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ZuhauseProdukteDiskrete Halbleiter-ProdukteTransistoren-FETs, MOSFETs-EinzelIRFHM8342TRPBF
International Rectifier
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IRFHM8342TRPBF - International Rectifier

Hersteller Artikelnummer
IRFHM8342TRPBF
Hersteller
Infineon Technologies
Allelco Artikelnummer
32D-IRFHM8342TRPBF
ECAD -Modell
Teile Beschreibung
IRFHM8342 - 12V-300V N-CHANNEL P
detaillierte Beschreibung
Verpackung
8-PowerVDFN
Datenblatt
IRFHM8342TRPBF.pdf
vorrätig: 3780

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Anzahl

Spezifikation

IRFHM8342TRPBF Tech -Spezifikationen
International Rectifier - IRFHM8342TRPBF Technische Spezifikationen, Attribute, Parameter und Teile mit ähnlichen Spezifikationen wie International Rectifier - IRFHM8342TRPBF

Produkteigenschaften Eigenschaften  
Hersteller Infineon Technologies  
VGS (th) (Max) @ Id 2.35V @ 25µA  
Vgs (Max) ±20V  
Technologie MOSFET (Metal Oxide)  
Supplier Device-Gehäuse 8-PQFN-Dual (3.3x3.3), Power33  
Serie HEXFET®  
Rds On (Max) @ Id, Vgs 16mOhm @ 17A, 10V  
Verlustleistung (max) 2.6W (Ta), 20W (Tc)  
Verpackung / Gehäuse 8-PowerVDFN  
Produkteigenschaften Eigenschaften  
Paket Bulk  
Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ)  
Befestigungsart Surface Mount  
Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds 560 pF @ 25 V  
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 10 nC @ 10 V  
Typ FET N-Channel  
FET-Merkmal -  
Drain-Source-Spannung (Vdss) 30 V  
Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C 10A (Ta), 28A (Tc)  

Bauteile mit ähnlicher Spezifikation

Die rechten drei Teile haben ähnliche Spezifikation wie International Rectifier IRFHM8342TRPBF.

Produkteigenschaften IRFHM8342TRPBF IRFHM9391TRPBF IRFHS8242TRPBF IRFHM8334TRPBF
Artikelnummer IRFHM8342TRPBF IRFHM9391TRPBF IRFHS8242TRPBF IRFHM8334TRPBF
Hersteller International Rectifier Infineon Technologies Infineon Technologies International Rectifier
Supplier Device-Gehäuse 8-PQFN-Dual (3.3x3.3), Power33 8-PQFN (3.3x3.3), Power33 6-PQFN (2x2) (DFN2020) 8-PQFN-Dual (3.3x3.3), Power33
VGS (th) (Max) @ Id 2.35V @ 25µA 2.4V @ 25µA 2.35V @ 25µA 2.35V @ 25µA
Typ FET N-Channel P-Channel N-Channel N-Channel
Technologie MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide)
Verlustleistung (max) 2.6W (Ta), 20W (Tc) 2.6W (Ta) 2.1W (Ta) 2.7W (Ta), 28W (Tc)
Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ)
Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C 10A (Ta), 28A (Tc) 11A (Ta) 9.9A (Ta), 21A (Tc) 13A (Ta), 43A (Tc)
Verpackung / Gehäuse 8-PowerVDFN 8-PowerTDFN 6-PowerVDFN 8-PowerVDFN
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 10 nC @ 10 V 16 nC @ 10 V 10.4 nC @ 10 V 15 nC @ 10 V
Rds On (Max) @ Id, Vgs 16mOhm @ 17A, 10V 14.6mOhm @ 11A, 10V 13mOhm @ 8.5A, 10V 9mOhm @ 20A, 10V
Serie HEXFET® HEXFET® HEXFET® HEXFET®
Drain-Source-Spannung (Vdss) 30 V 30 V 25 V 30 V
Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds 560 pF @ 25 V 1543 pF @ 25 V 653 pF @ 10 V 1180 pF @ 10 V
Paket Bulk Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) Bulk
Befestigungsart Surface Mount Surface Mount Surface Mount Surface Mount
Vgs (Max) ±20V ±25V ±20V ±20V
FET-Merkmal - - - -

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Versandart

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Logistische Zeitreferenz für Gemeinsame Länder
Region Land Logistische Zeit (Tag)
Amerika Vereinigte Staaten 5
Brasilien 7
Europa Deutschland 5
Großbritannien 4
Italien 5
Ozeanien Australien 6
Neuseeland 5
Asien Indien 4
Japan 4
Naher Osten Israel 6
DHL & FedEx -Versandkosten Referenz
Versandkosten (KG) Referenz DHL (USD $)
0.00kg-1.00kg USD$30.00 - USD$60.00
1.00kg-2.00kg USD$40.00 - USD$80.00
2.00kg-3.00kg USD$50.00 - USD$100.00
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