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ZuhauseProdukteDiskrete Halbleiter-ProdukteTransistoren-FETs, MOSFETs-EinzelIRFH7885TRPBF
Infineon Technologies
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IRFH7885TRPBF - Infineon Technologies

Hersteller Artikelnummer
IRFH7885TRPBF
Hersteller
Infineon Technologies
Allelco Artikelnummer
32D-IRFH7885TRPBF
ECAD -Modell
Teile Beschreibung
MOSFET N-CH 80V 22A 8PQFN
detaillierte Beschreibung
Verpackung
8-VQFN
Datenblatt
IRFH7885TRPBF.pdf
vorrätig: 4110

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Spezifikation

IRFH7885TRPBF Tech -Spezifikationen
Infineon Technologies - IRFH7885TRPBF Technische Spezifikationen, Attribute, Parameter und Teile mit ähnlichen Spezifikationen wie Infineon Technologies - IRFH7885TRPBF

Produkteigenschaften Eigenschaften  
Hersteller Infineon Technologies  
VGS (th) (Max) @ Id 3.6V @ 150µA  
Vgs (Max) ±20V  
Technologie MOSFET (Metal Oxide)  
Supplier Device-Gehäuse 8-PQFN (5x6)  
Serie FASTIRFET™  
Rds On (Max) @ Id, Vgs 3.9mOhm @ 50A, 10V  
Verlustleistung (max) 3.6W (Ta), 156W (Tc)  
Verpackung / Gehäuse 8-VQFN  
Paket Tape & Reel (TR)  
Produkteigenschaften Eigenschaften  
Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ)  
Befestigungsart Surface Mount  
Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds 2311 pF @ 40 V  
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 54 nC @ 10 V  
Typ FET N-Channel  
FET-Merkmal -  
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) 10V  
Drain-Source-Spannung (Vdss) 80 V  
Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C 22A (Ta)  

Bauteile mit ähnlicher Spezifikation

Die rechten drei Teile haben ähnliche Spezifikation wie Infineon Technologies IRFH7885TRPBF.

Produkteigenschaften IRFH7885TRPBF IRFH7545TRPBF IRFH7914TRPBF IRFH7440TRPBF
Artikelnummer IRFH7885TRPBF IRFH7545TRPBF IRFH7914TRPBF IRFH7440TRPBF
Hersteller Infineon Technologies Infineon Technologies Infineon Technologies Infineon Technologies
Typ FET N-Channel N-Channel N-Channel N-Channel
Befestigungsart Surface Mount Surface Mount Surface Mount Surface Mount
Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C 22A (Ta) 85A (Tc) 15A (Ta), 35A (Tc) 85A (Tc)
Verlustleistung (max) 3.6W (Ta), 156W (Tc) 83W (Tc) 3.1W (Ta) 104W (Tc)
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) 10V 6V, 10V 4.5V, 10V 6V, 10V
Verpackung / Gehäuse 8-VQFN 8-PowerTDFN 8-PowerTDFN 8-PowerTDFN
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 54 nC @ 10 V 110 nC @ 10 V 12 nC @ 4.5 V 138 nC @ 10 V
Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds 2311 pF @ 40 V 3890 pF @ 25 V 1160 pF @ 15 V 4574 pF @ 25 V
Paket Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR)
Rds On (Max) @ Id, Vgs 3.9mOhm @ 50A, 10V 5.2mOhm @ 51A, 10V 8.7mOhm @ 14A, 10V 2.4mOhm @ 50A, 10V
FET-Merkmal - - - -
Serie FASTIRFET™ StrongIRFET™ HEXFET® HEXFET®, StrongIRFET™
Drain-Source-Spannung (Vdss) 80 V 60 V 30 V 40 V
Vgs (Max) ±20V ±20V ±20V ±20V
VGS (th) (Max) @ Id 3.6V @ 150µA 3.7V @ 100µA 2.35V @ 25µA 3.9V @ 100µA
Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ)
Supplier Device-Gehäuse 8-PQFN (5x6) PQFN (5x6) 8-PQFN (5x6) 8-PQFN (5x6)
Technologie MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide)

IRFH7885TRPBF Datenblatt PDF

Laden Sie IRFH7885TRPBF PDF -Datenblätter und Infineon Technologies -Dokumentation für IRFH7885TRPBF - Infineon Technologies herunter.

PCN -Verpackung
Packing Material Update 16/Sep/2016.pdf Barcode Label Update 24/Feb/2017.pdf
PCN -Obsoleszenz/ EOL
Multi Mosfet EOL 2/Mar/2016.pdf

Lieferung

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Logistische Zeitreferenz für Gemeinsame Länder
Region Land Logistische Zeit (Tag)
Amerika Vereinigte Staaten 5
Brasilien 7
Europa Deutschland 5
Großbritannien 4
Italien 5
Ozeanien Australien 6
Neuseeland 5
Asien Indien 4
Japan 4
Naher Osten Israel 6
DHL & FedEx -Versandkosten Referenz
Versandkosten (KG) Referenz DHL (USD $)
0.00kg-1.00kg USD$30.00 - USD$60.00
1.00kg-2.00kg USD$40.00 - USD$80.00
2.00kg-3.00kg USD$50.00 - USD$100.00
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