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ZuhauseProdukteDiskrete Halbleiter-ProdukteTransistoren-FETs, MOSFETs-EinzelIRFH7787TRPBF
Infineon Technologies
Das Bild steht nur zum Referenz. Für detaillierte Produktinfos bitte die Produktdaten einsehen

IRFH7787TRPBF - Infineon Technologies

Hersteller Artikelnummer
IRFH7787TRPBF
Hersteller
Infineon Technologies
Allelco Artikelnummer
32D-IRFH7787TRPBF
ECAD -Modell
Teile Beschreibung
MOSFET N-CH 75V 68A PQFN
detaillierte Beschreibung
Verpackung
8-PowerTDFN
Datenblatt
IRFH7787TRPBF.pdf
RoHS Status
vorrätig: 5140

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Anzahl

Spezifikation

IRFH7787TRPBF Tech -Spezifikationen
Infineon Technologies - IRFH7787TRPBF Technische Spezifikationen, Attribute, Parameter und Teile mit ähnlichen Spezifikationen wie Infineon Technologies - IRFH7787TRPBF

Produkteigenschaften Eigenschaften  
Hersteller Infineon Technologies  
VGS (th) (Max) @ Id 3.7V @ 100µA  
Vgs (Max) ±20V  
Technologie MOSFET (Metal Oxide)  
Supplier Device-Gehäuse PQFN (5x6)  
Serie HEXFET®, StrongIRFET™  
Rds On (Max) @ Id, Vgs 8mOhm @ 41A, 10V  
Verlustleistung (max) 83W (Tc)  
Verpackung / Gehäuse 8-PowerTDFN  
Paket Tape & Reel (TR)  
Produkteigenschaften Eigenschaften  
Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ)  
Befestigungsart Surface Mount  
Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds 4030 pF @ 25 V  
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 110 nC @ 10 V  
Typ FET N-Channel  
FET-Merkmal -  
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) 6V, 10V  
Drain-Source-Spannung (Vdss) 75 V  
Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C 68A (Tc)  
Grundproduktnummer IRFH7787  

Bauteile mit ähnlicher Spezifikation

Die rechten drei Teile haben ähnliche Spezifikation wie Infineon Technologies IRFH7787TRPBF.

Produkteigenschaften IRFH7787TRPBF IRFH7194TRPBF IRFH7440TR2PBF IRFH7446TR2PBF
Artikelnummer IRFH7787TRPBF IRFH7194TRPBF IRFH7440TR2PBF IRFH7446TR2PBF
Hersteller Infineon Technologies International Rectifier Infineon Technologies Infineon Technologies
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) 6V, 10V 10V - -
Rds On (Max) @ Id, Vgs 8mOhm @ 41A, 10V 16.4mOhm @ 21A, 10V 2.4mOhm @ 50A, 10V 3.3mOhm @ 50A, 10V
Serie HEXFET®, StrongIRFET™ FASTIRFET™, HEXFET® - -
Grundproduktnummer IRFH7787 - - -
FET-Merkmal - - - -
Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ) - -
VGS (th) (Max) @ Id 3.7V @ 100µA 3.6V @ 50µA 3.9V @ 100µA 3.9V @ 100µA
Verlustleistung (max) 83W (Tc) 3.6W (Ta), 39W (Tc) - -
Befestigungsart Surface Mount Surface Mount Surface Mount Surface Mount
Paket Tape & Reel (TR) Bulk Cut Tape (CT) Cut Tape (CT)
Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds 4030 pF @ 25 V 733 pF @ 50 V 4574 pF @ 25 V 3174 pF @ 25 V
Drain-Source-Spannung (Vdss) 75 V 100 V 40 V 40 V
Supplier Device-Gehäuse PQFN (5x6) 8-PQFN (5x6) 8-PQFN (5x6) 8-PQFN (5x6)
Verpackung / Gehäuse 8-PowerTDFN 8-PowerTDFN 8-PowerTDFN 8-PowerTDFN
Typ FET N-Channel N-Channel N-Channel N-Channel
Vgs (Max) ±20V ±20V - -
Technologie MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide)
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 110 nC @ 10 V 19 nC @ 10 V 138 nC @ 10 V 98 nC @ 10 V
Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C 68A (Tc) 11A (Ta), 35A (Tc) 85A (Tc) 85A (Tc)

IRFH7787TRPBF Datenblatt PDF

Laden Sie IRFH7787TRPBF PDF -Datenblätter und Infineon Technologies -Dokumentation für IRFH7787TRPBF - Infineon Technologies herunter.

PCN -Verpackung
Package Drawing Update 19/Aug/2015.pdf
PCN -Design/Spezifikation
Mult Dev No Format/Barcode Label 15/Jan/2019.pdf Mult Dev Lot Chgs 25/May/2021.pdf
PCN -Baugruppe/Herkunft
Warehouse Transfer 29/Jul/2015.pdf
PCN -Obsoleszenz/ EOL
Mult Dev EOL 23/Mar/2022.pdf
Umweltinformationen
PQFN 5x6 RoHS Compliance.pdf

Lieferung

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Logistische Zeitreferenz für Gemeinsame Länder
Region Land Logistische Zeit (Tag)
Amerika Vereinigte Staaten 5
Brasilien 7
Europa Deutschland 5
Großbritannien 4
Italien 5
Ozeanien Australien 6
Neuseeland 5
Asien Indien 4
Japan 4
Naher Osten Israel 6
DHL & FedEx -Versandkosten Referenz
Versandkosten (KG) Referenz DHL (USD $)
0.00kg-1.00kg USD$30.00 - USD$60.00
1.00kg-2.00kg USD$40.00 - USD$80.00
2.00kg-3.00kg USD$50.00 - USD$100.00
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