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ZuhauseProdukteDiskrete Halbleiter-ProdukteTransistoren-FETs, MOSFETs-EinzelIRFHM9331TRPBF
Infineon Technologies
Das Bild steht nur zum Referenz. Für detaillierte Produktinfos bitte die Produktdaten einsehen

IRFHM9331TRPBF - Infineon Technologies

Hersteller Artikelnummer
IRFHM9331TRPBF
Hersteller
Infineon Technologies
Allelco Artikelnummer
32D-IRFHM9331TRPBF
ECAD -Modell
Teile Beschreibung
MOSFET P-CH 30V 11A/24A PQFN
detaillierte Beschreibung
Verpackung
8-PowerTDFN
Datenblatt
IRFHM9331TRPBF.pdf
RoHS Status
vorrätig: 140610

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Anzahl

Spezifikation

IRFHM9331TRPBF Tech -Spezifikationen
Infineon Technologies - IRFHM9331TRPBF Technische Spezifikationen, Attribute, Parameter und Teile mit ähnlichen Spezifikationen wie Infineon Technologies - IRFHM9331TRPBF

Produkteigenschaften Eigenschaften  
Hersteller Infineon Technologies  
VGS (th) (Max) @ Id 2.4V @ 25µA  
Vgs (Max) ±25V  
Technologie MOSFET (Metal Oxide)  
Supplier Device-Gehäuse PQFN (3x3)  
Serie HEXFET®  
Rds On (Max) @ Id, Vgs 10mOhm @ 11A, 20V  
Verlustleistung (max) 2.8W (Ta)  
Verpackung / Gehäuse 8-PowerTDFN  
Paket Tape & Reel (TR)  
Produkteigenschaften Eigenschaften  
Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ)  
Befestigungsart Surface Mount  
Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds 1543 pF @ 25 V  
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 48 nC @ 10 V  
Typ FET P-Channel  
FET-Merkmal -  
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) 10V, 20V  
Drain-Source-Spannung (Vdss) 30 V  
Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C 11A (Ta), 24A (Tc)  
Grundproduktnummer IRFHM9331  

Bauteile mit ähnlicher Spezifikation

Die rechten drei Teile haben ähnliche Spezifikation wie Infineon Technologies IRFHM9331TRPBF.

Produkteigenschaften IRFHM9331TRPBF IRFHM9391TRPBF IRFHS8342TRPBF IRFHS8242TRPBF
Artikelnummer IRFHM9331TRPBF IRFHM9391TRPBF IRFHS8342TRPBF IRFHS8242TRPBF
Hersteller Infineon Technologies Infineon Technologies Infineon Technologies Infineon Technologies
Verlustleistung (max) 2.8W (Ta) 2.6W (Ta) 2.1W (Ta) 2.1W (Ta)
Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ)
Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C 11A (Ta), 24A (Tc) 11A (Ta) 8.8A (Ta), 19A (Tc) 9.9A (Ta), 21A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs 10mOhm @ 11A, 20V 14.6mOhm @ 11A, 10V 16mOhm @ 8.5A, 10V 13mOhm @ 8.5A, 10V
Vgs (Max) ±25V ±25V ±20V ±20V
Drain-Source-Spannung (Vdss) 30 V 30 V 30 V 25 V
VGS (th) (Max) @ Id 2.4V @ 25µA 2.4V @ 25µA 2.35V @ 25µA 2.35V @ 25µA
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) 10V, 20V 4.5V, 10V 4.5V, 10V 4.5V, 10V
Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds 1543 pF @ 25 V 1543 pF @ 25 V 600 pF @ 25 V 653 pF @ 10 V
Paket Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR)
FET-Merkmal - - - -
Verpackung / Gehäuse 8-PowerTDFN 8-PowerTDFN 6-PowerVDFN 6-PowerVDFN
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 48 nC @ 10 V 16 nC @ 10 V 8.7 nC @ 10 V 10.4 nC @ 10 V
Supplier Device-Gehäuse PQFN (3x3) 8-PQFN (3.3x3.3), Power33 PG-TSDSON-6 6-PQFN (2x2) (DFN2020)
Befestigungsart Surface Mount Surface Mount Surface Mount Surface Mount
Serie HEXFET® HEXFET® HEXFET® HEXFET®
Technologie MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide)
Grundproduktnummer IRFHM9331 - IRFHS8342 IRFHS8242
Typ FET P-Channel P-Channel N-Channel N-Channel

IRFHM9331TRPBF Datenblatt PDF

Laden Sie IRFHM9331TRPBF PDF -Datenblätter und Infineon Technologies -Dokumentation für IRFHM9331TRPBF - Infineon Technologies herunter.

PCN -Verpackung
Package Drawing Update 19/Aug/2015.pdf Barcode Label Update 24/Feb/2017.pdf
PCN -Baugruppe/Herkunft
Warehouse Transfer 29/Jul/2015.pdf
PCN -Design/Spezifikation
Mult Dev Label Chgs Aug/2020.pdf

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Region Land Logistische Zeit (Tag)
Amerika Vereinigte Staaten 5
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Europa Deutschland 5
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Italien 5
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Neuseeland 5
Asien Indien 4
Japan 4
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Versandkosten (KG) Referenz DHL (USD $)
0.00kg-1.00kg USD$30.00 - USD$60.00
1.00kg-2.00kg USD$40.00 - USD$80.00
2.00kg-3.00kg USD$50.00 - USD$100.00
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