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ZuhauseProdukteDiskrete Halbleiter-ProdukteTransistoren-FETs, MOSFETs-EinzelIRFH5206TR2PBF
Infineon Technologies
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IRFH5206TR2PBF - Infineon Technologies

Hersteller Artikelnummer
IRFH5206TR2PBF
Hersteller
Infineon Technologies
Allelco Artikelnummer
32D-IRFH5206TR2PBF
ECAD -Modell
Teile Beschreibung
MOSFET N-CH 60V 16A 5X6 PQFN
detaillierte Beschreibung
Verpackung
8-PowerVDFN
Datenblatt
IRFH5206TR2PBF.pdf
vorrätig: 4930

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Spezifikation

IRFH5206TR2PBF Tech -Spezifikationen
Infineon Technologies - IRFH5206TR2PBF Technische Spezifikationen, Attribute, Parameter und Teile mit ähnlichen Spezifikationen wie Infineon Technologies - IRFH5206TR2PBF

Produkteigenschaften Eigenschaften  
Hersteller Infineon Technologies  
VGS (th) (Max) @ Id 4V @ 100µA  
Technologie MOSFET (Metal Oxide)  
Supplier Device-Gehäuse 8-PQFN (5x6)  
Serie -  
Rds On (Max) @ Id, Vgs 6.7mOhm @ 50A, 10V  
Verpackung / Gehäuse 8-PowerVDFN  
Paket Cut Tape (CT)  
Produkteigenschaften Eigenschaften  
Befestigungsart Surface Mount  
Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds 2490 pF @ 25 V  
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 60 nC @ 10 V  
Typ FET N-Channel  
FET-Merkmal -  
Drain-Source-Spannung (Vdss) 60 V  
Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C 16A (Ta), 89A (Tc)  

Bauteile mit ähnlicher Spezifikation

Die rechten drei Teile haben ähnliche Spezifikation wie Infineon Technologies IRFH5206TR2PBF.

Produkteigenschaften IRFH5206TR2PBF IRFH5250DTR2PBF IRFH5106TRPBF IRFH5215TRPBF
Artikelnummer IRFH5206TR2PBF IRFH5250DTR2PBF IRFH5106TRPBF IRFH5215TRPBF
Hersteller Infineon Technologies Infineon Technologies Infineon Technologies Infineon Technologies
Paket Cut Tape (CT) Cut Tape (CT) Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR)
Supplier Device-Gehäuse 8-PQFN (5x6) 8-PQFN (5x6) 8-PQFN (5x6) PQFN (5x6)
Drain-Source-Spannung (Vdss) 60 V 25 V 60 V 150 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 60 nC @ 10 V 83 nC @ 10 V 75 nC @ 10 V 32 nC @ 10 V
Serie - - HEXFET® HEXFET®
VGS (th) (Max) @ Id 4V @ 100µA 2.35V @ 150µA 4V @ 250µA 5V @ 100µA
Typ FET N-Channel N-Channel N-Channel N-Channel
Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds 2490 pF @ 25 V 6115 pF @ 13 V 3090 pF @ 25 V 1350 pF @ 50 V
Befestigungsart Surface Mount Surface Mount Surface Mount Surface Mount
Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C 16A (Ta), 89A (Tc) 40A (Ta), 100A (Tc) 21A (Ta), 100A (Tc) 5A (Ta), 27A (Tc)
Verpackung / Gehäuse 8-PowerVDFN 8-PowerVDFN 8-PowerVDFN 8-VQFN Exposed Pad
Technologie MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide)
FET-Merkmal - - - -
Rds On (Max) @ Id, Vgs 6.7mOhm @ 50A, 10V 1.4mOhm @ 50A, 10V 5.6mOhm @ 50A, 10V 58mOhm @ 16A, 10V

IRFH5206TR2PBF Datenblatt PDF

Laden Sie IRFH5206TR2PBF PDF -Datenblätter und Infineon Technologies -Dokumentation für IRFH5206TR2PBF - Infineon Technologies herunter.

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Logistische Zeitreferenz für Gemeinsame Länder
Region Land Logistische Zeit (Tag)
Amerika Vereinigte Staaten 5
Brasilien 7
Europa Deutschland 5
Großbritannien 4
Italien 5
Ozeanien Australien 6
Neuseeland 5
Asien Indien 4
Japan 4
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Versandkosten (KG) Referenz DHL (USD $)
0.00kg-1.00kg USD$30.00 - USD$60.00
1.00kg-2.00kg USD$40.00 - USD$80.00
2.00kg-3.00kg USD$50.00 - USD$100.00
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