supplier Device-Gehäuse 8-TSSOP 8-TSSOP DirectFET™ Isometric L8 Micro8™
Serie HEXFET® HEXFET® - HEXFET®
Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C 8A (Tc) 8A (Tc) 46A (Ta), 270A (Tc) 7A (Ta)
Vgs (Max) ±20V ±20V ±20V ±20V
Paket Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR)
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 88 nC @ 10 V 88 nC @ 10 V 330 nC @ 10 V 69 nC @ 10 V
Typ FET P-Channel P-Channel N-Channel P-Channel
Drain-Source-Spannung (Vdss) 30 V 30 V 40 V 30 V
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) 4.5V, 10V 4.5V, 10V 10V 4.5V, 10V
Verpackung / Gehäuse 8-TSSOP (0.173", 4.40mm Width) 8-TSSOP (0.173", 4.40mm Width) DirectFET™ Isometric L8 8-TSSOP, 8-MSOP (0.118", 3.00mm Width)
VGS (th) (Max) @ Id 2.5V @ 250µA 2.5V @ 250µA 4V @ 250µA 2.5V @ 250µA
Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds 2774 pF @ 25 V 2774 pF @ 25 V 11880 pF @ 25 V 2204 pF @ 25 V

IRF7705TRPBF Datenblatt PDF

Laden Sie IRF7705TRPBF PDF -Datenblätter und Infineon Technologies -Dokumentation für IRF7705TRPBF - Infineon Technologies herunter.

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Region Land Logistische Zeit (Tag)
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Brasilien 7
Europa Deutschland 5
Großbritannien 4
Italien 5
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Neuseeland 5
Asien Indien 4
Japan 4
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0.00kg-1.00kg USD$30.00 - USD$60.00
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2.00kg-3.00kg USD$50.00 - USD$100.00
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