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ZuhauseProdukteDiskrete Halbleiter-ProdukteTransistoren-FETs, MOSFETs-EinzelIRFH5207TRPBF
Infineon Technologies
Das Bild steht nur zum Referenz. Für detaillierte Produktinfos bitte die Produktdaten einsehen

IRFH5207TRPBF - Infineon Technologies

Hersteller Artikelnummer
IRFH5207TRPBF
Hersteller
Infineon Technologies
Allelco Artikelnummer
32D-IRFH5207TRPBF
ECAD -Modell
Teile Beschreibung
MOSFET N-CH 75V 13A/71A 8PQFN
detaillierte Beschreibung
Verpackung
8-PowerVDFN
Datenblatt
IRFH5207TRPBF.pdf
vorrätig: 4230

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Spezifikation

IRFH5207TRPBF Tech -Spezifikationen
Infineon Technologies - IRFH5207TRPBF Technische Spezifikationen, Attribute, Parameter und Teile mit ähnlichen Spezifikationen wie Infineon Technologies - IRFH5207TRPBF

Produkteigenschaften Eigenschaften  
Hersteller Infineon Technologies  
VGS (th) (Max) @ Id 4V @ 100µA  
Vgs (Max) ±20V  
Technologie MOSFET (Metal Oxide)  
Supplier Device-Gehäuse 8-PQFN (5x6)  
Serie HEXFET®  
Rds On (Max) @ Id, Vgs 9.6mOhm @ 43A, 10V  
Verlustleistung (max) 3.6W (Ta), 105W (Tc)  
Verpackung / Gehäuse 8-PowerVDFN  
Paket Tape & Reel (TR)  
Produkteigenschaften Eigenschaften  
Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ)  
Befestigungsart Surface Mount  
Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds 2474 pF @ 25 V  
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 59 nC @ 10 V  
Typ FET N-Channel  
FET-Merkmal -  
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) 10V  
Drain-Source-Spannung (Vdss) 75 V  
Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C 13A (Ta), 71A (Tc)  

Bauteile mit ähnlicher Spezifikation

Die rechten drei Teile haben ähnliche Spezifikation wie Infineon Technologies IRFH5207TRPBF.

Produkteigenschaften IRFH5207TRPBF IRFH5204TRPBF IRFH5250DTRPBF IRFH5206TRPBF
Artikelnummer IRFH5207TRPBF IRFH5204TRPBF IRFH5250DTRPBF IRFH5206TRPBF
Hersteller Infineon Technologies Infineon Technologies International Rectifier Infineon Technologies
Verpackung / Gehäuse 8-PowerVDFN 8-VQFN Exposed Pad 8-PowerVDFN 8-PowerVDFN
Serie HEXFET® HEXFET® HEXFET® HEXFET®
Befestigungsart Surface Mount Surface Mount Surface Mount Surface Mount
Vgs (Max) ±20V ±20V ±20V ±20V
Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds 2474 pF @ 25 V 2460 pF @ 25 V 6115 pF @ 13 V 2490 pF @ 25 V
Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ)
Verlustleistung (max) 3.6W (Ta), 105W (Tc) 3.6W (Ta), 105W (Tc) 3.6W (Ta), 156W (Tc) 3.6W (Ta), 100W (Tc)
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 59 nC @ 10 V 65 nC @ 10 V 83 nC @ 10 V 60 nC @ 10 V
Supplier Device-Gehäuse 8-PQFN (5x6) PQFN (5x6) 8-PQFN (5x6) 8-PQFN (5x6)
Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C 13A (Ta), 71A (Tc) 22A (Ta), 100A (Tc) 40A (Ta), 100A (Tc) 16A (Ta), 89A (Tc)
Paket Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) Bulk Tape & Reel (TR)
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) 10V 10V 4.5V, 10V 10V
FET-Merkmal - - - -
Drain-Source-Spannung (Vdss) 75 V 40 V 25 V 60 V
Rds On (Max) @ Id, Vgs 9.6mOhm @ 43A, 10V 4.3mOhm @ 50A, 10V 1.4mOhm @ 50A, 10V 6.7mOhm @ 50A, 10V
Technologie MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide)
Typ FET N-Channel N-Channel N-Channel N-Channel
VGS (th) (Max) @ Id 4V @ 100µA 4V @ 100µA 2.35V @ 150µA 4V @ 100µA

IRFH5207TRPBF Datenblatt PDF

Laden Sie IRFH5207TRPBF PDF -Datenblätter und Infineon Technologies -Dokumentation für IRFH5207TRPBF - Infineon Technologies herunter.

PCN -Verpackung
Package Drawing Update 19/Aug/2015.pdf Barcode Label Update 24/Feb/2017.pdf
PCN -Baugruppe/Herkunft
Mosfet Backend Wafer Processing 23/Oct/2013.pdf
Umweltinformationen
PQFN 5x6 RoHS Compliance.pdf
PCN -Obsoleszenz/ EOL
Multi Mosfet EOL 2/Mar/2016.pdf

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Logistische Zeitreferenz für Gemeinsame Länder
Region Land Logistische Zeit (Tag)
Amerika Vereinigte Staaten 5
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Europa Deutschland 5
Großbritannien 4
Italien 5
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Neuseeland 5
Asien Indien 4
Japan 4
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DHL & FedEx -Versandkosten Referenz
Versandkosten (KG) Referenz DHL (USD $)
0.00kg-1.00kg USD$30.00 - USD$60.00
1.00kg-2.00kg USD$40.00 - USD$80.00
2.00kg-3.00kg USD$50.00 - USD$100.00
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