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IRF7701TR Image
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IRF7701TR - Infineon Technologies

Hersteller Artikelnummer
IRF7701TR
Hersteller
Infineon Technologies
Allelco Artikelnummer
32D-IRF7701TR
ECAD -Modell
Teile Beschreibung
MOSFET P-CH 12V 10A 8TSSOP
detaillierte Beschreibung
Verpackung
8-TSSOP (0.173", 4.40mm Width)
Datenblatt
IRF7701.pdf
vorrätig: 3790

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Spezifikation

IRF7701TR Tech -Spezifikationen
Infineon Technologies - IRF7701TR Technische Spezifikationen, Attribute, Parameter und Teile mit ähnlichen Spezifikationen wie Infineon Technologies - IRF7701TR

Produkteigenschaften Eigenschaften  
Hersteller Infineon Technologies  
VGS (th) (Max) @ Id 1.2V @ 250µA  
Vgs (Max) ±8V  
Technologie MOSFET (Metal Oxide)  
Supplier Device-Gehäuse 8-TSSOP  
Serie HEXFET®  
Rds On (Max) @ Id, Vgs 11mOhm @ 10A, 4.5V  
Verlustleistung (max) 1.5W (Ta)  
Verpackung / Gehäuse 8-TSSOP (0.173", 4.40mm Width)  
Paket Tape & Reel (TR)  
Produkteigenschaften Eigenschaften  
Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ)  
Befestigungsart Surface Mount  
Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds 5050 pF @ 10 V  
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 100 nC @ 4.5 V  
Typ FET P-Channel  
FET-Merkmal -  
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) 1.8V, 4.5V  
Drain-Source-Spannung (Vdss) 12 V  
Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C 10A (Tc)  

Bauteile mit ähnlicher Spezifikation

Die rechten drei Teile haben ähnliche Spezifikation wie Infineon Technologies IRF7701TR.

Produkteigenschaften IRF7701TR IRF7665S2TRPBF IRF7663TR IRF7705
Artikelnummer IRF7701TR IRF7665S2TRPBF IRF7663TR IRF7705
Hersteller Infineon Technologies International Rectifier Infineon Technologies Infineon Technologies
Rds On (Max) @ Id, Vgs 11mOhm @ 10A, 4.5V 62mOhm @ 8.9A, 10V 20mOhm @ 7A, 4.5V 18mOhm @ 8A, 10V
Paket Tape & Reel (TR) Bulk Cut Tape (CT) Tube
Vgs (Max) ±8V ±20V - ±20V
FET-Merkmal - - - -
Verpackung / Gehäuse 8-TSSOP (0.173", 4.40mm Width) DirectFET™ Isometric SB 8-TSSOP, 8-MSOP (0.118", 3.00mm Width) 8-TSSOP (0.173", 4.40mm Width)
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 100 nC @ 4.5 V 13 nC @ 10 V 45 nC @ 5 V 88 nC @ 10 V
VGS (th) (Max) @ Id 1.2V @ 250µA 5V @ 25µA 1.2V @ 250µA 2.5V @ 250µA
Verlustleistung (max) 1.5W (Ta) 2.4W (Ta), 30W (Tc) - 1.5W (Tc)
Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds 5050 pF @ 10 V 515 pF @ 25 V 2520 pF @ 10 V 2774 pF @ 25 V
Supplier Device-Gehäuse 8-TSSOP DirectFET™ Isometric SB Micro8™ 8-TSSOP
Drain-Source-Spannung (Vdss) 12 V 100 V 20 V 30 V
Technologie MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide)
Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C 10A (Tc) 4.1A (Ta), 14.4A (Tc) 8.2A (Ta) 8A (Tc)
Typ FET P-Channel N-Channel P-Channel P-Channel
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) 1.8V, 4.5V - - 4.5V, 10V
Befestigungsart Surface Mount Surface Mount Surface Mount Surface Mount
Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 175°C (TJ) - -55°C ~ 150°C (TJ)
Serie HEXFET® - - HEXFET®

IRF7701TR Datenblatt PDF

Laden Sie IRF7701TR PDF -Datenblätter und Infineon Technologies -Dokumentation für IRF7701TR - Infineon Technologies herunter.

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Datenblätter
IRF7701.pdf

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Region Land Logistische Zeit (Tag)
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Asien Indien 4
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0.00kg-1.00kg USD$30.00 - USD$60.00
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