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ZuhauseProdukteDiskrete Halbleiter-ProdukteTransistoren-FETs, MOSFETs-EinzelIRF7702TR
IRF7702TR Image
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IRF7702TR - Infineon Technologies

Hersteller Artikelnummer
IRF7702TR
Hersteller
Infineon Technologies
Allelco Artikelnummer
32D-IRF7702TR
ECAD -Modell
Teile Beschreibung
MOSFET P-CH 12V 8A 8TSSOP
detaillierte Beschreibung
Verpackung
8-TSSOP (0.173", 4.40mm Width)
Datenblatt
IRF7702.pdf
vorrätig: 4350

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Spezifikation

IRF7702TR Tech -Spezifikationen
Infineon Technologies - IRF7702TR Technische Spezifikationen, Attribute, Parameter und Teile mit ähnlichen Spezifikationen wie Infineon Technologies - IRF7702TR

Produkteigenschaften Eigenschaften  
Hersteller Infineon Technologies  
VGS (th) (Max) @ Id 1.2V @ 250µA  
Vgs (Max) ±8V  
Technologie MOSFET (Metal Oxide)  
Supplier Device-Gehäuse 8-TSSOP  
Serie HEXFET®  
Rds On (Max) @ Id, Vgs 14mOhm @ 8A, 4.5V  
Verlustleistung (max) 1.5W (Tc)  
Verpackung / Gehäuse 8-TSSOP (0.173", 4.40mm Width)  
Paket Tape & Reel (TR)  
Produkteigenschaften Eigenschaften  
Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ)  
Befestigungsart Surface Mount  
Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds 3470 pF @ 10 V  
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 81 nC @ 4.5 V  
Typ FET P-Channel  
FET-Merkmal -  
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) 1.8V, 4.5V  
Drain-Source-Spannung (Vdss) 12 V  
Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C 8A (Tc)  

Bauteile mit ähnlicher Spezifikation

Die rechten drei Teile haben ähnliche Spezifikation wie Infineon Technologies IRF7702TR.

Produkteigenschaften IRF7702TR IRF7663TRPBF IRF7665S2TRPBF IRF7707TRPBF
Artikelnummer IRF7702TR IRF7663TRPBF IRF7665S2TRPBF IRF7707TRPBF
Hersteller Infineon Technologies Infineon Technologies International Rectifier Infineon Technologies
Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds 3470 pF @ 10 V 2520 pF @ 10 V 515 pF @ 25 V 2361 pF @ 15 V
Drain-Source-Spannung (Vdss) 12 V 20 V 100 V 20 V
Vgs (Max) ±8V ±12V ±20V ±12V
Verlustleistung (max) 1.5W (Tc) 1.8W (Ta) 2.4W (Ta), 30W (Tc) 1.5W (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs 14mOhm @ 8A, 4.5V 20mOhm @ 7A, 4.5V 62mOhm @ 8.9A, 10V 22mOhm @ 7A, 4.5V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 81 nC @ 4.5 V 45 nC @ 5 V 13 nC @ 10 V 47 nC @ 4.5 V
Typ FET P-Channel P-Channel N-Channel P-Channel
Verpackung / Gehäuse 8-TSSOP (0.173", 4.40mm Width) 8-TSSOP, 8-MSOP (0.118", 3.00mm Width) DirectFET™ Isometric SB 8-TSSOP (0.173", 4.40mm Width)
Serie HEXFET® HEXFET® - HEXFET®
FET-Merkmal - - - -
Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 175°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ)
Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C 8A (Tc) 8.2A (Ta) 4.1A (Ta), 14.4A (Tc) 7A (Ta)
Supplier Device-Gehäuse 8-TSSOP Micro8™ DirectFET™ Isometric SB 8-TSSOP
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) 1.8V, 4.5V 2.5V, 4.5V - 2.5V, 4.5V
Paket Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) Bulk Tape & Reel (TR)
VGS (th) (Max) @ Id 1.2V @ 250µA 1.2V @ 250µA 5V @ 25µA 1.2V @ 250µA
Befestigungsart Surface Mount Surface Mount Surface Mount Surface Mount
Technologie MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide)

IRF7702TR Datenblatt PDF

Laden Sie IRF7702TR PDF -Datenblätter und Infineon Technologies -Dokumentation für IRF7702TR - Infineon Technologies herunter.

Andere verwandte Dokumente
IR Part Numbering System.pdf
PCN -Obsoleszenz/ EOL
EOL122B 02/Oct/2007.pdf
Datenblätter
IRF7702.pdf

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Region Land Logistische Zeit (Tag)
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Großbritannien 4
Italien 5
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Asien Indien 4
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0.00kg-1.00kg USD$30.00 - USD$60.00
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