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ZuhauseProdukteDiskrete Halbleiter-ProdukteTransistoren-FETs, MOSFETs-EinzelIRFH5206TRPBF
Infineon Technologies
Das Bild steht nur zum Referenz. Für detaillierte Produktinfos bitte die Produktdaten einsehen

IRFH5206TRPBF - Infineon Technologies

Hersteller Artikelnummer
IRFH5206TRPBF
Hersteller
Infineon Technologies
Allelco Artikelnummer
32D-IRFH5206TRPBF
ECAD -Modell
Teile Beschreibung
MOSFET N-CH 60V 16A/89A 8PQFN
detaillierte Beschreibung
Verpackung
8-PowerVDFN
Datenblatt
IRFH5206TRPBF.pdf
vorrätig: 4650

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Spezifikation

IRFH5206TRPBF Tech -Spezifikationen
Infineon Technologies - IRFH5206TRPBF Technische Spezifikationen, Attribute, Parameter und Teile mit ähnlichen Spezifikationen wie Infineon Technologies - IRFH5206TRPBF

Produkteigenschaften Eigenschaften  
Hersteller Infineon Technologies  
VGS (th) (Max) @ Id 4V @ 100µA  
Vgs (Max) ±20V  
Technologie MOSFET (Metal Oxide)  
Supplier Device-Gehäuse 8-PQFN (5x6)  
Serie HEXFET®  
Rds On (Max) @ Id, Vgs 6.7mOhm @ 50A, 10V  
Verlustleistung (max) 3.6W (Ta), 100W (Tc)  
Verpackung / Gehäuse 8-PowerVDFN  
Paket Tape & Reel (TR)  
Produkteigenschaften Eigenschaften  
Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ)  
Befestigungsart Surface Mount  
Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds 2490 pF @ 25 V  
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 60 nC @ 10 V  
Typ FET N-Channel  
FET-Merkmal -  
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) 10V  
Drain-Source-Spannung (Vdss) 60 V  
Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C 16A (Ta), 89A (Tc)  

Bauteile mit ähnlicher Spezifikation

Die rechten drei Teile haben ähnliche Spezifikation wie Infineon Technologies IRFH5206TRPBF.

Produkteigenschaften IRFH5206TRPBF IRFH5250DTRPBF IRFH5110TRPBF IRFH5204TR2PBF
Artikelnummer IRFH5206TRPBF IRFH5250DTRPBF IRFH5110TRPBF IRFH5204TR2PBF
Hersteller Infineon Technologies International Rectifier Infineon Technologies Infineon Technologies
Verlustleistung (max) 3.6W (Ta), 100W (Tc) 3.6W (Ta), 156W (Tc) 3.6W (Ta), 114W (Tc) -
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) 10V 4.5V, 10V 10V -
VGS (th) (Max) @ Id 4V @ 100µA 2.35V @ 150µA 4V @ 100µA 4V @ 100µA
Drain-Source-Spannung (Vdss) 60 V 25 V 100 V 40 V
Befestigungsart Surface Mount Surface Mount Surface Mount Surface Mount
Vgs (Max) ±20V ±20V ±20V -
Rds On (Max) @ Id, Vgs 6.7mOhm @ 50A, 10V 1.4mOhm @ 50A, 10V 12.4mOhm @ 37A, 10V 4.3mOhm @ 50A, 10V
Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds 2490 pF @ 25 V 6115 pF @ 13 V 3152 pF @ 25 V 2460 pF @ 25 V
Supplier Device-Gehäuse 8-PQFN (5x6) 8-PQFN (5x6) 8-PQFN (5x6) PQFN (5x6)
Paket Tape & Reel (TR) Bulk Tape & Reel (TR) Cut Tape (CT)
Serie HEXFET® HEXFET® HEXFET® -
Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C 16A (Ta), 89A (Tc) 40A (Ta), 100A (Tc) 11A (Ta), 63A (Tc) 22A (Ta), 100A (Tc)
FET-Merkmal - - - -
Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ) -
Typ FET N-Channel N-Channel N-Channel N-Channel
Verpackung / Gehäuse 8-PowerVDFN 8-PowerVDFN 8-PowerVDFN 8-VQFN Exposed Pad
Technologie MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide)
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 60 nC @ 10 V 83 nC @ 10 V 72 nC @ 10 V 65 nC @ 10 V

IRFH5206TRPBF Datenblatt PDF

Laden Sie IRFH5206TRPBF PDF -Datenblätter und Infineon Technologies -Dokumentation für IRFH5206TRPBF - Infineon Technologies herunter.

PCN -Verpackung
Package Drawing Update 19/Aug/2015.pdf Packing Material Update 16/Sep/2016.pdf
PCN -Baugruppe/Herkunft
Mosfet Backend Wafer Processing 23/Oct/2013.pdf
Umweltinformationen
PQFN 5x6 RoHS Compliance.pdf
PCN -Obsoleszenz/ EOL
Multi Mosfet EOL 2/Mar/2016.pdf

Lieferung

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Logistische Zeitreferenz für Gemeinsame Länder
Region Land Logistische Zeit (Tag)
Amerika Vereinigte Staaten 5
Brasilien 7
Europa Deutschland 5
Großbritannien 4
Italien 5
Ozeanien Australien 6
Neuseeland 5
Asien Indien 4
Japan 4
Naher Osten Israel 6
DHL & FedEx -Versandkosten Referenz
Versandkosten (KG) Referenz DHL (USD $)
0.00kg-1.00kg USD$30.00 - USD$60.00
1.00kg-2.00kg USD$40.00 - USD$80.00
2.00kg-3.00kg USD$50.00 - USD$100.00
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