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ZuhauseProdukteDiskrete Halbleiter-ProdukteTransistoren-FETs, MOSFETs-EinzelIRFH5110TR2PBF
Infineon Technologies
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IRFH5110TR2PBF - Infineon Technologies

Hersteller Artikelnummer
IRFH5110TR2PBF
Hersteller
Infineon Technologies
Allelco Artikelnummer
32D-IRFH5110TR2PBF
ECAD -Modell
Teile Beschreibung
MOSFET N-CH 100V 5X6 PQFN
Verpackung
8-PowerVDFN
Datenblatt
IRFH5110TR2PBF.pdf
Unsere Zertifizierung
vorrätig: 3990

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Spezifikation

IRFH5110TR2PBF Tech -Spezifikationen
Infineon Technologies - IRFH5110TR2PBF Technische Spezifikationen, Attribute, Parameter und Teile mit ähnlichen Spezifikationen wie Infineon Technologies - IRFH5110TR2PBF

Produkteigenschaften Eigenschaften  
Hersteller Infineon Technologies  
VGS (th) (Max) @ Id 4V @ 100µA  
Technologie MOSFET (Metal Oxide)  
Supplier Device-Gehäuse 8-PQFN (5x6)  
Serie -  
Rds On (Max) @ Id, Vgs 12.4mOhm @ 37A, 10V  
Verpackung / Gehäuse 8-PowerVDFN  
Paket Cut Tape (CT)  
Produkteigenschaften Eigenschaften  
Befestigungsart Surface Mount  
Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds 3152 pF @ 25 V  
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 72 nC @ 10 V  
Typ FET N-Channel  
FET-Merkmal -  
Drain-Source-Spannung (Vdss) 100 V  
Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C 11A (Ta), 63A (Tc)  

Umwelt- und Exportklassifikationen

ATTRIBUT BESCHREIBUNG
RoHS Status
Feuchtigkeitsempfindlichkeit (MSL) 1 (Unlimited)
Status erreichen REACH Unaffected
ECCN EAR99
HTSUS

Bauteile mit ähnlicher Spezifikation

Die rechten drei Teile haben ähnliche Spezifikation wie Infineon Technologies IRFH5110TR2PBF.

Produkteigenschaften IRFH5110TR2PBF IRFH5207TRPBF IRFH5206TR2PBF IRFH5204TR2PBF
Artikelnummer IRFH5110TR2PBF IRFH5207TRPBF IRFH5206TR2PBF IRFH5204TR2PBF
Hersteller Infineon Technologies Infineon Technologies Infineon Technologies Infineon Technologies
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 72 nC @ 10 V 59 nC @ 10 V 60 nC @ 10 V 65 nC @ 10 V
FET-Merkmal - - - -
Befestigungsart Surface Mount Surface Mount Surface Mount Surface Mount
Supplier Device-Gehäuse 8-PQFN (5x6) 8-PQFN (5x6) 8-PQFN (5x6) PQFN (5x6)
Typ FET N-Channel N-Channel N-Channel N-Channel
VGS (th) (Max) @ Id 4V @ 100µA 4V @ 100µA 4V @ 100µA 4V @ 100µA
Serie - HEXFET® - -
Verpackung / Gehäuse 8-PowerVDFN 8-PowerVDFN 8-PowerVDFN 8-VQFN Exposed Pad
Drain-Source-Spannung (Vdss) 100 V 75 V 60 V 40 V
Paket Cut Tape (CT) Tape & Reel (TR) Cut Tape (CT) Cut Tape (CT)
Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds 3152 pF @ 25 V 2474 pF @ 25 V 2490 pF @ 25 V 2460 pF @ 25 V
Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C 11A (Ta), 63A (Tc) 13A (Ta), 71A (Tc) 16A (Ta), 89A (Tc) 22A (Ta), 100A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs 12.4mOhm @ 37A, 10V 9.6mOhm @ 43A, 10V 6.7mOhm @ 50A, 10V 4.3mOhm @ 50A, 10V
Technologie MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide)

IRFH5110TR2PBF Datenblatt PDF

Laden Sie IRFH5110TR2PBF PDF -Datenblätter und Infineon Technologies -Dokumentation für IRFH5110TR2PBF - Infineon Technologies herunter.

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  2. Verwenden Sie unser Konto für die Sendung.In der folgenden Tabelle finden Sie die ungefähren Gebühren.
(Unterschiedlicher Zeitrahmen / Länder / Paketgröße hat einen unterschiedlichen Preis.)

Versandart

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Logistische Zeitreferenz für Gemeinsame Länder
Region Land Logistische Zeit (Tag)
Amerika Vereinigte Staaten 5
Brasilien 7
Europa Deutschland 5
Großbritannien 4
Italien 5
Ozeanien Australien 6
Neuseeland 5
Asien Indien 4
Japan 4
Naher Osten Israel 6
DHL & FedEx -Versandkosten Referenz
Versandkosten (KG) Referenz DHL (USD $)
0.00kg-1.00kg USD$30.00 - USD$60.00
1.00kg-2.00kg USD$40.00 - USD$80.00
2.00kg-3.00kg USD$50.00 - USD$100.00
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Als Zahlungsmittel stehen folgende Mitteln zur Wahl: T/T, Banküberweisung, Westunion-Überweisung, Kreditkarte, PayPal.

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