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ZuhauseProdukteDiskrete Halbleiter-ProdukteTransistoren-FETs, MOSFETs-EinzelIRFH5204TRPBF
Infineon Technologies
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IRFH5204TRPBF - Infineon Technologies

Hersteller Artikelnummer
IRFH5204TRPBF
Hersteller
Infineon Technologies
Allelco Artikelnummer
32D-IRFH5204TRPBF
ECAD -Modell
Teile Beschreibung
MOSFET N-CH 40V 22A/100A PQFN
detaillierte Beschreibung
Verpackung
8-VQFN Exposed Pad
Datenblatt
IRFH5204TRPBF.pdf
vorrätig: 4540

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Anzahl

Spezifikation

IRFH5204TRPBF Tech -Spezifikationen
Infineon Technologies - IRFH5204TRPBF Technische Spezifikationen, Attribute, Parameter und Teile mit ähnlichen Spezifikationen wie Infineon Technologies - IRFH5204TRPBF

Produkteigenschaften Eigenschaften  
Hersteller Infineon Technologies  
VGS (th) (Max) @ Id 4V @ 100µA  
Vgs (Max) ±20V  
Technologie MOSFET (Metal Oxide)  
Supplier Device-Gehäuse PQFN (5x6)  
Serie HEXFET®  
Rds On (Max) @ Id, Vgs 4.3mOhm @ 50A, 10V  
Verlustleistung (max) 3.6W (Ta), 105W (Tc)  
Verpackung / Gehäuse 8-VQFN Exposed Pad  
Paket Tape & Reel (TR)  
Produkteigenschaften Eigenschaften  
Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ)  
Befestigungsart Surface Mount  
Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds 2460 pF @ 25 V  
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 65 nC @ 10 V  
Typ FET N-Channel  
FET-Merkmal -  
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) 10V  
Drain-Source-Spannung (Vdss) 40 V  
Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C 22A (Ta), 100A (Tc)  

Bauteile mit ähnlicher Spezifikation

Die rechten drei Teile haben ähnliche Spezifikation wie Infineon Technologies IRFH5204TRPBF.

Produkteigenschaften IRFH5204TRPBF IRFH5106TR2PBF IRFH5220TR2PBF IRFH5206TR2PBF
Artikelnummer IRFH5204TRPBF IRFH5106TR2PBF IRFH5220TR2PBF IRFH5206TR2PBF
Hersteller Infineon Technologies Infineon Technologies Infineon Technologies Infineon Technologies
Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ) - - -
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) 10V - - -
Typ FET N-Channel N-Channel N-Channel N-Channel
Vgs (Max) ±20V - - -
Technologie MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide)
Paket Tape & Reel (TR) Cut Tape (CT) Cut Tape (CT) Cut Tape (CT)
Serie HEXFET® - - -
Rds On (Max) @ Id, Vgs 4.3mOhm @ 50A, 10V 5.6mOhm @ 50A, 10V 99.9mOhm @ 5.8A, 10V 6.7mOhm @ 50A, 10V
Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C 22A (Ta), 100A (Tc) 21A (Ta), 100A (Tc) 3.8A (Ta), 20A (Tc) 16A (Ta), 89A (Tc)
Drain-Source-Spannung (Vdss) 40 V 60 V 200 V 60 V
Supplier Device-Gehäuse PQFN (5x6) 8-PQFN (5x6) PQFN (5x6) 8-PQFN (5x6)
Verlustleistung (max) 3.6W (Ta), 105W (Tc) - - -
Verpackung / Gehäuse 8-VQFN Exposed Pad 8-PowerVDFN 8-VQFN Exposed Pad 8-PowerVDFN
FET-Merkmal - - - -
VGS (th) (Max) @ Id 4V @ 100µA 4V @ 250µA 5V @ 100µA 4V @ 100µA
Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds 2460 pF @ 25 V 3090 pF @ 25 V 1380 pF @ 50 V 2490 pF @ 25 V
Befestigungsart Surface Mount Surface Mount Surface Mount Surface Mount
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 65 nC @ 10 V 75 nC @ 10 V 30 nC @ 10 V 60 nC @ 10 V

IRFH5204TRPBF Datenblatt PDF

Laden Sie IRFH5204TRPBF PDF -Datenblätter und Infineon Technologies -Dokumentation für IRFH5204TRPBF - Infineon Technologies herunter.

PCN -Verpackung
Package Drawing Update 19/Aug/2015.pdf
PCN -Baugruppe/Herkunft
Mosfet Backend Wafer Processing 23/Oct/2013.pdf
Umweltinformationen
PQFN 5x6 RoHS Compliance.pdf
PCN -Obsoleszenz/ EOL
Multi Mosfet EOL 2/Mar/2016.pdf

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Logistische Zeitreferenz für Gemeinsame Länder
Region Land Logistische Zeit (Tag)
Amerika Vereinigte Staaten 5
Brasilien 7
Europa Deutschland 5
Großbritannien 4
Italien 5
Ozeanien Australien 6
Neuseeland 5
Asien Indien 4
Japan 4
Naher Osten Israel 6
DHL & FedEx -Versandkosten Referenz
Versandkosten (KG) Referenz DHL (USD $)
0.00kg-1.00kg USD$30.00 - USD$60.00
1.00kg-2.00kg USD$40.00 - USD$80.00
2.00kg-3.00kg USD$50.00 - USD$100.00
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