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ZuhauseProdukteDiskrete Halbleiter-ProdukteTransistoren-FETs, MOSFETs-EinzelIRFHM8337TRPBF
Infineon Technologies
Das Bild steht nur zum Referenz. Für detaillierte Produktinfos bitte die Produktdaten einsehen

IRFHM8337TRPBF - Infineon Technologies

Hersteller Artikelnummer
IRFHM8337TRPBF
Hersteller
Infineon Technologies
Allelco Artikelnummer
32D-IRFHM8337TRPBF
ECAD -Modell
Teile Beschreibung
MOSFET N-CH 30V 12A 8PQFN
detaillierte Beschreibung
Verpackung
8-PowerTDFN
Datenblatt
IRFHM8337(TR)PBF.pdf
RoHS Status
vorrätig: 4980

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Anzahl

Spezifikation

IRFHM8337TRPBF Tech -Spezifikationen
Infineon Technologies - IRFHM8337TRPBF Technische Spezifikationen, Attribute, Parameter und Teile mit ähnlichen Spezifikationen wie Infineon Technologies - IRFHM8337TRPBF

Produkteigenschaften Eigenschaften  
Hersteller Infineon Technologies  
VGS (th) (Max) @ Id 2.35V @ 25µA  
Vgs (Max) ±20V  
Technologie MOSFET (Metal Oxide)  
Supplier Device-Gehäuse 8-PQFN (3.3x3.3), Power33  
Serie HEXFET®  
Rds On (Max) @ Id, Vgs 12.4mOhm @ 12A, 10V  
Verlustleistung (max) 2.8W (Ta), 25W (Tc)  
Verpackung / Gehäuse 8-PowerTDFN  
Paket Tape & Reel (TR)  
Produkteigenschaften Eigenschaften  
Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ)  
Befestigungsart Surface Mount  
Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds 755 pF @ 15 V  
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 8.1 nC @ 4.5 V  
Typ FET N-Channel  
FET-Merkmal -  
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) 4.5V, 10V  
Drain-Source-Spannung (Vdss) 30 V  
Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C 12A (Ta)  

Bauteile mit ähnlicher Spezifikation

Die rechten drei Teile haben ähnliche Spezifikation wie Infineon Technologies IRFHM8337TRPBF.

Produkteigenschaften IRFHM8337TRPBF IRFHM8326TRPBF IRFHM831TRPBF IRFHM9331TRPBF
Artikelnummer IRFHM8337TRPBF IRFHM8326TRPBF IRFHM831TRPBF IRFHM9331TRPBF
Hersteller Infineon Technologies Infineon Technologies Infineon Technologies Infineon Technologies
Serie HEXFET® HEXFET® HEXFET® HEXFET®
VGS (th) (Max) @ Id 2.35V @ 25µA 2.2V @ 50µA 2.35V @ 25µA 2.4V @ 25µA
Rds On (Max) @ Id, Vgs 12.4mOhm @ 12A, 10V 4.7mOhm @ 20A, 10V 7.8mOhm @ 12A, 10V 10mOhm @ 11A, 20V
Vgs (Max) ±20V ±20V ±20V ±25V
Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds 755 pF @ 15 V 2496 pF @ 10 V 1050 pF @ 25 V 1543 pF @ 25 V
Typ FET N-Channel N-Channel N-Channel P-Channel
Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C 12A (Ta) 19A (Ta) 14A (Ta), 40A (Tc) 11A (Ta), 24A (Tc)
FET-Merkmal - - - -
Drain-Source-Spannung (Vdss) 30 V 30 V 30 V 30 V
Verpackung / Gehäuse 8-PowerTDFN 8-PowerTDFN 8-PowerTDFN 8-PowerTDFN
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 8.1 nC @ 4.5 V 39 nC @ 10 V 16 nC @ 10 V 48 nC @ 10 V
Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ)
Supplier Device-Gehäuse 8-PQFN (3.3x3.3), Power33 - PQFN (3x3) PQFN (3x3)
Befestigungsart Surface Mount Surface Mount Surface Mount Surface Mount
Paket Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR)
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) 4.5V, 10V 4.5V, 10V 4.5V, 10V 10V, 20V
Verlustleistung (max) 2.8W (Ta), 25W (Tc) 2.8W (Ta), 37W (Tc) 2.5W (Ta), 27W (Tc) 2.8W (Ta)
Technologie MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide)

IRFHM8337TRPBF Datenblatt PDF

Laden Sie IRFHM8337TRPBF PDF -Datenblätter und Infineon Technologies -Dokumentation für IRFHM8337TRPBF - Infineon Technologies herunter.

PCN -Verpackung
Package Drawing Update 19/Aug/2015.pdf
PCN -Design/Spezifikation
Mult Dev No Format/Barcode Label 15/Jan/2019.pdf
PCN -Obsoleszenz/ EOL
Mult Devices EOL 08/May/2019.pdf
Datenblätter
IRFHM8337(TR)PBF.pdf
PCN -Baugruppe/Herkunft
Assembly Site Transfer 15/Oct/2014.pdf

Lieferung

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Region Land Logistische Zeit (Tag)
Amerika Vereinigte Staaten 5
Brasilien 7
Europa Deutschland 5
Großbritannien 4
Italien 5
Ozeanien Australien 6
Neuseeland 5
Asien Indien 4
Japan 4
Naher Osten Israel 6
DHL & FedEx -Versandkosten Referenz
Versandkosten (KG) Referenz DHL (USD $)
0.00kg-1.00kg USD$30.00 - USD$60.00
1.00kg-2.00kg USD$40.00 - USD$80.00
2.00kg-3.00kg USD$50.00 - USD$100.00
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