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ZuhauseProdukteDiskrete Halbleiter-ProdukteTransistoren-FETs, MOSFETs-EinzelIRFH5210TR2PBF
Infineon Technologies
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IRFH5210TR2PBF - Infineon Technologies

Hersteller Artikelnummer
IRFH5210TR2PBF
Hersteller
Infineon Technologies
Allelco Artikelnummer
32D-IRFH5210TR2PBF
ECAD -Modell
Teile Beschreibung
MOSFET N-CH 100V 10A 5X6 PQFN
Verpackung
8-PowerVDFN
Datenblatt
IRFH5210TR2PBF.pdf
Unsere Zertifizierung
vorrätig: 4220

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Spezifikation

IRFH5210TR2PBF Tech -Spezifikationen
Infineon Technologies - IRFH5210TR2PBF Technische Spezifikationen, Attribute, Parameter und Teile mit ähnlichen Spezifikationen wie Infineon Technologies - IRFH5210TR2PBF

Produkteigenschaften Eigenschaften  
Hersteller Infineon Technologies  
VGS (th) (Max) @ Id 4V @ 100µA  
Technologie MOSFET (Metal Oxide)  
Supplier Device-Gehäuse 8-PQFN (5x6)  
Serie -  
Rds On (Max) @ Id, Vgs 14.9mOhm @ 33A, 10V  
Verpackung / Gehäuse 8-PowerVDFN  
Paket Cut Tape (CT)  
Produkteigenschaften Eigenschaften  
Befestigungsart Surface Mount  
Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds 2570 pF @ 25 V  
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 59 nC @ 10 V  
Typ FET N-Channel  
FET-Merkmal -  
Drain-Source-Spannung (Vdss) 100 V  
Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C 10A (Ta), 55A (Tc)  

Umwelt- und Exportklassifikationen

ATTRIBUT BESCHREIBUNG
RoHS Status
Feuchtigkeitsempfindlichkeit (MSL) 1 (Unlimited)
Status erreichen REACH Unaffected
ECCN EAR99
HTSUS

Bauteile mit ähnlicher Spezifikation

Die rechten drei Teile haben ähnliche Spezifikation wie Infineon Technologies IRFH5210TR2PBF.

Produkteigenschaften IRFH5210TR2PBF IRFH5206TR2PBF IRFH5204TR2PBF IRFH5250DTRPBF
Artikelnummer IRFH5210TR2PBF IRFH5206TR2PBF IRFH5204TR2PBF IRFH5250DTRPBF
Hersteller Infineon Technologies Infineon Technologies Infineon Technologies International Rectifier
VGS (th) (Max) @ Id 4V @ 100µA 4V @ 100µA 4V @ 100µA 2.35V @ 150µA
Paket Cut Tape (CT) Cut Tape (CT) Cut Tape (CT) Bulk
Drain-Source-Spannung (Vdss) 100 V 60 V 40 V 25 V
Typ FET N-Channel N-Channel N-Channel N-Channel
Rds On (Max) @ Id, Vgs 14.9mOhm @ 33A, 10V 6.7mOhm @ 50A, 10V 4.3mOhm @ 50A, 10V 1.4mOhm @ 50A, 10V
Verpackung / Gehäuse 8-PowerVDFN 8-PowerVDFN 8-VQFN Exposed Pad 8-PowerVDFN
Technologie MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide)
Befestigungsart Surface Mount Surface Mount Surface Mount Surface Mount
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 59 nC @ 10 V 60 nC @ 10 V 65 nC @ 10 V 83 nC @ 10 V
Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C 10A (Ta), 55A (Tc) 16A (Ta), 89A (Tc) 22A (Ta), 100A (Tc) 40A (Ta), 100A (Tc)
Serie - - - HEXFET®
FET-Merkmal - - - -
Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds 2570 pF @ 25 V 2490 pF @ 25 V 2460 pF @ 25 V 6115 pF @ 13 V
Supplier Device-Gehäuse 8-PQFN (5x6) 8-PQFN (5x6) PQFN (5x6) 8-PQFN (5x6)

IRFH5210TR2PBF Datenblatt PDF

Laden Sie IRFH5210TR2PBF PDF -Datenblätter und Infineon Technologies -Dokumentation für IRFH5210TR2PBF - Infineon Technologies herunter.

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Versandart

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Logistische Zeitreferenz für Gemeinsame Länder
Region Land Logistische Zeit (Tag)
Amerika Vereinigte Staaten 5
Brasilien 7
Europa Deutschland 5
Großbritannien 4
Italien 5
Ozeanien Australien 6
Neuseeland 5
Asien Indien 4
Japan 4
Naher Osten Israel 6
DHL & FedEx -Versandkosten Referenz
Versandkosten (KG) Referenz DHL (USD $)
0.00kg-1.00kg USD$30.00 - USD$60.00
1.00kg-2.00kg USD$40.00 - USD$80.00
2.00kg-3.00kg USD$50.00 - USD$100.00
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