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ZuhauseProdukteDiskrete Halbleiter-ProdukteTransistoren-FETs, MOSFETs-EinzelIRFH7914TR2PBF
Infineon Technologies
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IRFH7914TR2PBF - Infineon Technologies

Hersteller Artikelnummer
IRFH7914TR2PBF
Hersteller
Infineon Technologies
Allelco Artikelnummer
32D-IRFH7914TR2PBF
ECAD -Modell
Teile Beschreibung
MOSFET N-CH 30V 15A PQFN56
detaillierte Beschreibung
Verpackung
8-PowerTDFN
Datenblatt
IRFH7914TR2PBF.pdf
vorrätig: 4300

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Spezifikation

IRFH7914TR2PBF Tech -Spezifikationen
Infineon Technologies - IRFH7914TR2PBF Technische Spezifikationen, Attribute, Parameter und Teile mit ähnlichen Spezifikationen wie Infineon Technologies - IRFH7914TR2PBF

Produkteigenschaften Eigenschaften  
Hersteller Infineon Technologies  
VGS (th) (Max) @ Id 2.35V @ 25µA  
Technologie MOSFET (Metal Oxide)  
Supplier Device-Gehäuse 8-PQFN (5x6)  
Serie -  
Rds On (Max) @ Id, Vgs 8.7mOhm @ 14A, 10V  
Verpackung / Gehäuse 8-PowerTDFN  
Paket Cut Tape (CT)  
Produkteigenschaften Eigenschaften  
Befestigungsart Surface Mount  
Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds 1160 pF @ 15 V  
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 12 nC @ 4.5 V  
Typ FET N-Channel  
FET-Merkmal -  
Drain-Source-Spannung (Vdss) 30 V  
Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C 15A (Ta), 35A (Tc)  

Bauteile mit ähnlicher Spezifikation

Die rechten drei Teile haben ähnliche Spezifikation wie Infineon Technologies IRFH7914TR2PBF.

Produkteigenschaften IRFH7914TR2PBF IRFH7787TRPBF IRFH7885TRPBF IRFH7923TRPBF
Artikelnummer IRFH7914TR2PBF IRFH7787TRPBF IRFH7885TRPBF IRFH7923TRPBF
Hersteller Infineon Technologies Infineon Technologies Infineon Technologies Infineon Technologies
Serie - HEXFET®, StrongIRFET™ FASTIRFET™ -
Drain-Source-Spannung (Vdss) 30 V 75 V 80 V 30 V
Paket Cut Tape (CT) Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) Cut Tape (CT)
Befestigungsart Surface Mount Surface Mount Surface Mount Surface Mount
Rds On (Max) @ Id, Vgs 8.7mOhm @ 14A, 10V 8mOhm @ 41A, 10V 3.9mOhm @ 50A, 10V 8.7mOhm @ 15A, 10V
Verpackung / Gehäuse 8-PowerTDFN 8-PowerTDFN 8-VQFN 8-PowerVDFN
VGS (th) (Max) @ Id 2.35V @ 25µA 3.7V @ 100µA 3.6V @ 150µA 2.35V @ 25µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 12 nC @ 4.5 V 110 nC @ 10 V 54 nC @ 10 V 13 nC @ 4.5 V
FET-Merkmal - - - -
Supplier Device-Gehäuse 8-PQFN (5x6) PQFN (5x6) 8-PQFN (5x6) PQFN (5x6) Single Die
Technologie MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide)
Typ FET N-Channel N-Channel N-Channel N-Channel
Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C 15A (Ta), 35A (Tc) 68A (Tc) 22A (Ta) 15A (Ta), 33A (Tc)
Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds 1160 pF @ 15 V 4030 pF @ 25 V 2311 pF @ 40 V 1095 pF @ 15 V

IRFH7914TR2PBF Datenblatt PDF

Laden Sie IRFH7914TR2PBF PDF -Datenblätter und Infineon Technologies -Dokumentation für IRFH7914TR2PBF - Infineon Technologies herunter.

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Region Land Logistische Zeit (Tag)
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0.00kg-1.00kg USD$30.00 - USD$60.00
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2.00kg-3.00kg USD$50.00 - USD$100.00
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