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ZuhauseProdukteDiskrete Halbleiter-ProdukteTransistoren-FETs, MOSFETs-EinzelIRFH7446TR2PBF
Infineon Technologies
Das Bild steht nur zum Referenz. Für detaillierte Produktinfos bitte die Produktdaten einsehen

IRFH7446TR2PBF - Infineon Technologies

Hersteller Artikelnummer
IRFH7446TR2PBF
Hersteller
Infineon Technologies
Allelco Artikelnummer
32D-IRFH7446TR2PBF
ECAD -Modell
Teile Beschreibung
MOSFET N CH 40V 85A PQFN 5X6
detaillierte Beschreibung
Verpackung
8-PowerTDFN
Datenblatt
IRFH7446TR2PBF.pdf
vorrätig: 4500

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Spezifikation

IRFH7446TR2PBF Tech -Spezifikationen
Infineon Technologies - IRFH7446TR2PBF Technische Spezifikationen, Attribute, Parameter und Teile mit ähnlichen Spezifikationen wie Infineon Technologies - IRFH7446TR2PBF

Produkteigenschaften Eigenschaften  
Hersteller Infineon Technologies  
VGS (th) (Max) @ Id 3.9V @ 100µA  
Technologie MOSFET (Metal Oxide)  
Supplier Device-Gehäuse 8-PQFN (5x6)  
Serie -  
Rds On (Max) @ Id, Vgs 3.3mOhm @ 50A, 10V  
Verpackung / Gehäuse 8-PowerTDFN  
Paket Cut Tape (CT)  
Produkteigenschaften Eigenschaften  
Befestigungsart Surface Mount  
Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds 3174 pF @ 25 V  
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 98 nC @ 10 V  
Typ FET N-Channel  
FET-Merkmal -  
Drain-Source-Spannung (Vdss) 40 V  
Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C 85A (Tc)  

Bauteile mit ähnlicher Spezifikation

Die rechten drei Teile haben ähnliche Spezifikation wie Infineon Technologies IRFH7446TR2PBF.

Produkteigenschaften IRFH7446TR2PBF IRFH7185TRPBF IRFH7885TRPBF IRFH7440TRPBF
Artikelnummer IRFH7446TR2PBF IRFH7185TRPBF IRFH7885TRPBF IRFH7440TRPBF
Hersteller Infineon Technologies Infineon Technologies Infineon Technologies Infineon Technologies
Befestigungsart Surface Mount Surface Mount Surface Mount Surface Mount
VGS (th) (Max) @ Id 3.9V @ 100µA 3.6V @ 150µA 3.6V @ 150µA 3.9V @ 100µA
Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C 85A (Tc) 19A (Ta) 22A (Ta) 85A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs 3.3mOhm @ 50A, 10V 5.2mOhm @ 50A, 10V 3.9mOhm @ 50A, 10V 2.4mOhm @ 50A, 10V
Technologie MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide)
Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds 3174 pF @ 25 V 2320 pF @ 50 V 2311 pF @ 40 V 4574 pF @ 25 V
Drain-Source-Spannung (Vdss) 40 V 100 V 80 V 40 V
Verpackung / Gehäuse 8-PowerTDFN 8-PowerTDFN 8-VQFN 8-PowerTDFN
Supplier Device-Gehäuse 8-PQFN (5x6) 8-PQFN (5x6) 8-PQFN (5x6) 8-PQFN (5x6)
Typ FET N-Channel N-Channel N-Channel N-Channel
Paket Cut Tape (CT) Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR)
FET-Merkmal - - - -
Serie - FASTIRFET™, HEXFET® FASTIRFET™ HEXFET®, StrongIRFET™
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 98 nC @ 10 V 54 nC @ 10 V 54 nC @ 10 V 138 nC @ 10 V

IRFH7446TR2PBF Datenblatt PDF

Laden Sie IRFH7446TR2PBF PDF -Datenblätter und Infineon Technologies -Dokumentation für IRFH7446TR2PBF - Infineon Technologies herunter.

PCN -Obsoleszenz/ EOL
Multiple Devices 13/Nov/2013.pdf
PCN -Baugruppe/Herkunft
Mosfet Backend Wafer Processing 23/Oct/2013.pdf

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Versandart

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Logistische Zeitreferenz für Gemeinsame Länder
Region Land Logistische Zeit (Tag)
Amerika Vereinigte Staaten 5
Brasilien 7
Europa Deutschland 5
Großbritannien 4
Italien 5
Ozeanien Australien 6
Neuseeland 5
Asien Indien 4
Japan 4
Naher Osten Israel 6
DHL & FedEx -Versandkosten Referenz
Versandkosten (KG) Referenz DHL (USD $)
0.00kg-1.00kg USD$30.00 - USD$60.00
1.00kg-2.00kg USD$40.00 - USD$80.00
2.00kg-3.00kg USD$50.00 - USD$100.00
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