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IRF7705 Image
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IRF7705 - Infineon Technologies

Hersteller Artikelnummer
IRF7705
Hersteller
Infineon Technologies
Allelco Artikelnummer
32D-IRF7705
ECAD -Modell
Teile Beschreibung
MOSFET P-CH 30V 8A 8TSSOP
detaillierte Beschreibung
Verpackung
8-TSSOP (0.173", 4.40mm Width)
Datenblatt
IRF7705.pdf
vorrätig: 3750

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Anzahl

Spezifikation

IRF7705 Tech -Spezifikationen
Infineon Technologies - IRF7705 Technische Spezifikationen, Attribute, Parameter und Teile mit ähnlichen Spezifikationen wie Infineon Technologies - IRF7705

Produkteigenschaften Eigenschaften  
Hersteller Infineon Technologies  
VGS (th) (Max) @ Id 2.5V @ 250µA  
Vgs (Max) ±20V  
Technologie MOSFET (Metal Oxide)  
Supplier Device-Gehäuse 8-TSSOP  
Serie HEXFET®  
Rds On (Max) @ Id, Vgs 18mOhm @ 8A, 10V  
Verlustleistung (max) 1.5W (Tc)  
Verpackung / Gehäuse 8-TSSOP (0.173", 4.40mm Width)  
Paket Tube  
Produkteigenschaften Eigenschaften  
Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ)  
Befestigungsart Surface Mount  
Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds 2774 pF @ 25 V  
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 88 nC @ 10 V  
Typ FET P-Channel  
FET-Merkmal -  
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) 4.5V, 10V  
Drain-Source-Spannung (Vdss) 30 V  
Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C 8A (Tc)  

Bauteile mit ähnlicher Spezifikation

Die rechten drei Teile haben ähnliche Spezifikation wie Infineon Technologies IRF7705.

Produkteigenschaften IRF7705 IRF7707TR IRF7700 IRF7726
Artikelnummer IRF7705 IRF7707TR IRF7700 IRF7726
Hersteller Infineon Technologies Infineon Technologies Infineon Technologies Infineon Technologies
Serie HEXFET® HEXFET® HEXFET® HEXFET®
Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ)
Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C 8A (Tc) 7A (Ta) 8.6A (Tc) 7A (Ta)
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) 4.5V, 10V 2.5V, 4.5V 2.5V, 4.5V 4.5V, 10V
Typ FET P-Channel P-Channel P-Channel P-Channel
Verpackung / Gehäuse 8-TSSOP (0.173", 4.40mm Width) 8-TSSOP (0.173", 4.40mm Width) 8-TSSOP (0.173", 4.40mm Width) 8-TSSOP, 8-MSOP (0.118", 3.00mm Width)
Vgs (Max) ±20V ±12V ±12V ±20V
Drain-Source-Spannung (Vdss) 30 V 20 V 20 V 30 V
Paket Tube Tape & Reel (TR) Tube Tube
Technologie MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide)
Rds On (Max) @ Id, Vgs 18mOhm @ 8A, 10V 22mOhm @ 7A, 4.5V 15mOhm @ 8.6A, 4.5V 26mOhm @ 7A, 10V
Supplier Device-Gehäuse 8-TSSOP 8-TSSOP 8-TSSOP Micro8™
VGS (th) (Max) @ Id 2.5V @ 250µA 1.2V @ 250µA 1.2V @ 250µA 2.5V @ 250µA
Verlustleistung (max) 1.5W (Tc) 1.5W (Ta) 1.5W (Tc) 1.79W (Ta)
Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds 2774 pF @ 25 V 2361 pF @ 15 V 4300 pF @ 15 V 2204 pF @ 25 V
FET-Merkmal - - - -
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 88 nC @ 10 V 47 nC @ 4.5 V 89 nC @ 5 V 69 nC @ 10 V
Befestigungsart Surface Mount Surface Mount Surface Mount Surface Mount

IRF7705 Datenblatt PDF

Laden Sie IRF7705 PDF -Datenblätter und Infineon Technologies -Dokumentation für IRF7705 - Infineon Technologies herunter.

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PCN -Obsoleszenz/ EOL
EOL122B 02/Oct/2007.pdf
Datenblätter
IRF7705.pdf

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Region Land Logistische Zeit (Tag)
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Asien Indien 4
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0.00kg-1.00kg USD$30.00 - USD$60.00
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