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IRF7704 Image
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IRF7704 - Infineon Technologies

Hersteller Artikelnummer
IRF7704
Hersteller
Infineon Technologies
Allelco Artikelnummer
32D-IRF7704
ECAD -Modell
Teile Beschreibung
MOSFET P-CH 40V 4.6A 8TSSOP
detaillierte Beschreibung
Verpackung
8-TSSOP (0.173", 4.40mm Width)
Datenblatt
IRF7704.pdf
vorrätig: 4380

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Anzahl

Spezifikation

IRF7704 Tech -Spezifikationen
Infineon Technologies - IRF7704 Technische Spezifikationen, Attribute, Parameter und Teile mit ähnlichen Spezifikationen wie Infineon Technologies - IRF7704

Produkteigenschaften Eigenschaften  
Hersteller Infineon Technologies  
VGS (th) (Max) @ Id 3V @ 250µA  
Vgs (Max) ±20V  
Technologie MOSFET (Metal Oxide)  
Supplier Device-Gehäuse 8-TSSOP  
Serie HEXFET®  
Rds On (Max) @ Id, Vgs 46mOhm @ 4.6A, 10V  
Verlustleistung (max) 1.5W (Ta)  
Verpackung / Gehäuse 8-TSSOP (0.173", 4.40mm Width)  
Paket Tube  
Produkteigenschaften Eigenschaften  
Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ)  
Befestigungsart Surface Mount  
Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds 3150 pF @ 25 V  
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 38 nC @ 4.5 V  
Typ FET P-Channel  
FET-Merkmal -  
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) 4.5V, 10V  
Drain-Source-Spannung (Vdss) 40 V  
Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C 4.6A (Ta)  

Bauteile mit ähnlicher Spezifikation

Die rechten drei Teile haben ähnliche Spezifikation wie Infineon Technologies IRF7704.

Produkteigenschaften IRF7704 IRF7704TRPBF IRF7726 IRF7702TR
Artikelnummer IRF7704 IRF7704TRPBF IRF7726 IRF7702TR
Hersteller Infineon Technologies Infineon Technologies Infineon Technologies Infineon Technologies
FET-Merkmal - - - -
Drain-Source-Spannung (Vdss) 40 V 40 V 30 V 12 V
Supplier Device-Gehäuse 8-TSSOP 8-TSSOP Micro8™ 8-TSSOP
Paket Tube Tape & Reel (TR) Tube Tape & Reel (TR)
Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds 3150 pF @ 25 V 3150 pF @ 25 V 2204 pF @ 25 V 3470 pF @ 10 V
Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ)
Typ FET P-Channel P-Channel P-Channel P-Channel
Rds On (Max) @ Id, Vgs 46mOhm @ 4.6A, 10V 46mOhm @ 4.6A, 10V 26mOhm @ 7A, 10V 14mOhm @ 8A, 4.5V
Vgs (Max) ±20V ±20V ±20V ±8V
Serie HEXFET® HEXFET® HEXFET® HEXFET®
Befestigungsart Surface Mount Surface Mount Surface Mount Surface Mount
VGS (th) (Max) @ Id 3V @ 250µA 3V @ 250µA 2.5V @ 250µA 1.2V @ 250µA
Technologie MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide)
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) 4.5V, 10V 4.5V, 10V 4.5V, 10V 1.8V, 4.5V
Verpackung / Gehäuse 8-TSSOP (0.173", 4.40mm Width) 8-TSSOP (0.173", 4.40mm Width) 8-TSSOP, 8-MSOP (0.118", 3.00mm Width) 8-TSSOP (0.173", 4.40mm Width)
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 38 nC @ 4.5 V 38 nC @ 4.5 V 69 nC @ 10 V 81 nC @ 4.5 V
Verlustleistung (max) 1.5W (Ta) 1.5W (Ta) 1.79W (Ta) 1.5W (Tc)
Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C 4.6A (Ta) 4.6A (Ta) 7A (Ta) 8A (Tc)

IRF7704 Datenblatt PDF

Laden Sie IRF7704 PDF -Datenblätter und Infineon Technologies -Dokumentation für IRF7704 - Infineon Technologies herunter.

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Region Land Logistische Zeit (Tag)
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Asien Indien 4
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0.00kg-1.00kg USD$30.00 - USD$60.00
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