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ZuhauseProdukteDiskrete Halbleiter-ProdukteTransistoren-FETs, MOSFETs-ArraysIRFH7911TRPBF
Infineon Technologies
Das Bild steht nur zum Referenz. Für detaillierte Produktinfos bitte die Produktdaten einsehen

IRFH7911TRPBF - Infineon Technologies

Hersteller Artikelnummer
IRFH7911TRPBF
Hersteller
Infineon Technologies
Allelco Artikelnummer
32D-IRFH7911TRPBF
ECAD -Modell
Teile Beschreibung
MOSFET 2N-CH 30V 13A/28A PQFN
detaillierte Beschreibung
Verpackung
18-PowerVQFN
Datenblatt
IRFH7911TRPBF.pdf
RoHS Status
vorrätig: 4770

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Anzahl

Spezifikation

IRFH7911TRPBF Tech -Spezifikationen
Infineon Technologies - IRFH7911TRPBF Technische Spezifikationen, Attribute, Parameter und Teile mit ähnlichen Spezifikationen wie Infineon Technologies - IRFH7911TRPBF

Produkteigenschaften Eigenschaften  
Hersteller Infineon Technologies  
VGS (th) (Max) @ Id 2.35V @ 25µA  
Technologie MOSFET (Metal Oxide)  
Supplier Device-Gehäuse PQFN (5x6)  
Serie HEXFET®  
Rds On (Max) @ Id, Vgs 8.6mOhm @ 12A, 10V  
Leistung - max 2.4W, 3.4W  
Verpackung / Gehäuse 18-PowerVQFN  
Paket Tape & Reel (TR)  
Produkteigenschaften Eigenschaften  
Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ)  
Befestigungsart Surface Mount  
Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds 1060pF @ 15V  
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 12nC @ 4.5V  
FET-Merkmal Logic Level Gate  
Drain-Source-Spannung (Vdss) 30V  
Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C 13A, 28A  
Konfiguration 2 N-Channel (Dual)  
Grundproduktnummer IRFH7911  

Bauteile mit ähnlicher Spezifikation

Die rechten drei Teile haben ähnliche Spezifikation wie Infineon Technologies IRFH7911TRPBF.

Produkteigenschaften IRFH7911TRPBF IRFH7911M IRFH7914TR2PBF IRFH7921M
Artikelnummer IRFH7911TRPBF IRFH7911M IRFH7914TR2PBF IRFH7921M
Hersteller Infineon Technologies IR Infineon Technologies IR
Befestigungsart Surface Mount - Surface Mount -
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 12nC @ 4.5V - 12 nC @ 4.5 V -
Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds 1060pF @ 15V - 1160 pF @ 15 V -
Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ) - - -
Verpackung / Gehäuse 18-PowerVQFN - 8-PowerTDFN -
FET-Merkmal Logic Level Gate - - -
VGS (th) (Max) @ Id 2.35V @ 25µA - 2.35V @ 25µA -
Grundproduktnummer IRFH7911 - - -
Leistung - max 2.4W, 3.4W - - -
Technologie MOSFET (Metal Oxide) - MOSFET (Metal Oxide) -
Serie HEXFET® - - -
Supplier Device-Gehäuse PQFN (5x6) - 8-PQFN (5x6) -
Rds On (Max) @ Id, Vgs 8.6mOhm @ 12A, 10V - 8.7mOhm @ 14A, 10V -
Paket Tape & Reel (TR) - Cut Tape (CT) -
Drain-Source-Spannung (Vdss) 30V - 30 V -
Konfiguration 2 N-Channel (Dual) - - -
Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C 13A, 28A - 15A (Ta), 35A (Tc) -

IRFH7911TRPBF Datenblatt PDF

Laden Sie IRFH7911TRPBF PDF -Datenblätter und Infineon Technologies -Dokumentation für IRFH7911TRPBF - Infineon Technologies herunter.

PCN -Verpackung
Package Drawing Update 19/Aug/2015.pdf
Umweltinformationen
PQFN 5x6 RoHS Compliance.pdf
PCN -Obsoleszenz/ EOL
Mult Dev EOL 13/Apr/2022.pdf
PCN -Baugruppe/Herkunft
Fab Site Addition 18/Sep/2015.pdf

Lieferung

Lieferzeit

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Versandart

  1. Globale gemeinsame Versand von DHL / UPS / FEDEX / TNT / EMS / SF, die wir unterstützen.
  2. Andere Versandmethoden, bitte setzen Sie sich mit Ihrem Kundenmanager in Verbindung.

Logistische Zeitreferenz für Gemeinsame Länder
Region Land Logistische Zeit (Tag)
Amerika Vereinigte Staaten 5
Brasilien 7
Europa Deutschland 5
Großbritannien 4
Italien 5
Ozeanien Australien 6
Neuseeland 5
Asien Indien 4
Japan 4
Naher Osten Israel 6
DHL & FedEx -Versandkosten Referenz
Versandkosten (KG) Referenz DHL (USD $)
0.00kg-1.00kg USD$30.00 - USD$60.00
1.00kg-2.00kg USD$40.00 - USD$80.00
2.00kg-3.00kg USD$50.00 - USD$100.00
Notiz:
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