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ZuhauseProdukteDiskrete Halbleiter-ProdukteTransistoren-FETs, MOSFETs-EinzelIRFH7545TRPBF
Infineon Technologies
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IRFH7545TRPBF - Infineon Technologies

Hersteller Artikelnummer
IRFH7545TRPBF
Hersteller
Infineon Technologies
Allelco Artikelnummer
32D-IRFH7545TRPBF
ECAD -Modell
Teile Beschreibung
MOSFET N-CH 60V 85A PQFN
detaillierte Beschreibung
Verpackung
8-PowerTDFN
Datenblatt
IRFH7545TRPBF.pdf
RoHS Status
vorrätig: 48420

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Anzahl

Spezifikation

IRFH7545TRPBF Tech -Spezifikationen
Infineon Technologies - IRFH7545TRPBF Technische Spezifikationen, Attribute, Parameter und Teile mit ähnlichen Spezifikationen wie Infineon Technologies - IRFH7545TRPBF

Produkteigenschaften Eigenschaften  
Hersteller Infineon Technologies  
VGS (th) (Max) @ Id 3.7V @ 100µA  
Vgs (Max) ±20V  
Technologie MOSFET (Metal Oxide)  
Supplier Device-Gehäuse PQFN (5x6)  
Serie StrongIRFET™  
Rds On (Max) @ Id, Vgs 5.2mOhm @ 51A, 10V  
Verlustleistung (max) 83W (Tc)  
Verpackung / Gehäuse 8-PowerTDFN  
Paket Tape & Reel (TR)  
Produkteigenschaften Eigenschaften  
Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ)  
Befestigungsart Surface Mount  
Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds 3890 pF @ 25 V  
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 110 nC @ 10 V  
Typ FET N-Channel  
FET-Merkmal -  
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) 6V, 10V  
Drain-Source-Spannung (Vdss) 60 V  
Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C 85A (Tc)  
Grundproduktnummer IRFH7545  

Bauteile mit ähnlicher Spezifikation

Die rechten drei Teile haben ähnliche Spezifikation wie Infineon Technologies IRFH7545TRPBF.

Produkteigenschaften IRFH7545TRPBF IRFH7914TRPBF IRFH7440TR2PBF IRFH7190TRPBF
Artikelnummer IRFH7545TRPBF IRFH7914TRPBF IRFH7440TR2PBF IRFH7190TRPBF
Hersteller Infineon Technologies Infineon Technologies Infineon Technologies Infineon Technologies
Technologie MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide)
Verlustleistung (max) 83W (Tc) 3.1W (Ta) - 3.6W (Ta), 104W (Tc)
Typ FET N-Channel N-Channel N-Channel N-Channel
Drain-Source-Spannung (Vdss) 60 V 30 V 40 V 100 V
VGS (th) (Max) @ Id 3.7V @ 100µA 2.35V @ 25µA 3.9V @ 100µA 3.6V @ 100µA
FET-Merkmal - - - -
Befestigungsart Surface Mount Surface Mount Surface Mount Surface Mount
Grundproduktnummer IRFH7545 IRFH7914 - -
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 110 nC @ 10 V 12 nC @ 4.5 V 138 nC @ 10 V 39 nC @ 10 V
Supplier Device-Gehäuse PQFN (5x6) 8-PQFN (5x6) 8-PQFN (5x6) PQFN (5x6)
Vgs (Max) ±20V ±20V - ±20V
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) 6V, 10V 4.5V, 10V - 10V
Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C 85A (Tc) 15A (Ta), 35A (Tc) 85A (Tc) 15A (Ta), 82A (Tc)
Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ) - -55°C ~ 150°C (TJ)
Verpackung / Gehäuse 8-PowerTDFN 8-PowerTDFN 8-PowerTDFN 8-PowerTDFN
Rds On (Max) @ Id, Vgs 5.2mOhm @ 51A, 10V 8.7mOhm @ 14A, 10V 2.4mOhm @ 50A, 10V 7.5mOhm @ 49A, 10V
Serie StrongIRFET™ HEXFET® - FASTIRFET™, HEXFET®
Paket Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) Cut Tape (CT) Tape & Reel (TR)
Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds 3890 pF @ 25 V 1160 pF @ 15 V 4574 pF @ 25 V 1685 pF @ 50 V

IRFH7545TRPBF Datenblatt PDF

Laden Sie IRFH7545TRPBF PDF -Datenblätter und Infineon Technologies -Dokumentation für IRFH7545TRPBF - Infineon Technologies herunter.

PCN -Baugruppe/Herkunft
Warehouse Transfer 29/Jul/2015.pdf
PCN -Design/Spezifikation
Mult Dev Label Chgs Aug/2020.pdf Mult Dev Lot Chgs 25/May/2021.pdf
PCN -Verpackung
Packing Material Update 16/Sep/2016.pdf Barcode Label Update 24/Feb/2017.pdf
Umweltinformationen
PQFN 5x6 RoHS Compliance.pdf

Lieferung

Lieferzeit

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Logistische Zeitreferenz für Gemeinsame Länder
Region Land Logistische Zeit (Tag)
Amerika Vereinigte Staaten 5
Brasilien 7
Europa Deutschland 5
Großbritannien 4
Italien 5
Ozeanien Australien 6
Neuseeland 5
Asien Indien 4
Japan 4
Naher Osten Israel 6
DHL & FedEx -Versandkosten Referenz
Versandkosten (KG) Referenz DHL (USD $)
0.00kg-1.00kg USD$30.00 - USD$60.00
1.00kg-2.00kg USD$40.00 - USD$80.00
2.00kg-3.00kg USD$50.00 - USD$100.00
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